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元器件型号：1346 件
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*晶体管类型

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*电压 - 集射极击穿（最大值）

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*频率 - 跃迁

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噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

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*增益

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*功率 - 最大值

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不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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电流 - 集电极（ic）（最大值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： LM3046M/NOPB
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC TRANSISTOR ARRAY 14-SOIC
参数： 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:表面贴装
1晶体管类型：5 NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：-
4增益：-
5最大功率值 ：750mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOICN
料号：JTG3-3061
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LM3046M/NOPB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM3046M/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM3046M/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM3046M/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MPSH81
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92
参数： 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型：PNP
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：-
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92
料号：JTG3-3062
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPSH81' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPSH81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPSH81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPSH81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2N4427
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： RF TRANS NPN 20V 500MHZ TO39
参数： 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：500MHz
4增益：10dB
5最大功率值 ：1W
6集电极-最大电流(ic)：400mA
外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
封装：TO-39
料号：JTG3-3063
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N4427' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4427' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4427' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4427' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2N5109
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39
参数： 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :2.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，15V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:- 安装类型:通孔
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：1.2GHz
4增益：12dB
5最大功率值 ：2.5W
6集电极-最大电流(ic)：400mA
外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
封装：TO-39
料号：JTG3-3064
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5109' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5109' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5109' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5109' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MAX2601ESA+
品牌： ADI(Maxim美信)/亚德诺 Maxim 美信
描述： RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC
参数： 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :2.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，15V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：1GHz
4增益：11.6dB
5最大功率值 ：6.4W
6集电极-最大电流(ic)：1.2A
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)裸焊盘
封装：8-SOIC 裸露焊盘
料号：JTG3-3065
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAX2601ESA+' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI(Maxim美信)/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX2601ESA+' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX2601ESA+' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX2601ESA+' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MAX2602ESA+
品牌： ADI(Maxim美信)/亚德诺 Maxim 美信
描述： RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC
参数： 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :2.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，15V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：1GHz
4增益：11.6dB
5最大功率值 ：6.4W
6集电极-最大电流(ic)：1.2A
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)裸焊盘
封装：8-SOIC 裸露焊盘
料号：JTG3-3066
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAX2602ESA+' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI(Maxim美信)/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX2602ESA+' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX2602ESA+' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX2602ESA+' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2N5179
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72
参数： 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :2.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，15V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:200MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:20dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:- 安装类型:通孔
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：200MHz
4增益：20dB
5最大功率值 ：300mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-206AF，TO-72-4 金属罐
封装：TO-72
料号：JTG3-3067
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5179' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： 2N918
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS RF NPN 15V 50MA TO-72
参数： 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :2.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，15V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:200MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:20dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60kHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:通孔
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：-
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-206AF，TO-72-4 金属罐
封装：TO-72
料号：JTG3-3068
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N918' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N918' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BFY90
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS NPN 30V TO72
参数： 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :2.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，15V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:200MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:20dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60kHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.5dB @ 800MHz *4增益:23dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度: 安装类型:通孔
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：1.4GHz
4增益：23dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：25mA
外壳：TO-206AF，TO-72-4 金属罐
封装：TO-72
料号：JTG3-3069
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFY90' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFY90' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFY90' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFY90' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CM5160
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS PNP 60V 0.4A TO39
参数： 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :2.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，15V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:200MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:20dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60kHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.5dB @ 800MHz *4增益:23dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度: 安装类型:通孔
1晶体管类型：PNP
2集射极击穿-最大电压(V)：40V
3频率-跃迁：500MHz
4增益：-
5最大功率值 ：1W
6集电极-最大电流(ic)：400mA
外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
封装：TO-39
料号：JTG3-3070
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CM5160' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CM5160' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CM5160' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CM5160' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： HFA3046BZ
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC
参数： 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :2.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，15V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:200MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:20dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60kHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.5dB @ 800MHz *4增益:23dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：5 NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：-
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：65mA
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOICN
料号：JTG3-3071
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HFA3046BZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3046BZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3046BZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3046BZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MRF904
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 15V 4GHZ TO72
参数： 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :2.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，15V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:200MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:20dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60kHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.5dB @ 800MHz *4增益:23dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 450MHz *4增益:6.5dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：4GHz
4增益：6.5dB ~ 10.5dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：TO-206AF，TO-72-4 金属罐
封装：TO-72
料号：JTG3-3072
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF904' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF904' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF904' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF904' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MRF1000MB
品牌： MACOM/镁可微波 M/A-Com Technology Solutions 镁可微波技术
描述： RF TRANS NPN 20V 332A-03
参数： 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :2.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，15V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:200MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:20dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60kHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.5dB @ 800MHz *4增益:23dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 450MHz *4增益:6.5dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.7dB ~ 12dB *5最大功率值 :0.7W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 工作温度:- 安装类型:底座安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：-
4增益：10.7dB ~ 12dB
5最大功率值 ：0.7W
6集电极-最大电流(ic)：200mA
外壳：332A-02
封装：332A-03，2 型
料号：JTG3-3073
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF1000MB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MACOM/镁可微波' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1000MB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1000MB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF1000MB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： KST10MTF
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
参数： 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :2.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，15V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:200MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:20dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60kHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.5dB @ 800MHz *4增益:23dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 450MHz *4增益:6.5dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.7dB ~ 12dB *5最大功率值 :0.7W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：25V
3频率-跃迁：650MHz
4增益：-
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：-
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG3-3074
包装： 圆盘
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MMBT918
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
参数： 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :2.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，15V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:200MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:20dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60kHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.5dB @ 800MHz *4增益:23dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 450MHz *4增益:6.5dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.7dB ~ 12dB *5最大功率值 :0.7W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：15dB
5最大功率值 ：225mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG3-3075
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBT918' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBT918' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBT918' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBT918' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBTH24-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： RF TRANS NPN 40V 400MHZ SOT23-3
参数： 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :2.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，15V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:200MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:20dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60kHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.5dB @ 800MHz *4增益:23dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 450MHz *4增益:6.5dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.7dB ~ 12dB *5最大功率值 :0.7W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：40V
3频率-跃迁：400MHz
4增益：-
5最大功率值 ：300mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG3-3076
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBTH24-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBTH24-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBTH24-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBTH24-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MMBTH10-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
参数： 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :2.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，15V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:200MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:20dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60kHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.5dB @ 800MHz *4增益:23dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 450MHz *4增益:6.5dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.7dB ~ 12dB *5最大功率值 :0.7W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：25V
3频率-跃迁：650MHz
4增益：-
5最大功率值 ：300mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG3-3077
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBTH10-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBTH10-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBTH10-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBTH10-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2SC5066-O,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM
参数： 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :2.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，15V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:200MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:20dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60kHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.5dB @ 800MHz *4增益:23dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 450MHz *4增益:6.5dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.7dB ~ 12dB *5最大功率值 :0.7W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：7GHz
4增益：-
5最大功率值 ：100mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：SC-75，SOT-416
封装：SSM
料号：JTG3-3078
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 2SC4774T106S
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： RF TRANS NPN 6V 800MHZ UMT3
参数： 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :2.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，15V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:200MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:20dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60kHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.5dB @ 800MHz *4增益:23dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 450MHz *4增益:6.5dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.7dB ~ 12dB *5最大功率值 :0.7W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：6V
3频率-跃迁：800MHz
4增益：-
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：UMT3
料号：JTG3-3079
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SC4774T106S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC4774T106S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BFR 193 E6327
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23
参数： 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :2.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，15V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:200MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:20dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60kHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.5dB @ 800MHz *4增益:23dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 工作温度: 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 450MHz *4增益:6.5dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.7dB ~ 12dB *5最大功率值 :0.7W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:10dB ~ 15dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 工作温度: 安装类型:表面贴装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：10dB ~ 15dB
5最大功率值 ：580mW
6集电极-最大电流(ic)：80mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：PG-SOT23-3
料号：JTG3-3080
包装： 圆盘
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海外现货:0
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