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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： KSC2786RBU
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：18dB ~ 22dB
5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：20mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 短体
封装：TO-92S
料号：JTG3-3821
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSC2786RBU' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： KSC2786OTA
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：18dB ~ 22dB
5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：20mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线）
封装：TO-92S
料号：JTG3-3822
包装：
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型号： KSC2786YBU
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：18dB ~ 22dB
5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：20mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 短体
封装：TO-92S
料号：JTG3-3823
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSC2786YBU' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC2786YBU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC2786YBU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： KSC2786RTA
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：18dB ~ 22dB
5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：20mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 短体（成形引线）
封装：TO-92S
料号：JTG3-3824
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSC2786RTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC2786RTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC2786RTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： KSC1393RTA
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：30V
3频率-跃迁：700MHz
4增益：20dB ~ 24dB
5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：20mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3825
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSC1393RTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC1393RTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC1393RTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： KSC1674OBU
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：-
5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：20mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3826
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSC1674OBU' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC1674OBU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： KSC1730YTA
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
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料号：JTG3-3827
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3
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描述： RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3
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6集电极-最大电流(ic)：20mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3829
包装：
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：-
5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：20mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3830
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3
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合作现货:0
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型号： KSC1730OTA
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
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外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3834
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： KSC1674YTA
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA
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2集射极击穿-最大电压(V)：20V
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6集电极-最大电流(ic)：20mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3835
包装：
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型号： KSC1393YTA
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：30V
3频率-跃迁：700MHz
4增益：20dB ~ 24dB
5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：20mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3836
包装：
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合作现货:0
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型号： KSC1674COBU
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：-
5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：20mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3837
包装：
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： KSC1674CYTA
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA
1晶体管类型：NPN
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5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：20mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3838
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型号： KSC1674CYBU
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3
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1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：600MHz
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5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：20mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3839
包装：
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:18dB ~ 22dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 200MHz *4增益:20dB ~ 24dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA
1晶体管类型：NPN
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5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：20mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3840
包装：
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海外现货:0
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