首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 射频-晶体管
元器件型号：1346 件
当前类别共1346 件相关商品

系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

*晶体管类型

清除

*电压 - 集射极击穿（最大值）

清除

*频率 - 跃迁

清除

噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

清除

*增益

清除

*功率 - 最大值

清除

不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

清除

电流 - 集电极（ic）（最大值）

清除

工作温度

清除

安装类型

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 1346
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： KSC1730YBU
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：1.1GHz
4增益：-
5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3841
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSC1730YBU' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC1730YBU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC1730YBU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC1730YBU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： KSC1674RTA
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：-
5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：20mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3842
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSC1674RTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC1674RTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC1674RTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC1674RTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： KSC1674COTA
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：-
5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：20mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3843
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KSC1674COTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC1674COTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC1674COTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KSC1674COTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBT5770
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):10mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：-
5最大功率值 ：225mW
6集电极-最大电流(ic)：10mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：JTG3-3844
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBT5770' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBT5770' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBT5770' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBT5770' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBTH34
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 40V 500MHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：40V
3频率-跃迁：500MHz
4增益：-
5最大功率值 ：225mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG3-3845
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBTH34' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBTH34' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBTH34' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBTH34' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PN918
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：15dB
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3846
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PN918' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN918' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN918' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN918' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FPNH10
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：25V
3频率-跃迁：650MHz
4增益：-
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3847
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FPNH10' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FPNH10' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FPNH10' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FPNH10' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PN5179
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：2GHz
4增益：15dB
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3848
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PN5179' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN5179' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN5179' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PN5179' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MPSH11
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：25V
3频率-跃迁：650MHz
4增益：-
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3849
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPSH11' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPSH11' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPSH11' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPSH11' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CA3127M
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： TRANSISTOR ARRAY NPN 16-SOIC
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 100MHz *4增益:27dB ~ 30dB *5最大功率值 :85mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA
1晶体管类型：5 NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：1.15GHz
4增益：27dB ~ 30dB
5最大功率值 ：85mW
6集电极-最大电流(ic)：20mA
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG3-3850
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CA3127M' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CA3127M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CA3127M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CA3127M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： HFA3046B96
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 100MHz *4增益:27dB ~ 30dB *5最大功率值 :85mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA
1晶体管类型：5 NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：-
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：65mA
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOICN
料号：JTG3-3851
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HFA3046B96' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3046B96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3046B96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3046B96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： HFA3046BZ96
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 100MHz *4增益:27dB ~ 30dB *5最大功率值 :85mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA
1晶体管类型：5 NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：-
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：65mA
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOICN
料号：JTG3-3852
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HFA3046BZ96' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3046BZ96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3046BZ96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3046BZ96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： HFA3096B96
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： RF TRANS NPN/PNP 5.5GHZ 16SOIC
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 100MHz *4增益:27dB ~ 30dB *5最大功率值 :85mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:3 NPN + 2 PNP *2集射极击穿-最大电压(V):12V，15V *3频率-跃迁:8GHz，5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V / 20 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA
1晶体管类型：3 NPN + 2 PNP
2集射极击穿-最大电压(V)：12V，15V
3频率-跃迁：8GHz，5.5GHz
4增益：-
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：65mA
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG3-3853
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HFA3096B96' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3096B96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3096B96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3096B96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： HFA3102B96
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC TRANS ARRAY DUAL NPN 14-SOIC
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 100MHz *4增益:27dB ~ 30dB *5最大功率值 :85mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:3 NPN + 2 PNP *2集射极击穿-最大电压(V):12V，15V *3频率-跃迁:8GHz，5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V / 20 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:6 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:12.4dB ~ 17.5dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：6 NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：10GHz
4增益：12.4dB ~ 17.5dB
5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOICN
料号：JTG3-3854
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HFA3102B96' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3102B96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3102B96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3102B96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： HFA3127B96
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 100MHz *4增益:27dB ~ 30dB *5最大功率值 :85mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:3 NPN + 2 PNP *2集射极击穿-最大电压(V):12V，15V *3频率-跃迁:8GHz，5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V / 20 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:6 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:12.4dB ~ 17.5dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA
1晶体管类型：5 NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：-
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：65mA
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG3-3855
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HFA3127B96' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3127B96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3127B96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3127B96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： HFA3127R
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 100MHz *4增益:27dB ~ 30dB *5最大功率值 :85mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:3 NPN + 2 PNP *2集射极击穿-最大电压(V):12V，15V *3频率-跃迁:8GHz，5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V / 20 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:6 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:12.4dB ~ 17.5dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA
1晶体管类型：5 NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：-
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：65mA
外壳：16-VFQFN 裸露焊盘
封装：16-QFN（3X3）
料号：JTG3-3856
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HFA3127R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3127R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3127R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3127R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： HFA3127R96
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 100MHz *4增益:27dB ~ 30dB *5最大功率值 :85mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:3 NPN + 2 PNP *2集射极击穿-最大电压(V):12V，15V *3频率-跃迁:8GHz，5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V / 20 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:6 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:12.4dB ~ 17.5dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA
1晶体管类型：5 NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：-
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：65mA
外壳：16-VFQFN 裸露焊盘
封装：16-QFN（3X3）
料号：JTG3-3857
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HFA3127R96' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3127R96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3127R96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3127R96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： HFA3128R
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 100MHz *4增益:27dB ~ 30dB *5最大功率值 :85mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:3 NPN + 2 PNP *2集射极击穿-最大电压(V):12V，15V *3频率-跃迁:8GHz，5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V / 20 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:6 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:12.4dB ~ 17.5dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 PNP *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA
1晶体管类型：5 PNP
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：5.5GHz
4增益：-
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：65mA
外壳：16-VFQFN 裸露焊盘
封装：16-QFN（3X3）
料号：JTG3-3858
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HFA3128R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3128R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3128R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3128R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： HFA3128R96
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 100MHz *4增益:27dB ~ 30dB *5最大功率值 :85mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:3 NPN + 2 PNP *2集射极击穿-最大电压(V):12V，15V *3频率-跃迁:8GHz，5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V / 20 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:6 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:12.4dB ~ 17.5dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 PNP *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 PNP *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA
1晶体管类型：5 PNP
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：5.5GHz
4增益：-
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：65mA
外壳：16-VFQFN 裸露焊盘
封装：16-QFN（3X3）
料号：JTG3-3859
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HFA3128R96' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3128R96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3128R96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HFA3128R96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NE94430-T1-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 15V 2GHZ SOT323
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 5dB @ 100MHz *4增益:- *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 100MHz *4增益:27dB ~ 30dB *5最大功率值 :85mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 5mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:3 NPN + 2 PNP *2集射极击穿-最大电压(V):12V，15V *3频率-跃迁:8GHz，5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V / 20 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:6 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:12.4dB ~ 17.5dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 PNP *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 PNP *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):65mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：2GHz
4增益：-
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG3-3860
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE94430-T1-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE94430-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE94430-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE94430-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有1346个记录    每页显示20条，本页821-840条    42/68页    首 页    上一页   38  39  40  41  42  43  44  45  46   下一页    尾 页      
复制成功

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科芯查介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科芯查有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922