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元器件型号：1346 件
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*晶体管类型

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*电压 - 集射极击穿（最大值）

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*频率 - 跃迁

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噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

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*增益

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*功率 - 最大值

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不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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电流 - 集电极（ic）（最大值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： NESG260234-T1-AZ
品牌： CEL CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF TRANS NPN 9.2V 3POWERMINIMOLD
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):600mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：9.2V
3频率-跃迁：-
4增益：-
5最大功率值 ：1.9W
6集电极-最大电流(ic)：600mA
外壳：TO-243AA
封装：3-POWERMINIMOLD
料号：JTG3-4021
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NESG260234-T1-AZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CEL' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NESG260234-T1-AZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NESG260234-T1-AZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NESG260234-T1-AZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： LM3046MX
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC TRANSISTOR ARRAY 14-SOIC
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):600mA 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA
1晶体管类型：5 NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：-
4增益：-
5最大功率值 ：750mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOICN
料号：JTG3-4022
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LM3046MX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM3046MX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM3046MX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM3046MX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MAX2601ESA-T
品牌： ADI(Maxim美信)/亚德诺 Maxim 美信
描述： RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):600mA 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：1GHz
4增益：11.6dB
5最大功率值 ：6.4W
6集电极-最大电流(ic)：1.2A
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)裸焊盘
封装：8-SOIC 裸露焊盘
料号：JTG3-4023
包装： 2500个/ 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAX2601ESA-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI(Maxim美信)/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX2601ESA-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX2601ESA-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX2601ESA-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MAX2602ESA
品牌： ADI(Maxim美信)/亚德诺 Maxim 美信
描述： RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):600mA 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：1GHz
4增益：11.6dB
5最大功率值 ：6.4W
6集电极-最大电流(ic)：1.2A
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)裸焊盘
封装：8-SOIC 裸露焊盘
料号：JTG3-4024
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAX2602ESA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI(Maxim美信)/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX2602ESA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX2602ESA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX2602ESA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MAX2602ESA-T
品牌： ADI(Maxim美信)/亚德诺 Maxim 美信
描述： RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):600mA 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：1GHz
4增益：11.6dB
5最大功率值 ：6.4W
6集电极-最大电流(ic)：1.2A
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)裸焊盘
封装：8-SOIC 裸露焊盘
料号：JTG3-4025
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAX2602ESA-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI(Maxim美信)/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX2602ESA-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX2602ESA-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX2602ESA-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MAPR-002731-115M00
品牌： MACOM/镁可微波 M/A-Com Technology Solutions 镁可微波技术
描述： RF TRANS NPN 65V
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):600mA 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.06dB ~ 8.45dB *5最大功率值 :115W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):-
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：-
4增益：8.06dB ~ 8.45dB
5最大功率值 ：115W
6集电极-最大电流(ic)：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG3-4026
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAPR-002731-115M00' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MACOM/镁可微波' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAPR-002731-115M00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAPR-002731-115M00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAPR-002731-115M00' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PH3134-11S
品牌： MACOM/镁可微波 M/A-Com Technology Solutions 镁可微波技术
描述： RF TRANS NPN 60V
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):600mA 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.06dB ~ 8.45dB *5最大功率值 :115W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.3A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：60V
3频率-跃迁：-
4增益：8dB
5最大功率值 ：11W
6集电极-最大电流(ic)：1.3A
外壳：-
封装：-
料号：JTG3-4027
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PH3134-11S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MACOM/镁可微波' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PH3134-11S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PH3134-75S
品牌： MACOM/镁可微波 M/A-Com Technology Solutions 镁可微波技术
描述： RF TRANS NPN 65V
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):600mA 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.06dB ~ 8.45dB *5最大功率值 :115W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.3A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :75W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):8.9A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：-
4增益：7.5dB
5最大功率值 ：75W
6集电极-最大电流(ic)：8.9A
外壳：-
封装：-
料号：JTG3-4028
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PH3134-75S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MACOM/镁可微波' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PH3134-75S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PH3134-75S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PH3134-75S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PH3134-9L
品牌： MACOM/镁可微波 M/A-Com Technology Solutions 镁可微波技术
描述： RF TRANS NPN 60V
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):600mA 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.06dB ~ 8.45dB *5最大功率值 :115W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.3A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :75W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):8.9A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.1A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：60V
3频率-跃迁：-
4增益：8dB
5最大功率值 ：9W
6集电极-最大电流(ic)：1.1A
外壳：-
封装：-
料号：JTG3-4029
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PH3134-9L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MACOM/镁可微波' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PH3134-9L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PH3134-9L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PH3134-9L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2SC5096-R,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： RF TRANS NPN 10V 10GHZ SSM
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):600mA 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.06dB ~ 8.45dB *5最大功率值 :115W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.3A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :75W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):8.9A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.1A 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:1.4dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 7mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：10GHz
4增益：1.4dB
5最大功率值 ：100mW
6集电极-最大电流(ic)：15mA
外壳：SC-75，SOT-416
封装：SSM
料号：JTG3-4030
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2SC5096-R,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5096-R,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5096-R,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SC5096-R,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 2SC5088-O(TE85L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： RF TRANS NPN 12V 7GHZ USQ
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):600mA 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.06dB ~ 8.45dB *5最大功率值 :115W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.3A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :75W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):8.9A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.1A 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:1.4dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 7mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 500MHz *4增益:18dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):80mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：7GHz
4增益：18dB
5最大功率值 ：100mW
6集电极-最大电流(ic)：80mA
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：USQ
料号：JTG3-4031
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BFS540,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT323-3
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):600mA 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.06dB ~ 8.45dB *5最大功率值 :115W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.3A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :75W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):8.9A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.1A 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:1.4dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 7mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 500MHz *4增益:18dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：9GHz
4增益：-
5最大功率值 ：500mW
6集电极-最大电流(ic)：120mA
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：JTG3-4032
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFS540,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS540,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS540,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS540,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： MRF4427
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 20V 8SO
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):600mA 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.06dB ~ 8.45dB *5最大功率值 :115W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.3A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :75W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):8.9A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.1A 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:1.4dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 7mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 500MHz *4增益:18dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：-
4增益：20dB
5最大功率值 ：1.5W
6集电极-最大电流(ic)：400mA
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG3-4033
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF4427' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF4427' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF4427' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF4427' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MRF4427G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 20V 8SO
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):600mA 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.06dB ~ 8.45dB *5最大功率值 :115W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.3A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :75W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):8.9A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.1A 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:1.4dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 7mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 500MHz *4增益:18dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：-
4增益：20dB
5最大功率值 ：1.5W
6集电极-最大电流(ic)：400mA
外壳：*
封装：*
料号：JTG3-4034
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF4427G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF4427G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF4427G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： MRF4427GR1
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 20V 8SO
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):600mA 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.06dB ~ 8.45dB *5最大功率值 :115W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.3A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :75W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):8.9A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.1A 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:1.4dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 7mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 500MHz *4增益:18dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：-
4增益：20dB
5最大功率值 ：1.5W
6集电极-最大电流(ic)：400mA
外壳：*
封装：*
料号：JTG3-4035
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF4427GR1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF4427GR1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： MRF4427GR2
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 20V 8SO
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):600mA 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.06dB ~ 8.45dB *5最大功率值 :115W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.3A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :75W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):8.9A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.1A 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:1.4dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 7mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 500MHz *4增益:18dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：-
4增益：20dB
5最大功率值 ：1.5W
6集电极-最大电流(ic)：400mA
外壳：*
封装：*
料号：JTG3-4036
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF4427GR2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MRF4427R1
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 20V 8DBGA
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):600mA 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.06dB ~ 8.45dB *5最大功率值 :115W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.3A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :75W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):8.9A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.1A 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:1.4dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 7mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 500MHz *4增益:18dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：-
4增益：20dB
5最大功率值 ：1.5W
6集电极-最大电流(ic)：400mA
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG3-4037
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF4427R1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF4427R1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF4427R1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF4427R1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MRF4427R2
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 20V 8SO
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):600mA 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.06dB ~ 8.45dB *5最大功率值 :115W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.3A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :75W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):8.9A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.1A 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:1.4dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 7mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 500MHz *4增益:18dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：-
4增益：20dB
5最大功率值 ：1.5W
6集电极-最大电流(ic)：400mA
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG3-4038
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MRF553
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 16V 175MHZ
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):600mA 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.06dB ~ 8.45dB *5最大功率值 :115W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.3A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :75W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):8.9A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.1A 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:1.4dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 7mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 500MHz *4增益:18dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA
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2集射极击穿-最大电压(V)：16V
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4增益：11.5dB
5最大功率值 ：3W
6集电极-最大电流(ic)：500mA
外壳：*
封装：*
料号：JTG3-4039
包装：
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MRF553GT
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO
参数： 系列:* 制造商:CEL 制造商统称:未设定 制造商统称:CEL 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9.2V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1.9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 100mA，3V *6集电极-最大电流(ic):600mA 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:5 NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz *4增益:- *5最大功率值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 836MHz *4增益:11.6dB *5最大功率值 :6.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 250mA，3V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.06dB ~ 8.45dB *5最大功率值 :115W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.3A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :75W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):8.9A 系列:- 制造商:MACOM/镁可微波 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.1A 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz *4增益:1.4dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 7mA，6V *6集电极-最大电流(ic):15mA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 500MHz *4增益:18dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz *4增益:- *5最大功率值 :500mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 40mA，8V *6集电极-最大电流(ic):120mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:20dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：16V
3频率-跃迁：175MHz
4增益：11.5dB
5最大功率值 ：3W
6集电极-最大电流(ic)：500mA
外壳：*
封装：*
料号：JTG3-4040
包装：
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合作现货:0
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