首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 射频-晶体管
元器件型号：1346 件
当前类别共1346 件相关商品

系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

*晶体管类型

清除

*电压 - 集射极击穿（最大值）

清除

*频率 - 跃迁

清除

噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

清除

*增益

清除

*功率 - 最大值

清除

不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

清除

电流 - 集电极（ic）（最大值）

清除

工作温度

清除

安装类型

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 1346
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MSC2295-BT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：150MHz
4增益：-
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SC-59
料号：JTG3-3941
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC2295-BT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2295-BT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2295-BT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2295-BT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSC2295-CT1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：150MHz
4增益：-
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SC-59
料号：JTG3-3942
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC2295-CT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2295-CT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2295-CT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2295-CT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSC2295-CT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：150MHz
4增益：-
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SC-59
料号：JTG3-3943
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC2295-CT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2295-CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2295-CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2295-CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSC3930-BT1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC70-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：150MHz
4增益：-
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SC-70-3（SOT323）
料号：JTG3-3944
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC3930-BT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC3930-BT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC3930-BT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC3930-BT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSC3930-BT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC70-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：150MHz
4增益：-
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SC-70-3（SOT323）
料号：JTG3-3945
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC3930-BT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC3930-BT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC3930-BT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC3930-BT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSD2714AT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 25V 650MHZ SC59
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):-
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：25V
3频率-跃迁：650MHz
4增益：-
5最大功率值 ：225mW
6集电极-最大电流(ic)：-
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SC-59
料号：JTG3-3946
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSD2714AT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSD2714AT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSD2714AT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSD2714AT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NSVF2250WT1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 15V SC70-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：-
4增益：-
5最大功率值 ：-
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SC-70-3（SOT323）
料号：JTG3-3947
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVF2250WT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF2250WT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF2250WT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF2250WT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NSVF2250WT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 15V SC70-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：-
4增益：-
5最大功率值 ：-
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SC-70-3（SOT323）
料号：JTG3-3948
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVF2250WT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF2250WT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF2250WT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF2250WT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NESG270034-T1-AZ
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 9.2V 3POWERMINIMOLD
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):750mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：9.2V
3频率-跃迁：-
4增益：-
5最大功率值 ：1.9W
6集电极-最大电流(ic)：750mA
外壳：TO-243AA
封装：3-POWERMINIMOLD
料号：JTG3-3949
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NESG270034-T1-AZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NESG270034-T1-AZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NESG270034-T1-AZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NESG270034-T1-AZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： START405TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： RF TRANS NPN 4.5V SOT343
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):750mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz *4增益:19dB *5最大功率值 :45mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 5mA，4V *6集电极-最大电流(ic):10mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：4.5V
3频率-跃迁：-
4增益：19dB
5最大功率值 ：45mW
6集电极-最大电流(ic)：10mA
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：-
料号：JTG3-3950
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'START405TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'START405TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'START405TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'START405TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BFU725F,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS NPN 2.8V 70GHZ 4DFP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):750mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz *4增益:19dB *5最大功率值 :45mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 5mA，4V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:70GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz *4增益:10dB ~ 24dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：2.8V
3频率-跃迁：70GHz
4增益：10dB ~ 24dB
5最大功率值 ：136mW
6集电极-最大电流(ic)：40mA
外壳：SOT-343F
封装：4-DFP
料号：JTG3-3951
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFU725F,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFU725F,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFU725F,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFU725F,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ZUMTS17HTA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT323
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):750mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz *4增益:19dB *5最大功率值 :45mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 5mA，4V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:70GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz *4增益:10dB ~ 24dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：1.3GHz
4增益：-
5最大功率值 ：330mW
6集电极-最大电流(ic)：25mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG3-3952
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZUMTS17HTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZUMTS17HTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZUMTS17HTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZUMTS17HTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2SC3931GCL
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： RF TRANS NPN 20V 650MHZ SMINI3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):750mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz *4增益:19dB *5最大功率值 :45mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 5mA，4V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:70GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz *4增益:10dB ~ 24dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 100MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：650MHz
4增益：24dB
5最大功率值 ：150mW
6集电极-最大电流(ic)：15mA
外壳：SC-85
封装：S迷你型3-F2
料号：JTG3-3953
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SC3931GCL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC3931GCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC3931GCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC3931GCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BF199_D74Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):750mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz *4增益:19dB *5最大功率值 :45mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 5mA，4V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:70GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz *4增益:10dB ~ 24dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 100MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:38 @ 7mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：25V
3频率-跃迁：1.1GHz
4增益：-
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3954
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF199_D74Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF199_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF199_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF199_D74Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BF199_J35Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):750mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz *4增益:19dB *5最大功率值 :45mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 5mA，4V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:70GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz *4增益:10dB ~ 24dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 100MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:38 @ 7mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:38 @ 7mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：25V
3频率-跃迁：1.1GHz
4增益：-
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3955
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF199_J35Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF199_J35Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF199_J35Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF199_J35Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BF240_J35Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):750mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz *4增益:19dB *5最大功率值 :45mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 5mA，4V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:70GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz *4增益:10dB ~ 24dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 100MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:38 @ 7mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:38 @ 7mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：40V
3频率-跃迁：1.1GHz
4增益：-
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3956
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BF240_J35Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF240_J35Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF240_J35Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BF240_J35Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBTH81_D87Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):750mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz *4增益:19dB *5最大功率值 :45mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 5mA，4V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:70GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz *4增益:10dB ~ 24dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 100MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:38 @ 7mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:38 @ 7mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：PNP
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：-
5最大功率值 ：225mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG3-3957
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBTH81_D87Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBTH81_D87Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBTH81_D87Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBTH81_D87Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MPS5179_D26Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):750mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz *4增益:19dB *5最大功率值 :45mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 5mA，4V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:70GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz *4增益:10dB ~ 24dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 100MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:38 @ 7mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:38 @ 7mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：2GHz
4增益：15dB
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3958
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPS5179_D26Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPS5179_D26Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPS5179_D26Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPS5179_D26Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MPS5179_D27Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):750mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz *4增益:19dB *5最大功率值 :45mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 5mA，4V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:70GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz *4增益:10dB ~ 24dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 100MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:38 @ 7mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:38 @ 7mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：2GHz
4增益：15dB
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3959
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPS5179_D27Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPS5179_D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPS5179_D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPS5179_D27Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MPS5179_D75Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):750mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.5V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz *4增益:19dB *5最大功率值 :45mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 5mA，4V *6集电极-最大电流(ic):10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.8V *3频率-跃迁:70GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz *4增益:10dB ~ 24dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 2mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 100MHz *4增益:24dB *5最大功率值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:38 @ 7mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:38 @ 7mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:1.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：2GHz
4增益：15dB
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
封装：TO-92-3
料号：JTG3-3960
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPS5179_D75Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPS5179_D75Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPS5179_D75Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPS5179_D75Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有1346个记录    每页显示20条，本页921-940条    47/68页    首 页    上一页   43  44  45  46  47  48  49  50  51   下一页    尾 页      
复制成功

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科芯查介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科芯查有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922