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元器件型号：1346 件
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*晶体管类型

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*电压 - 集射极击穿（最大值）

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*频率 - 跃迁

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噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

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*增益

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*功率 - 最大值

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不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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电流 - 集电极（ic）（最大值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SD1477
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： RF TRANS NPN 18V M111
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：18V
3频率-跃迁：-
4增益：6dB
5最大功率值 ：270W
6集电极-最大电流(ic)：20A
外壳：M111
封装：M111
料号：JTG3-3801
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SD1477' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1477' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1477' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1477' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SD1488
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： RF TRANS NPN 16V M111
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.8dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：16V
3频率-跃迁：-
4增益：5.8dB
5最大功率值 ：117W
6集电极-最大电流(ic)：8A
外壳：M111
封装：M111
料号：JTG3-3802
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SD1488' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1488' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1488' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1488' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SD1727
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： RF TRANS NPN 55V M164
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.8dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：55V
3频率-跃迁：-
4增益：14dB
5最大功率值 ：233W
6集电极-最大电流(ic)：10A
外壳：M164
封装：M164
料号：JTG3-3803
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SD1727' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1727' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1727' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1727' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SD1728
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： RF TRANS NPN 55V M177
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.8dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB ~ 17dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:23 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：55V
3频率-跃迁：-
4增益：15dB ~ 17dB
5最大功率值 ：330W
6集电极-最大电流(ic)：40A
外壳：M177
封装：M177
料号：JTG3-3804
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SD1728' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1728' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1728' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1728' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SD1731
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： RF TRANS NPN 55V M174
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.8dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB ~ 17dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:23 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):20A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：55V
3频率-跃迁：-
4增益：13dB
5最大功率值 ：233W
6集电极-最大电流(ic)：20A
外壳：M174
封装：M174
料号：JTG3-3805
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SD1731' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1731' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1731' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1731' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AT-41486-BLKG
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.8dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB ~ 17dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:23 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：9dB ~ 18dB
5最大功率值 ：500mW
6集电极-最大电流(ic)：60mA
外壳：SOT-86
封装：86 塑料
料号：JTG3-3806
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AT-41486-BLKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-41486-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-41486-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-41486-BLKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： KST5179MTF
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 12V 900MHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.8dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB ~ 17dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:23 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA
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外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG3-3807
包装： 圆盘
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ SOT23-3
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3频率-跃迁：1.1GHz
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外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
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描述： RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.8dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB ~ 17dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:23 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
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外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG3-3809
包装： 圆盘
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描述： RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.8dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB ~ 17dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:23 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
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5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG3-3810
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSC2757RMTF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： KSC2756OMTF
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 850MHZ SOT23-3
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外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG3-3811
包装： 圆盘
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型号： KSC2755OMTF
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 30V 600MHZ SOT23-3
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外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
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包装： 圆盘
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 30V 600MHZ SOT23-3
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包装： 圆盘
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 850MHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.8dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB ~ 17dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:23 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:850MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz *4增益:15dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 3mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 3mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:850MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz *4增益:15dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：850MHz
4增益：15dB ~ 23dB
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG3-3814
包装： 圆盘
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： KSC2756RMTF
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 850MHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.8dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB ~ 17dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:23 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:850MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz *4增益:15dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 3mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 3mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:850MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz *4增益:15dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:850MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz *4增益:15dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：850MHz
4增益：15dB ~ 23dB
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG3-3815
包装： 圆盘
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC2756RMTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC2756RMTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC2756RMTF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： KSC3123RMTF
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.8dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB ~ 17dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:23 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:850MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz *4增益:15dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 3mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 3mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:850MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz *4增益:15dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:850MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz *4增益:15dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：1.4GHz
4增益：20dB ~ 23dB
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG3-3816
包装： 圆盘
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合作现货:0
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型号： KSC3123OMTF
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.8dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB ~ 17dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:23 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:850MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz *4增益:15dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 3mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 3mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:850MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz *4增益:15dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:850MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz *4增益:15dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：1.4GHz
4增益：20dB ~ 23dB
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG3-3817
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSC3123OMTF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： KSC3123YMTF
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.8dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB ~ 17dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:23 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:850MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz *4增益:15dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 3mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 3mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:850MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz *4增益:15dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:850MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz *4增益:15dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：1.4GHz
4增益：20dB ~ 23dB
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG3-3818
包装： 圆盘
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合作现货:0
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型号： KSC2786YTA
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.8dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB ~ 17dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:23 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:850MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz *4增益:15dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 3mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 3mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:850MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz *4增益:15dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:850MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz *4增益:15dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：18dB ~ 22dB
5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：20mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线）
封装：TO-92S
料号：JTG3-3819
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSC2786YTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC2786YTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： KSC2786OBU
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.8dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB ~ 17dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:23 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:850MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz *4增益:15dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 3mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 3mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:850MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz *4增益:15dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:850MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 200MHz *4增益:15dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 23dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：18dB ~ 22dB
5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：20mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 短体
封装：TO-92S
料号：JTG3-3820
包装：
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海外现货:0
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