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*晶体管类型

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*电压 - 集射极击穿（最大值）

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*频率 - 跃迁

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噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

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*增益

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*功率 - 最大值

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不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： BFS17WH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT323-3
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：1.4GHz
4增益：-
5最大功率值 ：280mW
6集电极-最大电流(ic)：25mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：PG-SOT323-3
料号：JTG3-3321
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFS17WH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS17WH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS17WH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS17WH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BFP460E6327HTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.8V *3频率-跃迁:22GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz *4增益:12.5dB ~ 26.5dB *5最大功率值 :230mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，3V *6集电极-最大电流(ic):70mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：5.8V
3频率-跃迁：22GHz
4增益：12.5dB ~ 26.5dB
5最大功率值 ：230mW
6集电极-最大电流(ic)：70mA
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：PG-SOT343-4
料号：JTG3-3322
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFP460E6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP460E6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP460E6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP460E6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BFP843FH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF TRANS NPN 2.25V TSFP-4-1
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.8V *3频率-跃迁:22GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz *4增益:12.5dB ~ 26.5dB *5最大功率值 :230mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，3V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 25dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：2.25V
3频率-跃迁：-
4增益：13.5dB ~ 25dB
5最大功率值 ：125mW
6集电极-最大电流(ic)：55mA
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：SOT-343
料号：JTG3-3323
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFP843FH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP843FH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP843FH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： BFP843H6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF TRANS NPN 2.25V SOT343
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.8V *3频率-跃迁:22GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz *4增益:12.5dB ~ 26.5dB *5最大功率值 :230mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，3V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 25dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 24.5dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：2.25V
3频率-跃迁：-
4增益：13.5dB ~ 24.5dB
5最大功率值 ：125mW
6集电极-最大电流(ic)：55mA
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：SOT-343
料号：JTG3-3324
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFP843H6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP843H6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP843H6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP843H6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BFU520YX
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.8V *3频率-跃迁:22GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz *4增益:12.5dB ~ 26.5dB *5最大功率值 :230mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，3V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 25dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 24.5dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.65dB @ 900MHz *4增益:19dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：2 NPN（双）
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：10GHz
4增益：19dB
5最大功率值 ：450mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG3-3325
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFU520YX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFU520YX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFU520YX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFU520YX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BFU550R
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.8V *3频率-跃迁:22GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz *4增益:12.5dB ~ 26.5dB *5最大功率值 :230mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，3V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 25dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 24.5dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.65dB @ 900MHz *4增益:19dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB @ 900MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 15mA，8V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：11GHz
4增益：21dB
5最大功率值 ：450mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-253-4，TO-253AA
封装：SOT-143B
料号：JTG3-3326
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFU550R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFU550R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFU550R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFU550R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MAPRST0912-50
品牌： MACOM/镁可微波 M/A-Com Technology Solutions 镁可微波技术
描述： RF TRANS NPN 65V
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.8V *3频率-跃迁:22GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz *4增益:12.5dB ~ 26.5dB *5最大功率值 :230mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，3V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 25dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 24.5dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.65dB @ 900MHz *4增益:19dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB @ 900MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 15mA，8V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.16dB ~ 10.25dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):5.3A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：-
4增益：10.16dB ~ 10.25dB
5最大功率值 ：50W
6集电极-最大电流(ic)：5.3A
外壳：-
封装：-
料号：JTG3-3327
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAPRST0912-50' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MACOM/镁可微波' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAPRST0912-50' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAPRST0912-50' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAPRST0912-50' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BFP520H6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ SOT343-4
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.8V *3频率-跃迁:22GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz *4增益:12.5dB ~ 26.5dB *5最大功率值 :230mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，3V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 25dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 24.5dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.65dB @ 900MHz *4增益:19dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB @ 900MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 15mA，8V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.16dB ~ 10.25dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):5.3A 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.95dB @ 1.8GHz *4增益:22.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：3.5V
3频率-跃迁：45GHz
4增益：22.5dB
5最大功率值 ：100mW
6集电极-最大电流(ic)：40mA
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：PG-SOT343-4
料号：JTG3-3328
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFP520H6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP520H6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP520H6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP520H6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MMBTH10LT3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.8V *3频率-跃迁:22GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz *4增益:12.5dB ~ 26.5dB *5最大功率值 :230mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，3V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 25dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 24.5dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.65dB @ 900MHz *4增益:19dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB @ 900MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 15mA，8V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.16dB ~ 10.25dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):5.3A 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.95dB @ 1.8GHz *4增益:22.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):-
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：25V
3频率-跃迁：650MHz
4增益：-
5最大功率值 ：225mW
6集电极-最大电流(ic)：-
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG3-3329
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBTH10LT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBTH10LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBTH10LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBTH10LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： MMBTH10M3T5G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.8V *3频率-跃迁:22GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz *4增益:12.5dB ~ 26.5dB *5最大功率值 :230mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，3V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 25dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 24.5dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.65dB @ 900MHz *4增益:19dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB @ 900MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 15mA，8V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.16dB ~ 10.25dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):5.3A 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.95dB @ 1.8GHz *4增益:22.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :265mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):-
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：25V
3频率-跃迁：650MHz
4增益：-
5最大功率值 ：265mW
6集电极-最大电流(ic)：-
外壳：SOT-723
封装：SOT-723
料号：JTG3-3330
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBTH10M3T5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBTH10M3T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 15GN03FA-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN VHF-UHF 70A 10V SSFP
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.8V *3频率-跃迁:22GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz *4增益:12.5dB ~ 26.5dB *5最大功率值 :230mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，3V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 25dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 24.5dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.65dB @ 900MHz *4增益:19dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB @ 900MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 15mA，8V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.16dB ~ 10.25dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):5.3A 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.95dB @ 1.8GHz *4增益:22.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :265mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):-
1晶体管类型：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
3频率-跃迁：-
4增益：-
5最大功率值 ：-
6集电极-最大电流(ic)：-
外壳：3-SMD，扁平引线
封装：3-SSFP
料号：JTG3-3331
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '15GN03FA-TL-H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '15GN03FA-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '15GN03FA-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '15GN03FA-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 15GN01CA-TB-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3CP
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.8V *3频率-跃迁:22GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz *4增益:12.5dB ~ 26.5dB *5最大功率值 :230mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，3V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 25dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 24.5dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.65dB @ 900MHz *4增益:19dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB @ 900MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 15mA，8V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.16dB ~ 10.25dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):5.3A 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.95dB @ 1.8GHz *4增益:22.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :265mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：8V
3频率-跃迁：1.5GHz
4增益：-
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：3-CP
料号：JTG3-3332
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '15GN01CA-TB-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '15GN01CA-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '15GN01CA-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '15GN01CA-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 15GN01MA-TL-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3MCP
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.8V *3频率-跃迁:22GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz *4增益:12.5dB ~ 26.5dB *5最大功率值 :230mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，3V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 25dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 24.5dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.65dB @ 900MHz *4增益:19dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB @ 900MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 15mA，8V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.16dB ~ 10.25dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):5.3A 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.95dB @ 1.8GHz *4增益:22.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :265mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：8V
3频率-跃迁：1.5GHz
4增益：-
5最大功率值 ：400mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：3-SMD，鸥翼型
封装：3-MCP
料号：JTG3-3333
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '15GN01MA-TL-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 15GN03CA-TB-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.8V *3频率-跃迁:22GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz *4增益:12.5dB ~ 26.5dB *5最大功率值 :230mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，3V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 25dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 24.5dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.65dB @ 900MHz *4增益:19dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB @ 900MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 15mA，8V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.16dB ~ 10.25dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):5.3A 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.95dB @ 1.8GHz *4增益:22.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :265mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 0.4GHz *4增益:13dB @ 0.4GHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：1.5GHz
4增益：13dB @ 0.4GHz
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：70mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：3-CP
料号：JTG3-3334
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '15GN03CA-TB-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '15GN03CA-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '15GN03CA-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '15GN03CA-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 15GN03MA-TL-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3MCP
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.8V *3频率-跃迁:22GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz *4增益:12.5dB ~ 26.5dB *5最大功率值 :230mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，3V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 25dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 24.5dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.65dB @ 900MHz *4增益:19dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB @ 900MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 15mA，8V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.16dB ~ 10.25dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):5.3A 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.95dB @ 1.8GHz *4增益:22.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :265mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 0.4GHz *4增益:13dB @ 0.4GHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 0.4GHz *4增益:13dB @ 0.4GHz *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：1.5GHz
4增益：13dB @ 0.4GHz
5最大功率值 ：400mW
6集电极-最大电流(ic)：70mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：3-MCP
料号：JTG3-3335
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '15GN03MA-TL-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '15GN03MA-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '15GN03MA-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： DMC506E20R
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： RF TRANS 2 NPN 20V 650MHZ SOT363
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.8V *3频率-跃迁:22GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz *4增益:12.5dB ~ 26.5dB *5最大功率值 :230mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，3V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 25dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 24.5dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.65dB @ 900MHz *4增益:19dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB @ 900MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 15mA，8V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.16dB ~ 10.25dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):5.3A 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.95dB @ 1.8GHz *4增益:22.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :265mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 0.4GHz *4增益:13dB @ 0.4GHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 0.4GHz *4增益:13dB @ 0.4GHz *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 100MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA
1晶体管类型：2 NPN（双）
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：650MHz
4增益：24dB
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：15mA
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG3-3336
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC506E20R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC506E20R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC506E20R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC506E20R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MCH4020-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.8V *3频率-跃迁:22GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz *4增益:12.5dB ~ 26.5dB *5最大功率值 :230mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，3V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 25dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 24.5dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.65dB @ 900MHz *4增益:19dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB @ 900MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 15mA，8V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.16dB ~ 10.25dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):5.3A 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.95dB @ 1.8GHz *4增益:22.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :265mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 0.4GHz *4增益:13dB @ 0.4GHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 0.4GHz *4增益:13dB @ 0.4GHz *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 100MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17.5dB @ 1GHz *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：8V
3频率-跃迁：16GHz
4增益：17.5dB @ 1GHz
5最大功率值 ：400mW
6集电极-最大电流(ic)：150mA
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：4-MCPH
料号：JTG3-3337
包装：
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合作现货:0
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型号： 55GN01FA-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3SSFP
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.8V *3频率-跃迁:22GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz *4增益:12.5dB ~ 26.5dB *5最大功率值 :230mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，3V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 25dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 24.5dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.65dB @ 900MHz *4增益:19dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB @ 900MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 15mA，8V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.16dB ~ 10.25dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):5.3A 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.95dB @ 1.8GHz *4增益:22.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :265mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 0.4GHz *4增益:13dB @ 0.4GHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 0.4GHz *4增益:13dB @ 0.4GHz *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 100MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17.5dB @ 1GHz *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:4.5GHz ~ 5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：4.5GHz ~ 5.5GHz
4增益：11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz
5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：70mA
外壳：SC-81
封装：3-SSFP
料号：JTG3-3338
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '55GN01FA-TL-H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '55GN01FA-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '55GN01FA-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '55GN01FA-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 55GN01MA-TL-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.8V *3频率-跃迁:22GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz *4增益:12.5dB ~ 26.5dB *5最大功率值 :230mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，3V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 25dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 24.5dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.65dB @ 900MHz *4增益:19dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB @ 900MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 15mA，8V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.16dB ~ 10.25dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):5.3A 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.95dB @ 1.8GHz *4增益:22.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :265mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 0.4GHz *4增益:13dB @ 0.4GHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 0.4GHz *4增益:13dB @ 0.4GHz *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 100MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17.5dB @ 1GHz *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:4.5GHz ~ 5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:4.5GHz ~ 5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:10dB @ 1GHz *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：4.5GHz ~ 5.5GHz
4增益：10dB @ 1GHz
5最大功率值 ：400mW
6集电极-最大电流(ic)：70mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：3-MCP
料号：JTG3-3339
包装：
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合作现货:0
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型号： MCH4014-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.8V *3频率-跃迁:22GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz *4增益:12.5dB ~ 26.5dB *5最大功率值 :230mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，3V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 25dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.25V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz *4增益:13.5dB ~ 24.5dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 15mA，1.8V *6集电极-最大电流(ic):55mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.65dB @ 900MHz *4增益:19dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB @ 900MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 15mA，8V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.16dB ~ 10.25dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):5.3A 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.95dB @ 1.8GHz *4增益:22.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :265mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 0.4GHz *4增益:13dB @ 0.4GHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 0.4GHz *4增益:13dB @ 0.4GHz *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 100MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17.5dB @ 1GHz *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:4.5GHz ~ 5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:4.5GHz ~ 5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:10dB @ 1GHz *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:18dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：10GHz
4增益：18dB
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：4-SMD，扁平引线
封装：4-MCPH
料号：JTG3-3340
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCH4014-TL-H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH4014-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH4014-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH4014-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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