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*晶体管类型

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*电压 - 集射极击穿（最大值）

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*频率 - 跃迁

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噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

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*增益

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： BFG424F,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ 4SO
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :135mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：4.5V
3频率-跃迁：25GHz
4增益：23dB
5最大功率值 ：135mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：SOT-343 反向插针
封装：4-SO
料号：JTG3-3701
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFG424F,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFG424F,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFG424F,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFG424F,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BFG310W/XR,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :135mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 2GHz *4增益:18dB *5最大功率值 :60mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):10mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：6V
3频率-跃迁：14GHz
4增益：18dB
5最大功率值 ：60mW
6集电极-最大电流(ic)：10mA
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：CMPAK-4
料号：JTG3-3702
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFG310W/XR,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFG310W/XR,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFG310W/XR,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： BFR93A,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS NPN 12V 6GHZ TO236AB
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :135mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 2GHz *4增益:18dB *5最大功率值 :60mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：6GHz
4增益：-
5最大功率值 ：300mW
6集电极-最大电流(ic)：35mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG3-3703
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFR93A,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR93A,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR93A,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： BFR93A,235
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS NPN 12V 6GHZ TO236AB
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :135mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 2GHz *4增益:18dB *5最大功率值 :60mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：6GHz
4增益：-
5最大功率值 ：300mW
6集电极-最大电流(ic)：35mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：JTG3-3704
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFR93A,235' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR93A,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR93A,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR93A,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BFG591,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :135mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 2GHz *4增益:18dB *5最大功率值 :60mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 70mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：7GHz
4增益：-
5最大功率值 ：2W
6集电极-最大电流(ic)：200mA
外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SC-73
料号：JTG3-3705
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFG591,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFG591,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFG591,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： BFM505,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6TSSOP
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :135mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 2GHz *4增益:18dB *5最大功率值 :60mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 70mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):18mA
1晶体管类型：2 NPN（双）
2集射极击穿-最大电压(V)：8V
3频率-跃迁：9GHz
4增益：-
5最大功率值 ：500mW
6集电极-最大电流(ic)：18mA
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG3-3706
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFM505,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFM505,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFM505,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFM505,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： ZTX325
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :135mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 2GHz *4增益:18dB *5最大功率值 :60mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 70mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):18mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：1.3GHz
4增益：53dB
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：E-LINE-3
封装：E-LINE（TO-92 兼容）
料号：JTG3-3707
包装：
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型号： FMMT918TA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :135mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 2GHz *4增益:18dB *5最大功率值 :60mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 70mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):18mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：15dB
5最大功率值 ：330mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG3-3708
包装： 圆盘
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品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :135mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 2GHz *4增益:18dB *5最大功率值 :60mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 70mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):18mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：1.3GHz
4增益：-
5最大功率值 ：330mW
6集电极-最大电流(ic)：25mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG3-3709
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFS17TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS17TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS17TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： MPSH10
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPNUHF/VHF
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :135mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 2GHz *4增益:18dB *5最大功率值 :60mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 70mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):18mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):60 @ 4mA，10V
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：25V
3频率-跃迁：650MHz
4增益：-
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：60 @ 4mA，10V
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3710
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品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :135mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 2GHz *4增益:18dB *5最大功率值 :60mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 70mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):18mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):60 @ 4mA，10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA
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参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :135mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 2GHz *4增益:18dB *5最大功率值 :60mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 70mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):18mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):60 @ 4mA，10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA
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参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :135mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 2GHz *4增益:18dB *5最大功率值 :60mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 70mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):18mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):60 @ 4mA，10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS17HTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NE46134-T1
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :135mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 2GHz *4增益:18dB *5最大功率值 :60mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 70mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):18mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):60 @ 4mA，10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):250mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：5.5GHz
4增益：-
5最大功率值 ：2W
6集电极-最大电流(ic)：250mA
外壳：TO-243AA
封装：SOT-89
料号：JTG3-3714
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE46134-T1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE46134-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE46134-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE46134-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NE68019-T1
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT523
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :135mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 2GHz *4增益:18dB *5最大功率值 :60mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 70mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):18mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):60 @ 4mA，10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:9.6dB ~ 13.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：10GHz
4增益：9.6dB ~ 13.5dB
5最大功率值 ：100mW
6集电极-最大电流(ic)：35mA
外壳：SOT-523
封装：SOT-523
料号：JTG3-3715
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE68019-T1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE68019-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE68019-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： NE68030-T1
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT323
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :135mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 2GHz *4增益:18dB *5最大功率值 :60mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 70mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):18mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):60 @ 4mA，10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:9.6dB ~ 13.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:5.3dB ~ 12.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 10mA，6V *6集电极-最大电流(ic):35mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：10GHz
4增益：5.3dB ~ 12.5dB
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：35mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG3-3716
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE68030-T1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： NE68119-T1
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3SMINMOLD
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :135mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 2GHz *4增益:18dB *5最大功率值 :60mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 70mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):18mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):60 @ 4mA，10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:9.6dB ~ 13.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:5.3dB ~ 12.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 10mA，6V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:10dB ~ 14dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):65mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：7GHz
4增益：10dB ~ 14dB
5最大功率值 ：100mW
6集电极-最大电流(ic)：65mA
外壳：SOT-523
封装：3 针 SUPERMINIMOLD（19）
料号：JTG3-3717
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE68119-T1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE68119-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE68119-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE68119-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NE68130-T1
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT323
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :135mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 2GHz *4增益:18dB *5最大功率值 :60mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 70mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):18mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):60 @ 4mA，10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:9.6dB ~ 13.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:5.3dB ~ 12.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 10mA，6V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:10dB ~ 14dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:9dB ~ 13.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):65mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：7GHz
4增益：9dB ~ 13.5dB
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：65mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG3-3718
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型号： NE68139-T1
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :135mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 2GHz *4增益:18dB *5最大功率值 :60mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 70mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):18mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):60 @ 4mA，10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:9.6dB ~ 13.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:5.3dB ~ 12.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 10mA，6V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:10dB ~ 14dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:9dB ~ 13.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):65mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：9GHz
4增益：13.5dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：65mA
外壳：TO-253-4，TO-253AA
封装：SOT-143
料号：JTG3-3719
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE68139-T1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE68139-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE68139-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE68139-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NE68519-T1
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :135mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 25mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 2GHz *4增益:18dB *5最大功率值 :60mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 70mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):18mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):60 @ 4mA，10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:9.6dB ~ 13.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 5mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:5.3dB ~ 12.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 10mA，6V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:10dB ~ 14dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:9dB ~ 13.5dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 7mA，3V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:12GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz *4增益:7.5dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：6V
3频率-跃迁：12GHz
4增益：7.5dB
5最大功率值 ：125mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：SOT-523
封装：SOT-523
料号：JTG3-3720
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE68519-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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