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元器件型号：1346 件
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*晶体管类型

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*频率 - 跃迁

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噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

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*增益

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： CPH6021-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 12V 10GHZ 6CPH
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:14dB @ 1GHz *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：10GHz
4增益：14dB @ 1GHz
5最大功率值 ：700mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：SC-74，SOT-457
封装：6-CPH
料号：JTG3-3401
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPH6021-TL-H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPH6021-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPH6021-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPH6021-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BFS25A,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS NPN 5V 5GHZ SOT323-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:14dB @ 1GHz *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :32mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：5V
3频率-跃迁：5GHz
4增益：-
5最大功率值 ：32mW
6集电极-最大电流(ic)：6.5mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG3-3402
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFS25A,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS25A,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS25A,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS25A,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2SC5347AF-TD-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:14dB @ 1GHz *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :32mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:8dB *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：4.7GHz
4增益：8dB
5最大功率值 ：1.3W
6集电极-最大电流(ic)：150mA
外壳：TO-243AA
封装：PCP
料号：JTG3-3403
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SC5347AF-TD-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5347AF-TD-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5347AF-TD-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5347AF-TD-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BFP620H7764XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT343-4
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:14dB @ 1GHz *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :32mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:8dB *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *4增益:21.5dB *5最大功率值 :185mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 50mA，1.5V *6集电极-最大电流(ic):80mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：2.8V
3频率-跃迁：65GHz
4增益：21.5dB
5最大功率值 ：185mW
6集电极-最大电流(ic)：80mA
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：PG-SOT343-4
料号：JTG3-3404
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFP620H7764XTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP620H7764XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP620H7764XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP620H7764XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2SC5245A-4-TL-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3MCP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:14dB @ 1GHz *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :32mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:8dB *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *4增益:21.5dB *5最大功率值 :185mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 50mA，1.5V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：10dB
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：3-MCP
料号：JTG3-3405
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SC5245A-4-TL-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5245A-4-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5245A-4-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5245A-4-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CPH6020-TL-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 8V 16GHZ 6CPH
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:14dB @ 1GHz *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :32mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:8dB *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *4增益:21.5dB *5最大功率值 :185mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 50mA，1.5V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：8V
3频率-跃迁：16GHz
4增益：13.5dB
5最大功率值 ：700mW
6集电极-最大电流(ic)：150mA
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：6-CPH
料号：JTG3-3406
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPH6020-TL-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPH6020-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPH6020-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPH6020-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2SC5374A-TL-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 10V 5.2GHZ SMCP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:14dB @ 1GHz *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :32mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:8dB *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *4增益:21.5dB *5最大功率值 :185mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 50mA，1.5V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:10.5dB @ 1GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：5.2GHz
4增益：10.5dB @ 1GHz
5最大功率值 ：100mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：SC-75，SOT-416
封装：SMCP
料号：JTG3-3407
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SC5374A-TL-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5374A-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BFS17NQTA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:14dB @ 1GHz *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :32mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:8dB *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *4增益:21.5dB *5最大功率值 :185mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 50mA，1.5V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:10.5dB @ 1GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):11V *3频率-跃迁:3.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：11V
3频率-跃迁：3.2GHz
4增益：-
5最大功率值 ：310mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG3-3408
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFS17NQTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS17NQTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS17NQTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS17NQTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AT-32063-BLKG
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： RF TRANS 2 NPN 5.5V SOT363
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:14dB @ 1GHz *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :32mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:8dB *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *4增益:21.5dB *5最大功率值 :185mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 50mA，1.5V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:10.5dB @ 1GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):11V *3频率-跃迁:3.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA
1晶体管类型：2 NPN（双）
2集射极击穿-最大电压(V)：5.5V
3频率-跃迁：-
4增益：12.5dB ~ 14.5dB
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：32mA
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG3-3409
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AT-32063-BLKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-32063-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-32063-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： AT-32063-TR2G
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： RF TRANS 2 NPN 5.5V SOT363
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:14dB @ 1GHz *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :32mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:8dB *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *4增益:21.5dB *5最大功率值 :185mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 50mA，1.5V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:10.5dB @ 1GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):11V *3频率-跃迁:3.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA
1晶体管类型：2 NPN（双）
2集射极击穿-最大电压(V)：5.5V
3频率-跃迁：-
4增益：12.5dB ~ 14.5dB
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：32mA
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG3-3410
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AT-32063-TR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： 2SC5277A-2-TL-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 10V 8GHZ SMCP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:14dB @ 1GHz *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :32mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:8dB *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *4增益:21.5dB *5最大功率值 :185mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 50mA，1.5V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:10.5dB @ 1GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):11V *3频率-跃迁:3.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz *4增益:10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz
5最大功率值 ：100mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：SC-75，SOT-416
封装：SMCP
料号：JTG3-3411
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SC5277A-2-TL-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5277A-2-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5277A-2-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 2SC5415AE-TD-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:14dB @ 1GHz *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :32mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:8dB *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *4增益:21.5dB *5最大功率值 :185mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 50mA，1.5V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:10.5dB @ 1GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):11V *3频率-跃迁:3.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz *4增益:10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：6.7GHz
4增益：9dB
5最大功率值 ：800mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：TO-243AA
封装：PCP
料号：JTG3-3412
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SC5415AE-TD-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5415AE-TD-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5415AE-TD-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5415AE-TD-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2SC5415AF-TD-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:14dB @ 1GHz *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :32mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:8dB *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *4增益:21.5dB *5最大功率值 :185mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 50mA，1.5V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:10.5dB @ 1GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):11V *3频率-跃迁:3.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz *4增益:10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：6.7GHz
4增益：9dB
5最大功率值 ：800mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：TO-243AA
封装：PCP
料号：JTG3-3413
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SC5415AF-TD-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5415AF-TD-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BFU520YF
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:14dB @ 1GHz *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :32mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:8dB *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *4增益:21.5dB *5最大功率值 :185mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 50mA，1.5V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:10.5dB @ 1GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):11V *3频率-跃迁:3.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz *4增益:10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1.8GHz *4增益:14dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：2 NPN（双）
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：10GHz
4增益：14dB
5最大功率值 ：450mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
封装：5-TSSOP
料号：JTG3-3414
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFU520YF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFU520YF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFU520YF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFU520YF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FH102A-TR-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ 6MCP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:14dB @ 1GHz *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :32mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:8dB *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *4增益:21.5dB *5最大功率值 :185mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 50mA，1.5V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:10.5dB @ 1GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):11V *3频率-跃迁:3.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz *4增益:10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1.8GHz *4增益:14dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA
1晶体管类型：2 NPN（双）
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：7GHz
4增益：12dB
5最大功率值 ：500mW
6集电极-最大电流(ic)：70mA
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-MCP
料号：JTG3-3415
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FH102A-TR-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FH102A-TR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FH102A-TR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FH102A-TR-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FH105A-TR-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 10V 8GHZ 6MCP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:14dB @ 1GHz *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :32mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:8dB *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *4增益:21.5dB *5最大功率值 :185mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 50mA，1.5V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:10.5dB @ 1GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):11V *3频率-跃迁:3.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz *4增益:10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1.8GHz *4增益:14dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1.5GHz *4增益:10dB @ 1.5GHz *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:0.95 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：10dB @ 1.5GHz
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-MCP
料号：JTG3-3416
包装：
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合作现货:0
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型号： BFT93W,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS PNP 12V 4GHZ SOT323-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:14dB @ 1GHz *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :32mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:8dB *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *4增益:21.5dB *5最大功率值 :185mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 50mA，1.5V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:10.5dB @ 1GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):11V *3频率-跃迁:3.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz *4增益:10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1.8GHz *4增益:14dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1.5GHz *4增益:10dB @ 1.5GHz *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:0.95 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：PNP
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：4GHz
4增益：-
5最大功率值 ：300mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG3-3417
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFT93W,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFT93W,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFT93W,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFT93W,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BFG520W/X,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SO
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:14dB @ 1GHz *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :32mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:8dB *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *4增益:21.5dB *5最大功率值 :185mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 50mA，1.5V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:10.5dB @ 1GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):11V *3频率-跃迁:3.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz *4增益:10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1.8GHz *4增益:14dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1.5GHz *4增益:10dB @ 1.5GHz *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:0.95 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 20mA，6V *6集电极-最大电流(ic):70mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：9GHz
4增益：-
5最大功率值 ：500mW
6集电极-最大电流(ic)：70mA
外壳：SOT-343 反向插针
封装：4-SO
料号：JTG3-3418
包装：
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合作现货:0
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型号： BFG520,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:14dB @ 1GHz *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :32mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:8dB *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *4增益:21.5dB *5最大功率值 :185mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 50mA，1.5V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:10.5dB @ 1GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):11V *3频率-跃迁:3.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz *4增益:10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1.8GHz *4增益:14dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1.5GHz *4增益:10dB @ 1.5GHz *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:0.95 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 20mA，6V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 20mA，6V *6集电极-最大电流(ic):70mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：9GHz
4增益：-
5最大功率值 ：300mW
6集电极-最大电流(ic)：70mA
外壳：TO-253-4，TO-253AA
封装：SOT-143B
料号：JTG3-3419
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFG520,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFG520,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BFG520,235
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:14dB @ 1GHz *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :32mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:8dB *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:135 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *4增益:21.5dB *5最大功率值 :185mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 50mA，1.5V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:10.5dB @ 1GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):11V *3频率-跃迁:3.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz *4增益:12.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，2.7V *6集电极-最大电流(ic):32mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz *4增益:10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1.8GHz *4增益:14dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1.5GHz *4增益:10dB @ 1.5GHz *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:0.95 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 20mA，6V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 20mA，6V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 20mA，6V *6集电极-最大电流(ic):70mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：9GHz
4增益：-
5最大功率值 ：300mW
6集电极-最大电流(ic)：70mA
外壳：TO-253-4，TO-253AA
封装：SOT-143B
料号：JTG3-3420
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFG520,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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