首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 预偏置单晶体管-双极(BJT)
元器件型号：3480 件
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*晶体管类型

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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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*电压 - 集射极击穿（最大值）

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电阻器 - 基底（r1）（欧姆）

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电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）

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*不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）

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*频率 - 跃迁

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MMUN2216LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：4.7 kOhms
6频率-跃迁：500nA
最大功率值：400mW
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG2-17571
包装： 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： MMUN2132LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：4.7 kOhms
6频率-跃迁：500nA
最大功率值：246mW
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG2-17572
包装： 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： RN2310,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO）
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：4.7 kOhms
6频率-跃迁：200MHz
最大功率值：100mW
外壳：SC-70，SOT-323
封装：USM
料号：JTG2-17573
包装： 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DTA114YUBTL
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：47 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：SC-85
封装：UMT3F
料号：JTG2-17574
包装： 3000个/
￥0.35 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DTA114YUBTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DTC114YUBTL
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):70mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：70mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：10 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：47 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：SC-85
封装：UMT3F
料号：JTG2-17575
包装： 3000个/
￥0.35 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DTC143ZUBTL
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):70mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
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3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：47 kOhms
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最大功率值：200mW
外壳：SC-85
封装：UMT3F
料号：JTG2-17576
包装：
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合作现货:0
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型号： DTC144EUBTL
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):70mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
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4电阻器-基底(r1)(欧姆)：47 kOhms
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6频率-跃迁：250MHz
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外壳：SC-85
封装：UMT3F
料号：JTG2-17577
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状态： 在售
型号： DTA014TEBTL
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):70mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 5mA，10V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO）
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：10k
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：150mW
外壳：SC-89，SOT-490
封装：EMT3F
料号：JTG2-17578
包装： 3000个/ 带卷（TR）
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DTA015TEBTL
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):70mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 5mA，10V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO）
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型号： DTA044TEBTL
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):70mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 5mA，10V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO）
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型号： DTA015TMT2L
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
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1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
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型号： DTA023EMT2L
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):70mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 5mA，10V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
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4电阻器-基底(r1)(欧姆)：-
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最大功率值：-
外壳：SOT-723
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型号： DTA024EMT2L
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):70mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 5mA，10V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):-
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封装：VMT3
料号：JTG2-17583
包装： 8000个/
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型号： DTA044TMT2L
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):70mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 5mA，10V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
2集电极-最大电流(ic)：-
3集射极-击穿最大电流：-
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：-
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
6频率-跃迁：-
最大功率值：-
外壳：SOT-723
封装：VMT3
料号：JTG2-17584
包装：
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状态： 在售
型号： DTC044TMT2L
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):70mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 5mA，10V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
2集电极-最大电流(ic)：-
3集射极-击穿最大电流：-
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：-
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
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最大功率值：-
外壳：SOT-723
封装：VMT3
料号：JTG2-17585
包装：
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DTA143TMFHAT2L
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DIGITAL TRANSISTOR PNP 50V 100MA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):70mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 5mA，10V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO）
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：4.7 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：4.7 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：150mW
外壳：SOT-723
封装：VMT3
料号：JTG2-18839
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： DTA013ZEBTL
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 0.15W SC89
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):70mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 5mA，10V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：1 kOhms
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：10 kOhms
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：150mW
外壳：SC-89，SOT-490
封装：EMT3F
料号：JTG2-17586
包装： 3000个/
￥0.42 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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最小起订:
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DTA024XUBTL
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 0.2W UMT3F
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):70mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 5mA，10V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：-
2集电极-最大电流(ic)：-
3集射极-击穿最大电流：-
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：-
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
6频率-跃迁：-
最大功率值：-
外壳：SC-85
封装：UMT3F
料号：JTG2-17587
包装：
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状态： 在售
型号： DTC024XMT2L
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 0.15W VMT3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):70mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 5mA，10V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):60mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):100 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):100 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：NPN - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：50mA
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5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：47 kOhms
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最大功率值：150mW
外壳：SOT-723
封装：VMT3
料号：JTG2-17588
包装： 8000个/
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状态： 在售
型号： DTA014TUBTL
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):70mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):47 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 5mA，10V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 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预偏压 *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):1 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿最大电流:- *4电阻器-基底(r1)(欧姆):- *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):22 kOhms *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，5mA 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP - 预偏压 *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿最大电流:50V *4电阻器-基底(r1)(欧姆):10k *5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆):- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 5mA，10V 不同?ib,ic时的vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO）
1晶体管类型：PNP - 预偏压
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿最大电流：50V
4电阻器-基底(r1)(欧姆)：10k
5电阻器-发射极基底(r2)(欧姆)：-
6频率-跃迁：250MHz
最大功率值：200mW
外壳：SC-85
封装：UMT3F
料号：JTG2-17589
包装： 带卷（TR）
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合作现货:0
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