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元器件型号：1346 件
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*晶体管类型

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*频率 - 跃迁

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噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

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*增益

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： BFR193L3E6327XTMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12.5dB ~ 19dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：12.5dB ~ 19dB
5最大功率值 ：580mW
6集电极-最大电流(ic)：80mA
外壳：SC-101，SOT-883
封装：PG-TSLP-3
料号：JTG3-4161
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFR193L3E6327XTMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR193L3E6327XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR193L3E6327XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR193L3E6327XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BFR182E6327HTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12.5dB ~ 19dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12dB ~ 18dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):35mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：12dB ~ 18dB
5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：35mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：PG-SOT23-3
料号：JTG3-4162
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFR182E6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR182E6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR182E6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR182E6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BFR360L3E6765XTMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12.5dB ~ 19dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12dB ~ 18dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz *4增益:11.5dB ~ 16dB *5最大功率值 :210mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 15mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：9V
3频率-跃迁：14GHz
4增益：11.5dB ~ 16dB
5最大功率值 ：210mW
6集电极-最大电流(ic)：35mA
外壳：SC-101，SOT-883
封装：PG-TSLP-3
料号：JTG3-4163
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFR360L3E6765XTMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR360L3E6765XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR360L3E6765XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR360L3E6765XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BFR93AE6327HTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12.5dB ~ 19dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12dB ~ 18dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz *4增益:11.5dB ~ 16dB *5最大功率值 :210mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 15mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:9.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):90mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：6GHz
4增益：9.5dB ~ 14.5dB
5最大功率值 ：300mW
6集电极-最大电流(ic)：90mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：PG-SOT23-3
料号：JTG3-4164
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFR93AE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR93AE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR93AE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFR93AE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NSVF3007SG3T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12.5dB ~ 19dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12dB ~ 18dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz *4增益:11.5dB ~ 16dB *5最大功率值 :210mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 15mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:9.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):90mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：12dB
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：SOT-23-3 扁平引线
封装：3-MCPH
料号：JTG3-4165
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVF3007SG3T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF3007SG3T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF3007SG3T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF3007SG3T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NSVF4020SG4T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12.5dB ~ 19dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12dB ~ 18dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz *4增益:11.5dB ~ 16dB *5最大功率值 :210mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 15mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:9.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):90mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：8V
3频率-跃迁：16GHz
4增益：17.5dB
5最大功率值 ：400mW
6集电极-最大电流(ic)：150mA
外壳：4-SMD，扁平引线
封装：4-MCPH
料号：JTG3-4166
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVF4020SG4T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF4020SG4T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF4020SG4T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF4020SG4T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BFP196WNH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12.5dB ~ 19dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12dB ~ 18dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz *4增益:11.5dB ~ 16dB *5最大功率值 :210mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 15mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:9.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):90mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 900MHz *4增益:9.7dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 50mA，8V *6集电极-最大电流(ic):150mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：7.5GHz
4增益：9.7dB
5最大功率值 ：700mW
6集电极-最大电流(ic)：150mA
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：PG-SOT343-4
料号：JTG3-4167
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BFP196WNH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP196WNH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP196WNH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFP196WNH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NSVF4009SG4T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC82FL/
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12.5dB ~ 19dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12dB ~ 18dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz *4增益:11.5dB ~ 16dB *5最大功率值 :210mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 15mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:9.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):90mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 900MHz *4增益:9.7dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 50mA，8V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :120mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：3.5V
3频率-跃迁：25GHz
4增益：17dB
5最大功率值 ：120mW
6集电极-最大电流(ic)：40mA
外壳：4-SMD，扁平引线
封装：4-MCPH
料号：JTG3-4168
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVF4009SG4T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF4009SG4T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF4009SG4T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF4009SG4T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MRF5812R2
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12.5dB ~ 19dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12dB ~ 18dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz *4增益:11.5dB ~ 16dB *5最大功率值 :210mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 15mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:9.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):90mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 900MHz *4增益:9.7dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 50mA，8V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :120mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 500MHz *4增益:15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：18V
3频率-跃迁：5GHz
4增益：15.5dB
5最大功率值 ：1.25W
6集电极-最大电流(ic)：200mA
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG3-4169
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF5812R2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF5812R2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF5812R2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF5812R2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： SRF4427
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 18V 1.3GHZ 8SO
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12.5dB ~ 19dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12dB ~ 18dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz *4增益:11.5dB ~ 16dB *5最大功率值 :210mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 15mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:9.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):90mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 900MHz *4增益:9.7dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 50mA，8V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :120mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 500MHz *4增益:15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:17dB ~ 18dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 150mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：18V
3频率-跃迁：1.3GHz
4增益：17dB ~ 18dB
5最大功率值 ：1.5W
6集电极-最大电流(ic)：400mA
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG3-4170
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SRF4427' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SRF4427' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SRF4427' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CM4957
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： RF TRANS PNP 25V 2.5GHZ TO-72
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12.5dB ~ 19dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12dB ~ 18dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz *4增益:11.5dB ~ 16dB *5最大功率值 :210mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 15mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:9.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):90mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 900MHz *4增益:9.7dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 50mA，8V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :120mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 500MHz *4增益:15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:17dB ~ 18dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 150mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列: 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）: *4增益:25dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：PNP
2集射极击穿-最大电压(V)：25V
3频率-跃迁：2.5GHz
4增益：25dB
5最大功率值 ：300mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：TO-206AF，TO-72-4 金属罐
封装：TO-72
料号：JTG3-4171
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CM4957' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CM4957' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CM4957' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CM4957' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： JANTX2N2857
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12.5dB ~ 19dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12dB ~ 18dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz *4增益:11.5dB ~ 16dB *5最大功率值 :210mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 15mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:9.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):90mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 900MHz *4增益:9.7dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 50mA，8V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :120mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 500MHz *4增益:15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:17dB ~ 18dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 150mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列: 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）: *4增益:25dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Military, MIL-PRF-19500/343 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:12.5dB ~ 21dB @ 450MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：500MHz
4增益：12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：40mA
外壳：TO-72-3 金属罐
封装：TO-72
料号：JTG3-4172
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTX2N2857' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N2857' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N2857' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N2857' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2N4957UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS PNP 30V 30MA UB
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12.5dB ~ 19dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12dB ~ 18dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz *4增益:11.5dB ~ 16dB *5最大功率值 :210mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 15mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:9.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):90mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 900MHz *4增益:9.7dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 50mA，8V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :120mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 500MHz *4增益:15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:17dB ~ 18dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 150mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列: 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）: *4增益:25dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Military, MIL-PRF-19500/343 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:12.5dB ~ 21dB @ 450MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：PNP
2集射极击穿-最大电压(V)：30V
3频率-跃迁：-
4增益：25dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：3-SMD，无引线
封装：UB
料号：JTG3-4173
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N4957UB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： JAN2N4957UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS PNP 30V 30MA UB
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12.5dB ~ 19dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12dB ~ 18dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz *4增益:11.5dB ~ 16dB *5最大功率值 :210mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 15mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:9.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):90mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 900MHz *4增益:9.7dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 50mA，8V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :120mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 500MHz *4增益:15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:17dB ~ 18dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 150mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列: 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）: *4增益:25dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Military, MIL-PRF-19500/343 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:12.5dB ~ 21dB @ 450MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：PNP
2集射极击穿-最大电压(V)：30V
3频率-跃迁：-
4增益：25dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：3-SMD，无引线
封装：UB
料号：JTG3-4174
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JAN2N4957UB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N4957UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N4957UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： JANTX2N4957
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS PNP 30V 30MA TO72
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12.5dB ~ 19dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12dB ~ 18dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz *4增益:11.5dB ~ 16dB *5最大功率值 :210mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 15mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:9.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):90mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 900MHz *4增益:9.7dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 50mA，8V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :120mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 500MHz *4增益:15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:17dB ~ 18dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 150mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列: 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）: *4增益:25dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Military, MIL-PRF-19500/343 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:12.5dB ~ 21dB @ 450MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：PNP
2集射极击穿-最大电压(V)：30V
3频率-跃迁：-
4增益：25dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：TO-72-3 金属罐
封装：TO-72
料号：JTG3-4175
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTX2N4957' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： JANTX2N4957UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS PNP 30V 30MA UB
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12.5dB ~ 19dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12dB ~ 18dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz *4增益:11.5dB ~ 16dB *5最大功率值 :210mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 15mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:9.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):90mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 900MHz *4增益:9.7dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 50mA，8V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :120mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 500MHz *4增益:15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:17dB ~ 18dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 150mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列: 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）: *4增益:25dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Military, MIL-PRF-19500/343 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:12.5dB ~ 21dB @ 450MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA
1晶体管类型：PNP
2集射极击穿-最大电压(V)：30V
3频率-跃迁：-
4增益：25dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：3-SMD，无引线
封装：UB
料号：JTG3-4176
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTX2N4957UB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N4957UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N4957UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N4957UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MS1226
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12.5dB ~ 19dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12dB ~ 18dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz *4增益:11.5dB ~ 16dB *5最大功率值 :210mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 15mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:9.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):90mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 900MHz *4增益:9.7dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 50mA，8V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :120mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 500MHz *4增益:15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:17dB ~ 18dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 150mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列: 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）: *4增益:25dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Military, MIL-PRF-19500/343 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:12.5dB ~ 21dB @ 450MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):36V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:18dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：36V
3频率-跃迁：30MHz
4增益：18dB
5最大功率值 ：80W
6集电极-最大电流(ic)：4.5A
外壳：M113
封装：M113
料号：JTG3-4177
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS1226' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MS1512
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 25V 860MHZ M122
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12.5dB ~ 19dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12dB ~ 18dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz *4增益:11.5dB ~ 16dB *5最大功率值 :210mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 15mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:9.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):90mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 900MHz *4增益:9.7dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 50mA，8V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :120mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 500MHz *4增益:15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:17dB ~ 18dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 150mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列: 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）: *4增益:25dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Military, MIL-PRF-19500/343 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:12.5dB ~ 21dB @ 450MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):36V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:18dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :19.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.2A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：25V
3频率-跃迁：860MHz
4增益：10dB
5最大功率值 ：19.4W
6集电极-最大电流(ic)：1.2A
外壳：M122
封装：M122
料号：JTG3-4178
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS1512' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1512' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1512' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1512' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MS1402
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 16V 512MHZ M122
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12.5dB ~ 19dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12dB ~ 18dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz *4增益:11.5dB ~ 16dB *5最大功率值 :210mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 15mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:9.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):90mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 900MHz *4增益:9.7dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 50mA，8V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :120mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 500MHz *4增益:15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:17dB ~ 18dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 150mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列: 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）: *4增益:25dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Military, MIL-PRF-19500/343 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:12.5dB ~ 21dB @ 450MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):36V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:18dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :19.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):750mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：16V
3频率-跃迁：450MHz ~ 512MHz
4增益：10dB
5最大功率值 ：5W
6集电极-最大电流(ic)：750mA
外壳：M122
封装：M122
料号：JTG3-4179
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS1402' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： JAN2N2857UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 15V 0.04A UB
参数： 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12.5dB ~ 19dB *5最大功率值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):80mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:12dB ~ 18dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，8V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):9V *3频率-跃迁:14GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz *4增益:11.5dB ~ 16dB *5最大功率值 :210mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 15mA，3V *6集电极-最大电流(ic):35mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *4增益:9.5dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V *6集电极-最大电流(ic):90mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):8V *3频率-跃迁:16GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 1GHz *4增益:17.5dB *5最大功率值 :400mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:7.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 900MHz *4增益:9.7dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 50mA，8V *6集电极-最大电流(ic):150mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 2GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :120mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2dB @ 500MHz *4增益:15.5dB *5最大功率值 :1.25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:1.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:17dB ~ 18dB *5最大功率值 :1.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 150mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列: 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）: *4增益:25dB *5最大功率值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 2mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:Military, MIL-PRF-19500/343 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:12.5dB ~ 21dB @ 450MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):36V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:18dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :19.4W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):750mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：-
4增益：21dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：40mA
外壳：3-SMD，无引线
封装：UB
料号：JTG3-4180
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JAN2N2857UB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N2857UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N2857UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N2857UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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