元器件型号:3480
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电阻器 - 基底(r1)(欧姆)

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: PDTB113ES,126
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:500mW
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:TO-92-3
料号:JTG2-17138
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTB113ES,126' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTB113ES,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTB113ES,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: PDTB113ZS,126
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:500mW
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:TO-92-3
料号:JTG2-17139
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTB113ZS,126' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: PDTB123ES,126
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:500mW
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:TO-92-3
料号:JTG2-17140
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTB123ES,126' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTB123ES,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTB123ES,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: PDTB123TK,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:250mW
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SMT3
料号:JTG2-17141
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTB123TK,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTB123TK,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTB123TK,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTB123TK,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: PDTB123TS,126
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:500mW
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:TO-92-3
料号:JTG2-17142
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTB123TS,126' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTB123TS,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTB123TS,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号: PDTB123YS,126
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:500mW
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:TO-92-3
料号:JTG2-17143
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTB123YS,126' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTB123YS,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: PDTC114ES,126
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:500mW
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:TO-92-3
料号:JTG2-17144
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTC114ES,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTC114ES,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTC114ES,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: PDTC114TK,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:250mW
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SMT3
料号:JTG2-17145
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTC114TK,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTC114TK,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTC114TK,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: PDTC114TS,126
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:500mW
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:TO-92-3
料号:JTG2-17146
包装:
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合作现货:0
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型号: PDTC114YK,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:250mW
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SMT3
料号:JTG2-17147
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: PDTC115EK,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):20mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms
6频率-跃迁:-
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外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SMT3
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型号: PDTC123EK,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:250mW
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SMT3
料号:JTG2-17149
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品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:250mW
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SMT3
料号:JTG2-17150
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品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:250mW
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SMT3
料号:JTG2-17151
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTC124EK,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: PDTC124ES,126
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:500mW
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:TO-92-3
料号:JTG2-17152
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTC124ES,126' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTC124ES,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTC124ES,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTC124ES,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: PDTC124TK,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:250mW
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SMT3
料号:JTG2-17153
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTC124TK,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTC124TK,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTC124TK,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态: 在售
型号: PDTC124XE,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:150mW
外壳:SC-75,SOT-416
封装:SC-75
料号:JTG2-17154
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTC124XE,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: PDTC124XK,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:250mW
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SMT3
料号:JTG2-17155
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTC124XK,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTC124XK,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTC124XK,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: PDTC143EK,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:250mW
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SMT3
料号:JTG2-17156
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: PDTC143ES,126
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):1 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):2.2 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿最大电流:50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms
6频率-跃迁:-
最大功率值:500mW
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:TO-92-3
料号:JTG2-17157
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDTC143ES,126' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTC143ES,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTC143ES,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDTC143ES,126' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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