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元器件型号：1346 件
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*晶体管类型

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*电压 - 集射极击穿（最大值）

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*频率 - 跃迁

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噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

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*增益

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： BFS17A,235
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 2.8GHZ TO236AB
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：2.8GHz
4增益：-
5最大功率值 ：300mW
6集电极-最大电流(ic)：25mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG3-3421
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFS17A,235' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS17A,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS17A,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS17A,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BFS17A,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 2.8GHZ TO236AB
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：2.8GHz
4增益：-
5最大功率值 ：300mW
6集电极-最大电流(ic)：25mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG3-3422
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFS17A,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS17A,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS17A,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS17A,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2SC5551AE-TD-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:3.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：30V
3频率-跃迁：3.5GHz
4增益：-
5最大功率值 ：1.3W
6集电极-最大电流(ic)：300mA
外壳：TO-243AA
封装：PCP
料号：JTG3-3423
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SC5551AE-TD-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5551AE-TD-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5551AE-TD-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5551AE-TD-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NE85618-T1-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT343
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:3.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：6.5GHz
4增益：13dB
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：SOT-343
料号：JTG3-3424
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE85618-T1-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE85618-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE85618-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE85618-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NE85639-T1-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:3.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：9GHz
4增益：13dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：TO-253-4，TO-253AA
封装：SOT-143
料号：JTG3-3425
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE85639-T1-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE85639-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE85639-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： 2SC5011-T1-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT343
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:3.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：6.5GHz
4增益：13dB
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：SOT-343
料号：JTG3-3426
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SC5011-T1-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5011-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5011-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5011-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NE85630-T1-R24-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:3.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
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5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG3-3427
包装：
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品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:3.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:125 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
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4增益：9dB
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6集电极-最大电流(ic)：100mA
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封装：SOT-323
料号：JTG3-3428
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描述： RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:3.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:125 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
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5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG3-3429
包装： 圆盘
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参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:3.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:125 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA
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2集射极击穿-最大电压(V)：12V
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4增益：11.5dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG3-3430
包装： 圆盘
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型号： 2SC3356-T1B-R24-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:3.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:125 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
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5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG3-3431
包装： 圆盘
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型号： 2SC3356-T1B-R25-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:3.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:125 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
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外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG3-3432
包装： 圆盘
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型号： NE85639-T1-R27-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:3.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:125 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：9GHz
4增益：13dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：TO-253-4，TO-253AA
封装：SOT-143
料号：JTG3-3433
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE85639-T1-R27-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NE85639-T1-R28-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:3.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:125 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：9GHz
4增益：13dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：TO-253-4，TO-253AA
封装：SOT-143
料号：JTG3-3434
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE85639-T1-R28-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： NE68719-T1
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 3V 11GHZ 3SMINMOLD
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:3.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:125 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :90mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：3V
3频率-跃迁：11GHz
4增益：-
5最大功率值 ：90mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：SOT-523
封装：3 针 SUPERMINIMOLD（19）
料号：JTG3-3435
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE68719-T1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE68719-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE68719-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE68719-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NE68130-T1-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT323
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:3.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:125 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :90mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):65mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：7GHz
4增益：9dB
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：65mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG3-3436
包装：
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合作现货:0
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型号： 2SC3583-T1B-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:3.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:125 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :90mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，8V *6集电极-最大电流(ic):65mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：9GHz
4增益：13dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：65mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG3-3437
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SC3583-T1B-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC3583-T1B-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC3583-T1B-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC3583-T1B-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NE68133-T1B-R33-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:3.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:125 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :90mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，8V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，8V *6集电极-最大电流(ic):65mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：9GHz
4增益：13dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：65mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG3-3438
包装： 圆盘
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： NE68133-T1B-R34-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:3.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:125 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :90mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，8V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，8V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，8V *6集电极-最大电流(ic):65mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：9GHz
4增益：13dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：65mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG3-3439
包装： 圆盘
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型号： NE68133-T1B-R35-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 800MHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:3.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:125 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3V *3频率-跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :90mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:9dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，8V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，8V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，8V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:125 @ 20mA，8V *6集电极-最大电流(ic):65mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：9GHz
4增益：13dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：65mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG3-3440
包装： 圆盘
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海外现货:0
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