元器件型号:3480
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电阻器 - 基底(r1)(欧姆)

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*不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值)

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: DRA9114E0L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
6频率-跃迁:500nA
最大功率值:125mW
外壳:SC-89,SOT-490
封装:SS迷你型3-F3-B
料号:JTG2-16289
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DRA9114E0L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DRA9114E0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DRA9114E0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DRA9114E0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: DTA023EEBTL
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型:PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms
6频率-跃迁:250MHz
最大功率值:150mW
外壳:SC-89,SOT-490
封装:EMT3F
料号:JTG2-16290
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DTA023EEBTL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA023EEBTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA023EEBTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA023EEBTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: DTA024EEBTL
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型:-
2集电极-最大电流(ic):-
3集射极-击穿最大电流:-
4电阻器-基底(r1)(欧姆):-
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):-
6频率-跃迁:-
最大功率值:-
外壳:SC-89,SOT-490
封装:EMT3F
料号:JTG2-16291
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DTA024EEBTL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA024EEBTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA024EEBTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA024EEBTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: DTA143ECAHZGT116
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型:PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:100mA
4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms
6频率-跃迁:250MHz
最大功率值:350mW
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SST3
料号:JTG2-18788
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DTA143ECAHZGT116' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA143ECAHZGT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA143ECAHZGT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA143ECAHZGT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: DTC044TEBTL
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):60mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms
6频率-跃迁:250MHz
最大功率值:150mW
外壳:SC-89,SOT-490
封装:EMT3F
料号:JTG2-16292
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DTC044TEBTL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC044TEBTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC044TEBTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTC044TEBTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: DTA043ZEBTL
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型:PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms
6频率-跃迁:250MHz
最大功率值:150mW
外壳:SC-89,SOT-490
封装:EMT3F
料号:JTG2-16293
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DTA043ZEBTL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: DTC015TEBTL
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms
6频率-跃迁:250MHz
最大功率值:150mW
外壳:SC-89,SOT-490
封装:EMT3F
料号:JTG2-16294
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品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型:PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):30mA
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4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms
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外壳:SC-89,SOT-490
封装:EMT3F
料号:JTG2-16295
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品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
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参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
1晶体管类型:PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
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4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms
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料号:JTG2-16296
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品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型:PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):50mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
6频率-跃迁:250MHz
最大功率值:150mW
外壳:SC-89,SOT-490
封装:EMT3F
料号:JTG2-16297
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA014EEBTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA014EEBTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA014EEBTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: DTA023JEBTL
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型:PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms
6频率-跃迁:250MHz
最大功率值:150mW
外壳:SC-89,SOT-490
封装:EMT3F
料号:JTG2-16298
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DTA023JEBTL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA023JEBTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA023JEBTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号: DTC024EEBTL
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):30mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms
6频率-跃迁:250MHz
最大功率值:150mW
外壳:SC-89,SOT-490
封装:EMT3F
料号:JTG2-16299
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合作现货:0
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型号: DTA015EEBTL
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型:PNP - 预偏压
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3集射极-击穿最大电流:50V
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5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms
6频率-跃迁:250MHz
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封装:EMT3F
料号:JTG2-16300
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型号: DTC023EEBTL
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):200mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型:NPN - 预偏压
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最大功率值:150mW
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DTC023EEBTL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):200mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
6频率-跃迁:250MHz
最大功率值:150mW
外壳:SC-89,SOT-490
封装:EMT3F
料号:JTG2-16302
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合作现货:0
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型号: DTC014YEBTL
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):200mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):70mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):70mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms
6频率-跃迁:250MHz
最大功率值:150mW
外壳:SC-89,SOT-490
封装:EMT3F
料号:JTG2-16303
包装:
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海外现货:0
最小起订:
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型号: DTC043EEBTL
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):200mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):70mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms
6频率-跃迁:250MHz
最大功率值:150mW
外壳:SC-89,SOT-490
封装:EMT3F
料号:JTG2-16304
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: PDTA144WT,215
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):200mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):70mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
1晶体管类型:PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms
6频率-跃迁:100nA(ICBO)
最大功率值:250mW
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23(TO-236AB)
料号:JTG2-16305
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTA144WT,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: FJV3104RMTF
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):200mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):70mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms
6频率-跃迁:250MHz
最大功率值:200mW
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:JTG2-16306
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJV3104RMTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJV3104RMTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJV3104RMTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: FJV3102RMTF
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:100mA *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):200mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):70mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
6频率-跃迁:250MHz
最大功率值:200mW
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3(TO-236)
料号:JTG2-16307
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FJV3102RMTF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJV3102RMTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJV3102RMTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FJV3102RMTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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