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元器件型号：1346 件
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*晶体管类型

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*电压 - 集射极击穿（最大值）

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*频率 - 跃迁

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噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

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*增益

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*功率 - 最大值

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不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： AT-41511-TR2G
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： RF TRANS NPN 12V SOT143
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:11dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：-
4增益：11dB ~ 15.5dB
5最大功率值 ：225mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-253-4，TO-253AA
封装：SOT-143
料号：JTG3-3921
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AT-41511-TR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-41511-TR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-41511-TR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-41511-TR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AT-41533-TR2G
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： RF TRANS NPN 12V SOT23
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:11dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：-
4增益：9dB ~ 14.5dB
5最大功率值 ：225mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG3-3922
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AT-41533-TR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： AT-42086-TR2G
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:11dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 13dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：9dB ~ 13dB
5最大功率值 ：500mW
6集电极-最大电流(ic)：80mA
外壳：SOT-86
封装：86 塑料
料号：JTG3-3923
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AT-42086-TR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-42086-TR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-42086-TR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： AT-41486-TR2G
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:11dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 13dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：9dB ~ 18dB
5最大功率值 ：500mW
6集电极-最大电流(ic)：60mA
外壳：SOT-86
封装：86 塑料
料号：JTG3-3924
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AT-41486-TR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-41486-TR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-41486-TR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： AT-41586-TR2G
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:11dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 13dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:8dB ~ 17dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：8dB ~ 17dB
5最大功率值 ：500mW
6集电极-最大电流(ic)：60mA
外壳：SOT-86
封装：86 塑料
料号：JTG3-3925
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AT-41586-TR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-41586-TR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-41586-TR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-41586-TR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： AT-41532-TR2G
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： RF TRANS NPN 12V SC70-3
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:11dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 13dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:8dB ~ 17dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：-
4增益：9dB ~ 15.5dB
5最大功率值 ：225mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SC-70-3
料号：JTG3-3926
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AT-41532-TR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-41532-TR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-41532-TR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-41532-TR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AT-41486-TR1G
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:11dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 13dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:8dB ~ 17dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：9dB ~ 18dB
5最大功率值 ：500mW
6集电极-最大电流(ic)：60mA
外壳：SOT-86
封装：86 塑料
料号：JTG3-3927
包装：
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品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： RF TRANS NPN 12V 8GHZ 36 MICRO X
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:11dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 13dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:8dB ~ 17dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10dB ~ 13.5dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：10dB ~ 13.5dB
5最大功率值 ：600mW
6集电极-最大电流(ic)：80mA
外壳：4-SMD（36 MICRO-X）
封装：36 MICRO-X
料号：JTG3-3928
包装：
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品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:11dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 13dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:8dB ~ 17dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10dB ~ 13.5dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:8dB ~ 17dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：8dB ~ 17dB
5最大功率值 ：500mW
6集电极-最大电流(ic)：60mA
外壳：SOT-86
封装：86 塑料
料号：JTG3-3929
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AT-41586-TR1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-41586-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-41586-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-41586-TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BF959
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:11dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 13dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:8dB ~ 17dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10dB ~ 13.5dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:8dB ~ 17dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：700MHz
4增益：-
5最大功率值 ：625mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3930
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3
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型号： BF959ZL1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3
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封装：TO-92-3
料号：JTG3-3934
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
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参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:11dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 13dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:8dB ~ 17dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10dB ~ 13.5dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:8dB ~ 17dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA
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料号：JTG3-3935
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型号： MMBTH10-4LT1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:11dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 13dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:8dB ~ 17dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10dB ~ 13.5dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:8dB ~ 17dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):-
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：25V
3频率-跃迁：800MHz
4增益：-
5最大功率值 ：225mW
6集电极-最大电流(ic)：-
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG3-3936
包装： 圆盘
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合作现货:0
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型号： MPS5179RLRAG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:11dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 13dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:8dB ~ 17dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10dB ~ 13.5dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:8dB ~ 17dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：2GHz
4增益：-
5最大功率值 ：200W
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3937
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPS5179RLRAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPS5179RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MPS5179RLRPG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:11dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 13dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:8dB ~ 17dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10dB ~ 13.5dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:8dB ~ 17dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：2GHz
4增益：-
5最大功率值 ：200W
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3938
包装：
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合作现货:0
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型号： MPSH10RLRPG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:11dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 13dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:8dB ~ 17dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10dB ~ 13.5dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:8dB ~ 17dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):-
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：25V
3频率-跃迁：650MHz
4增益：-
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：-
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3939
包装：
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MPSH17RLRAG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:11dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 13dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:8dB ~ 17dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz *4增益:9dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:9dB ~ 18dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10dB ~ 13.5dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz *4增益:8dB ~ 17dB *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:700MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 200MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):-
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：800MHz
4增益：24dB
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：-
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3940
包装：
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