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元器件型号：1346 件
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*晶体管类型

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*电压 - 集射极击穿（最大值）

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*频率 - 跃迁

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噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

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*增益

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不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 2N3663
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:1.5dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：2.1GHz
4增益：1.5dB
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3781
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N3663' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N3663' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N3663' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N3663' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BF494
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:1.5dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：-
4增益：-
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3782
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF494' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF494' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF494' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BF494_D27Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:1.5dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：-
4增益：-
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3783
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF494_D27Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF494_D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF494_D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BF494_D74Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:1.5dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：-
4增益：-
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3784
包装：
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型号： BF240_D74Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:1.5dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：40V
3频率-跃迁：1.1GHz
4增益：-
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3785
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF240_D74Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF240_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF240_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BF240_ND74Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:1.5dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：40V
3频率-跃迁：1.1GHz
4增益：-
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3786
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF240_ND74Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： BFQ31ATA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:1.5dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
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4增益：-
5最大功率值 ：330mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG3-3787
包装： 圆盘
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型号： BFQ31ATC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:1.5dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA
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封装：SOT-23-3
料号：JTG3-3788
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描述： RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:1.5dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA
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封装：SOT-23-3
料号：JTG3-3789
包装： 圆盘
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参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:1.5dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA
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料号：JTG3-3790
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品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:1.5dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：15dB
5最大功率值 ：330mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG3-3791
包装： 圆盘
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合作现货:0
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型号： FMMTH10TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:1.5dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：25V
3频率-跃迁：650MHz
4增益：-
5最大功率值 ：330mW
6集电极-最大电流(ic)：25mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG3-3792
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMMTH10TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMMTH10TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMMTH10TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMMTH10TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZTX325STOA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:1.5dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：1.3GHz
4增益：53dB
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：E-LINE-3，成型引线
封装：E-LINE（TO-92 兼容）
料号：JTG3-3793
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZTX325STOA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX325STOA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ZTX325STOB
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:1.5dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：1.3GHz
4增益：53dB
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：E-LINE-3，成型引线
封装：E-LINE（TO-92 兼容）
料号：JTG3-3794
包装：
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型号： ZTX325STZ
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:1.5dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：1.3GHz
4增益：53dB
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：E-LINE-3，成型引线
封装：E-LINE（TO-92 兼容）
料号：JTG3-3795
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZTX325STZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX325STZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZTX325STZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： ZUMTS17HTC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT323
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:1.5dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：1.3GHz
4增益：-
5最大功率值 ：330mW
6集电极-最大电流(ic)：25mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG3-3796
包装：
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合作现货:0
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型号： SD1275-01
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： RF TRANS NPN 16V M113
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:1.5dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：16V
3频率-跃迁：-
4增益：9dB
5最大功率值 ：70W
6集电极-最大电流(ic)：8A
外壳：M113
封装：M113
料号：JTG3-3797
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SD1275-01' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1275-01' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1275-01' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SD1405
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： RF TRANS NPN 18V M174
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:1.5dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A
1晶体管类型：NPN
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3频率-跃迁：-
4增益：13dB
5最大功率值 ：270W
6集电极-最大电流(ic)：20A
外壳：M174
封装：M174
料号：JTG3-3798
包装：
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合作现货:0
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型号： SD1433
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： RF TRANS NPN 16V M122
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:1.5dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :58W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：16V
3频率-跃迁：-
4增益：7dB
5最大功率值 ：58W
6集电极-最大电流(ic)：2.5A
外壳：M122
封装：M122
料号：JTG3-3799
包装：
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SD1446
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： RF TRANS NPN 18V M113
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz *4增益:1.5dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 8mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:67 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz *4增益:53dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :58W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :183W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：18V
3频率-跃迁：-
4增益：10dB
5最大功率值 ：183W
6集电极-最大电流(ic)：12A
外壳：M113
封装：M113
料号：JTG3-3800
包装：
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