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*晶体管类型

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*电压 - 集射极击穿（最大值）

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*频率 - 跃迁

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噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

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*增益

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*功率 - 最大值

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不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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电流 - 集电极（ic）（最大值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： AT-42000-GP4
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： RF TRANS NPN 12V 9GHZ CHIP
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10.5dB ~ 14dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：9GHz
4增益：10.5dB ~ 14dB
5最大功率值 ：600mW
6集电极-最大电流(ic)：80mA
外壳：模具
封装：芯片
料号：JTG3-4001
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AT-42000-GP4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-42000-GP4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-42000-GP4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-42000-GP4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AT-64000-GP4
品牌： Broadcom/博通 Broadcom Limited#AVAGO/安华高 博通
描述： RF TRANS NPN 20V BIPOLAR CHIP
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10.5dB ~ 14dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 110mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：-
4增益：-
5最大功率值 ：3W
6集电极-最大电流(ic)：200mA
外壳：模具
封装：-
料号：JTG3-4002
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AT-64000-GP4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Broadcom/博通' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-64000-GP4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-64000-GP4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AT-64000-GP4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BFR93AW,135
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS NPN 12V 5GHZ SOT323-3
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10.5dB ~ 14dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 110mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：5GHz
4增益：-
5最大功率值 ：300mW
6集电极-最大电流(ic)：35mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG3-4003
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFR93AW,135' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR93AW,135' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR93AW,135' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR93AW,135' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BLW96/01,112
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF TRANS NPN 55V 235MHZ CRFM4
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10.5dB ~ 14dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 110mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:235MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :340W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：55V
3频率-跃迁：235MHz
4增益：-
5最大功率值 ：340W
6集电极-最大电流(ic)：12A
外壳：SOT-121B
封装：CRFM4
料号：JTG3-4004
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BLW96/01,112' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Ampleon/安谱隆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLW96/01,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BLW96/01,112' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： BFG25AW/X,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS NPN 5V 5GHZ 4SO
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10.5dB ~ 14dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 110mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:235MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :340W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：5V
3频率-跃迁：5GHz
4增益：-
5最大功率值 ：500mW
6集电极-最大电流(ic)：6.5mA
外壳：SOT-343 反向插针
封装：4-SO
料号：JTG3-4005
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFG25AW/X,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFG25AW/X,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFG25AW/X,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFG25AW/X,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BFG540/XR,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143R
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10.5dB ~ 14dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 110mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:235MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :340W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：9GHz
4增益：-
5最大功率值 ：400mW
6集电极-最大电流(ic)：120mA
外壳：SOT-143R
封装：SOT-143R
料号：JTG3-4006
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFG540/XR,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFG540/XR,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFG540/XR,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFG540/XR,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BFR93AW,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS NPN 12V 5GHZ SOT323-3
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10.5dB ~ 14dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 110mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:235MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :340W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：5GHz
4增益：-
5最大功率值 ：300mW
6集电极-最大电流(ic)：35mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG3-4007
包装：
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型号： PZ1418B30U,114
品牌： Ampleon/安谱隆 Ampleon USA Inc. 安谱隆
描述： RF TRANS NPN 15V 1.6GHZ CDFM2
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10.5dB ~ 14dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 110mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:235MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :340W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):4A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：1.6GHz
4增益：8.4dB
5最大功率值 ：45W
6集电极-最大电流(ic)：4A
外壳：SOT-443A
封装：CDFM2
料号：JTG3-4008
包装：
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参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10.5dB ~ 14dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 110mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:235MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :340W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 15mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA
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2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：5GHz
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5最大功率值 ：300mW
6集电极-最大电流(ic)：25mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG3-4009
包装：
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描述： RF TRANS NPN 20V 1.6GHZ CDFM2
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10.5dB ~ 14dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 110mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:235MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :340W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 15mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 2A，3V *6集电极-最大电流(ic):4A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：1.6GHz
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5最大功率值 ：45W
6集电极-最大电流(ic)：4A
外壳：SOT-443A
封装：CDFM2
料号：JTG3-4010
包装：
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型号： MRF581AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 15V 5GHZ MACRO X
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10.5dB ~ 14dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 110mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:235MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :340W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 15mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 2A，3V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 3.5dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：5GHz
4增益：13dB ~ 15.5dB
5最大功率值 ：1.25W
6集电极-最大电流(ic)：200mA
外壳：MACRO-X
封装：MACRO-X
料号：JTG3-4011
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF581AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： EC3H02BA-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10.5dB ~ 14dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 110mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:235MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :340W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 15mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 2A，3V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 3.5dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:8.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
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4增益：8.5dB
5最大功率值 ：100mW
6集电极-最大电流(ic)：70mA
外壳：3-XFDFN
封装：3-ECSP1006
料号：JTG3-4012
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EC3H02BA-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： EC4H08C-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10.5dB ~ 14dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 110mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:235MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :340W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 15mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 2A，3V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 3.5dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:8.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:24GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :50mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):15mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：3.5V
3频率-跃迁：24GHz
4增益：17dB
5最大功率值 ：50mW
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外壳：4-UFDFN
封装：4-ECSP1008
料号：JTG3-4013
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EC4H08C-TL-H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： EC4H09C-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10.5dB ~ 14dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 110mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:235MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :340W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 15mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 2A，3V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 3.5dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:8.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:24GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :50mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:26GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 2GHz *4增益:15dB *5最大功率值 :120mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：3.5V
3频率-跃迁：26GHz
4增益：15dB
5最大功率值 ：120mW
6集电极-最大电流(ic)：40mA
外壳：4-UFDFN
封装：4-ECSP1008
料号：JTG3-4014
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EC4H09C-TL-H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EC4H09C-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EC4H09C-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MCH4020-TL-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10.5dB ~ 14dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 110mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:235MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :340W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 15mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 2A，3V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 3.5dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:8.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:24GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :50mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:26GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 2GHz *4增益:15dB *5最大功率值 :120mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：8V
3频率-跃迁：16GHz
4增益：17.5dB
5最大功率值 ：400mW
6集电极-最大电流(ic)：150mA
外壳：4-SMD，扁平引线
封装：4-MCPH
料号：JTG3-4015
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCH4020-TL-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH4020-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH4020-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH4020-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NESG7030M04-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10.5dB ~ 14dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 110mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:235MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :340W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 15mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 2A，3V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 3.5dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:8.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:24GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :50mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:26GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 2GHz *4增益:15dB *5最大功率值 :120mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.3V *3频率-跃迁:5.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz *4增益:14dB ~ 21dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 5mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：4.3V
3频率-跃迁：5.8GHz
4增益：14dB ~ 21dB
5最大功率值 ：125mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：SOT-343F
封装：M04
料号：JTG3-4016
包装：
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合作现货:0
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型号： NE58219-T1-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 12V 5GHZ 3SMINMOLD
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10.5dB ~ 14dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 110mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:235MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :340W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 15mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 2A，3V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 3.5dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:8.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:24GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :50mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:26GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 2GHz *4增益:15dB *5最大功率值 :120mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.3V *3频率-跃迁:5.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz *4增益:14dB ~ 21dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 5mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):60mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：5GHz
4增益：-
5最大功率值 ：100mW
6集电极-最大电流(ic)：60mA
外壳：SC-75，SOT-416
封装：3 针 SUPERMINIMOLD（19）
料号：JTG3-4017
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE58219-T1-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE58219-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE58219-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE58219-T1-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NESG250134-T1-AZ
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 9.2V 10GHZ 3MINMOLD
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10.5dB ~ 14dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 110mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:235MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :340W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 15mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 2A，3V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 3.5dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:8.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:24GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :50mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:26GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 2GHz *4增益:15dB *5最大功率值 :120mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.3V *3频率-跃迁:5.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz *4增益:14dB ~ 21dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 5mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:23dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):500mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：9.2V
3频率-跃迁：10GHz
4增益：23dB
5最大功率值 ：1.5W
6集电极-最大电流(ic)：500mA
外壳：TO-243AA
封装：3-POWERMINIMOLD
料号：JTG3-4018
包装：
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合作现货:0
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型号： NE851M13-T3-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ M13
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10.5dB ~ 14dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 110mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:235MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :340W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 15mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 2A，3V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 3.5dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:8.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:24GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :50mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:26GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 2GHz *4增益:15dB *5最大功率值 :120mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.3V *3频率-跃迁:5.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz *4增益:14dB ~ 21dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 5mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:23dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz *4增益:4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ *5最大功率值 :140mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：5.5V
3频率-跃迁：4.5GHz
4增益：4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ
5最大功率值 ：140mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：SOT-3
封装：M13
料号：JTG3-4019
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE851M13-T3-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE851M13-T3-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE851M13-T3-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE851M13-T3-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NESG2030M04-T2-A
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04
参数： 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz *4增益:10.5dB ~ 14dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 35mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Broadcom/博通 制造商统称:未设定 制造商统称:Broadcom Limited 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 110mA，8V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:235MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :340W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 2dB @ 1GHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 500µA，1V *6集电极-最大电流(ic):6.5mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz *4增益:- *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz *4增益:- *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 15mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Ampleon/安谱隆 制造商统称:未设定 制造商统称:Ampleon USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :45W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 2A，3V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB ~ 3.5dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:8.5dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:24GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :50mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:26GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 2GHz *4增益:15dB *5最大功率值 :120mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4.3V *3频率-跃迁:5.8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz *4增益:14dB ~ 21dB *5最大功率值 :125mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 5mA，2V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):60mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:23dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.5V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz *4增益:4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ *5最大功率值 :140mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):2.3V *3频率-跃迁:60GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz *4增益:16dB *5最大功率值 :80mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 5mA，2V *6集电极-最大电流(ic):35mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：2.3V
3频率-跃迁：60GHz
4增益：16dB
5最大功率值 ：80mW
6集电极-最大电流(ic)：35mA
外壳：SOT-343F
封装：M04
料号：JTG3-4020
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NESG2030M04-T2-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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