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元器件型号：1346 件
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*晶体管类型

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*电压 - 集射极击穿（最大值）

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*频率 - 跃迁

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噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

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*增益

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*功率 - 最大值

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不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MRF553T
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：16V
3频率-跃迁：175MHz
4增益：11.5dB
5最大功率值 ：3W
6集电极-最大电流(ic)：500mA
外壳：
封装：
料号：JTG3-4041
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF553T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF553T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF553T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF553T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MRF555G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 16V 470MHZ
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：16V
3频率-跃迁：470MHz
4增益：12.5dB
5最大功率值 ：3W
6集电极-最大电流(ic)：500mA
外壳：*
封装：*
料号：JTG3-4042
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF555G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF555G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF555G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF555G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MRF555GT
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 16V 470MHZ
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：16V
3频率-跃迁：470MHz
4增益：12.5dB
5最大功率值 ：3W
6集电极-最大电流(ic)：500mA
外壳：*
封装：*
料号：JTG3-4043
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF555GT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF555GT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF555GT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF555GT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MRF559
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 16V 870MHZ MACRO X
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：16V
3频率-跃迁：870MHz
4增益：9.5dB
5最大功率值 ：2W
6集电极-最大电流(ic)：150mA
外壳：MACRO-X
封装：MACRO-X
料号：JTG3-4044
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF559' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF559' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF559' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF559' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MRF559GT
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 16V 870MHZ
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：16V
3频率-跃迁：870MHz
4增益：9.5dB
5最大功率值 ：2W
6集电极-最大电流(ic)：150mA
外壳：-
封装：-
料号：JTG3-4045
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF559GT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF559GT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF559GT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： MRF559T
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 16V 870MHZ
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：16V
3频率-跃迁：870MHz
4增益：9.5dB
5最大功率值 ：2W
6集电极-最大电流(ic)：150mA
外壳：-
封装：-
料号：JTG3-4046
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF559T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF559T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF559T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF559T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MRF5812
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：5GHz
4增益：13dB ~ 15.5dB
5最大功率值 ：1.25W
6集电极-最大电流(ic)：200mA
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG3-4047
包装：
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合作现货:0
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型号： MRF5812G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：5GHz
4增益：13dB ~ 15.5dB
5最大功率值 ：1.25W
6集电极-最大电流(ic)：200mA
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG3-4048
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF5812G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF5812G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：5GHz
4增益：13dB ~ 15.5dB
5最大功率值 ：1.25W
6集电极-最大电流(ic)：200mA
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG3-4049
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF5812R1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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状态： 在售
型号： MRF8372
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：16V
3频率-跃迁：870MHz
4增益：8dB ~ 9.5dB
5最大功率值 ：2.2W
6集电极-最大电流(ic)：200mA
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG3-4050
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF8372' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF8372' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF8372' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF8372' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MRF8372G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA
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包装：
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型号： MRF8372GR1
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA
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外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG3-4052
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包装：
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：16V
3频率-跃迁：870MHz
4增益：8dB ~ 9.5dB
5最大功率值 ：2.2W
6集电极-最大电流(ic)：200mA
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG3-4054
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF8372R1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MRF8372R2
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：16V
3频率-跃迁：870MHz
4增益：8dB ~ 9.5dB
5最大功率值 ：2.2W
6集电极-最大电流(ic)：200mA
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG3-4055
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF8372R2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BFP405E6327BTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.25dB @ 1.8GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :75mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，4V *6集电极-最大电流(ic):25mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：5V
3频率-跃迁：25GHz
4增益：23dB
5最大功率值 ：75mW
6集电极-最大电流(ic)：25mA
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：PG-SOT343-4
料号：JTG3-4056
包装：
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型号： BFP420E6327BTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.25dB @ 1.8GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :75mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，4V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz *4增益:21dB *5最大功率值 :160mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 20mA，4V *6集电极-最大电流(ic):35mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：5V
3频率-跃迁：25GHz
4增益：21dB
5最大功率值 ：160mW
6集电极-最大电流(ic)：35mA
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：PG-SOT343-4
料号：JTG3-4057
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFP420E6327BTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP420E6327BTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP420E6327BTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP420E6327BTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BFP450E6327BTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.25dB @ 1.8GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :75mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，4V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz *4增益:21dB *5最大功率值 :160mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 20mA，4V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:24GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.25dB @ 1.8GHz *4增益:15.5dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，4V *6集电极-最大电流(ic):100mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：5V
3频率-跃迁：24GHz
4增益：15.5dB
5最大功率值 ：450mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：PG-SOT343-4
料号：JTG3-4058
包装：
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状态： 在售
型号： BFP520E6327BTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ SOT343-4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.25dB @ 1.8GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :75mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，4V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz *4增益:21dB *5最大功率值 :160mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 20mA，4V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:24GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.25dB @ 1.8GHz *4增益:15.5dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，4V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.95dB @ 1.8GHz *4增益:24dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：3.5V
3频率-跃迁：45GHz
4增益：24dB
5最大功率值 ：100mW
6集电极-最大电流(ic)：40mA
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：PG-SOT343-4
料号：JTG3-4059
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFP520E6327BTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP520E6327BTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BFT92E6327
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF TRANS PNP 15V 5GHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):500mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，10V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 500MHz *4增益:13dB ~ 15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:870MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :2.2W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.25dB @ 1.8GHz *4增益:23dB *5最大功率值 :75mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，4V *6集电极-最大电流(ic):25mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz *4增益:21dB *5最大功率值 :160mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 20mA，4V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5V *3频率-跃迁:24GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.25dB @ 1.8GHz *4增益:15.5dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，4V *6集电极-最大电流(ic):100mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.95dB @ 1.8GHz *4增益:24dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 20mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:8dB ~ 13.5dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 15mA，8V *6集电极-最大电流(ic):25mA
1晶体管类型：PNP
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：5GHz
4增益：8dB ~ 13.5dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：25mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：PG-SOT23-3
料号：JTG3-4060
包装： 圆盘
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