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元器件型号：1346 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*晶体管类型

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*电压 - 集射极击穿（最大值）

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*频率 - 跃迁

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噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

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*增益

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*功率 - 最大值

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不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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电流 - 集电极（ic）（最大值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： NE696M01-T1-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT363
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：6V
3频率-跃迁：14GHz
4增益：-
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG3-3761
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE696M01-T1-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE696M01-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE696M01-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE696M01-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NE85639R-T1-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：9GHz
4增益：13.5dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：SOT-143R
封装：SOT-143R
料号：JTG3-3762
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE85639R-T1-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE85639R-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE85639R-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE85639R-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NE94433-T1B-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 15V 2GHZ SOT23
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：2GHz
4增益：-
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG3-3763
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE94433-T1B-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE94433-T1B-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE94433-T1B-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE94433-T1B-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： UPA814T-T1-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：2 NPN（双）
2集射极击穿-最大电压(V)：6V
3频率-跃迁：9GHz
4增益：-
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-SO
料号：JTG3-3764
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UPA814T-T1-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UPA814T-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UPA814T-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UPA814T-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AT-41486-BLK
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：9dB ~ 18dB
5最大功率值 ：500mW
6集电极-最大电流(ic)：60mA
外壳：SOT-86
封装：86 塑料
料号：JTG3-3765
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AT-41486-BLK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-41486-BLK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-41486-BLK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-41486-BLK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MPS3563G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:14dB @ 200MHz *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：1.5GHz
4增益：14dB @ 200MHz
5最大功率值 ：350W
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92
料号：JTG3-3766
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPS3563G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPS3563G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPS3563G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPS3563G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MPS5179G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:14dB @ 200MHz *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
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4增益：-
5最大功率值 ：200mW
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外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3767
包装：
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型号： MPSH10RLRAG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:14dB @ 200MHz *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):-
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5最大功率值 ：350mW
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料号：JTG3-3768
包装：
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型号： MPSH17G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:14dB @ 200MHz *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 200MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):-
1晶体管类型：NPN
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5最大功率值 ：350mW
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封装：TO-92-3
料号：JTG3-3769
包装：
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:14dB @ 200MHz *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 200MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):-
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：25V
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5最大功率值 ：350mW
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外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3770
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPSH10G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： HFA3134IH96
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC TRANSISTOR UHF SOT-23-6
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:14dB @ 200MHz *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 200MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:8.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.4dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:48 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):26mA
1晶体管类型：2 NPN（双）
2集射极击穿-最大电压(V)：9V
3频率-跃迁：8.5GHz
4增益：-
5最大功率值 ：-
6集电极-最大电流(ic)：26mA
外壳：SOT-23-6
封装：SOT-23-6
料号：JTG3-3771
包装： 圆盘
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： HFA3135IH96
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC TRANS ARRAY PNP MATCH SOT23-6
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:14dB @ 200MHz *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 200MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:8.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.4dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:48 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):26mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 PNP（双） *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.2dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):26mA
1晶体管类型：2 PNP（双）
2集射极击穿-最大电压(V)：9V
3频率-跃迁：7GHz
4增益：-
5最大功率值 ：-
6集电极-最大电流(ic)：26mA
外壳：SOT-23-6
封装：SOT-23-6
料号：JTG3-3772
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HFA3135IH96' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3135IH96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3135IH96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3135IH96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NE68833-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 6V 4.5GHZ SOT23
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:14dB @ 200MHz *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 200MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:8.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.4dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:48 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):26mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 PNP（双） *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.2dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):26mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：6V
3频率-跃迁：4.5GHz
4增益：-
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG3-3773
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE68833-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE68833-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： 2SC22950BL
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： RF TRANS NPN 20V 250MHZ MINI3-G1
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:14dB @ 200MHz *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 200MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:8.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.4dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:48 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):26mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 PNP（双） *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.2dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):26mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:250MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.8dB ~ 4dB @ 5MHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：250MHz
4增益：-
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：迷你型3-G1
料号：JTG3-3774
包装： 圆盘
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 2N5770_D75Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 15V TO92-3
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:14dB @ 200MHz *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 200MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:8.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.4dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:48 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):26mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 PNP（双） *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.2dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):26mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:250MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.8dB ~ 4dB @ 5MHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：-
4增益：15dB
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3775
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5770_D75Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5770_D75Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5770_D75Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5770_D75Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BF240
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:14dB @ 200MHz *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 200MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:8.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.4dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:48 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):26mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 PNP（双） *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.2dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):26mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:250MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.8dB ~ 4dB @ 5MHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：40V
3频率-跃迁：1.1GHz
4增益：-
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3776
包装：
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合作现货:0
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型号： 2N5770_D26Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 15V TO92-3
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:14dB @ 200MHz *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 200MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:8.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.4dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:48 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):26mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 PNP（双） *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.2dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):26mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:250MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.8dB ~ 4dB @ 5MHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：-
4增益：15dB
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3777
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BF199
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:14dB @ 200MHz *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 200MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:8.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.4dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:48 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):26mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 PNP（双） *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.2dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):26mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:250MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.8dB ~ 4dB @ 5MHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:38 @ 7mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：25V
3频率-跃迁：1.1GHz
4增益：-
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3778
包装：
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型号： 2N5770_D27Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 15V TO92-3
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:14dB @ 200MHz *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 200MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:8.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.4dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:48 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):26mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 PNP（双） *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.2dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):26mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:250MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.8dB ~ 4dB @ 5MHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:38 @ 7mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：-
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5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3779
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5770_D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5770_D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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个
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： 2N5770_D74Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 15V TO92-3
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.6dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz *4增益:13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:1.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:14dB @ 200MHz *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 200MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN（双） *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:8.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.4dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:48 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):26mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 PNP（双） *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.2dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):26mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:250MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.8dB ~ 4dB @ 5MHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:38 @ 7mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：-
4增益：15dB
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3780
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5770_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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