首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 射频-晶体管
元器件型号：1346 件
当前类别共1346 件相关商品

系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

*晶体管类型

清除

*电压 - 集射极击穿（最大值）

清除

*频率 - 跃迁

清除

噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

清除

*增益

清除

*功率 - 最大值

清除

不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

清除

电流 - 集电极（ic）（最大值）

清除

工作温度

清除

安装类型

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 1346
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MS1336
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 18V 175MHZ M135
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：18V
3频率-跃迁：175MHz
4增益：10dB
5最大功率值 ：70W
6集电极-最大电流(ic)：8A
外壳：M135
封装：M135
料号：JTG3-4181
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS1336' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1336' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1336' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1336' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MS1261
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 18V 175MHZ M122
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :34W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：18V
3频率-跃迁：175MHz
4增益：12dB
5最大功率值 ：34W
6集电极-最大电流(ic)：2.5A
外壳：M122
封装：M122
料号：JTG3-4182
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS1261' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1261' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1261' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1261' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： JANTXV2N2857UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 15V 0.04A UB
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :34W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：-
4增益：21dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：40mA
外壳：3-SMD，无引线
封装：UB
料号：JTG3-4183
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTXV2N2857UB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N2857UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N2857UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N2857UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1090MP
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :34W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.08dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :250W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):6.5A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：1.025GHz ~ 1.15GHz
4增益：8.08dB ~ 8.5dB
5最大功率值 ：250W
6集电极-最大电流(ic)：6.5A
外壳：55FW-1
封装：55FW-1
料号：JTG3-4184
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1090MP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1090MP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1090MP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1090MP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1035MP
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :34W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.08dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :250W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):6.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：1.025GHz ~ 1.15GHz
4增益：10dB ~ 10.5dB
5最大功率值 ：125W
6集电极-最大电流(ic)：2.5A
外壳：55FW-1
封装：55FW-1
料号：JTG3-4185
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1035MP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1035MP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1035MP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1035MP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2A8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 21V 2GHZ 55EU
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :34W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.08dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :250W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):6.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):21V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：21V
3频率-跃迁：2GHz
4增益：7dB ~ 9dB
5最大功率值 ：5.3W
6集电极-最大电流(ic)：300mA
外壳：55EU
封装：55EU
料号：JTG3-4186
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2A8' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2A8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2A8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2A8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TPR175
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :34W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.08dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :250W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):6.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):21V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：55V
3频率-跃迁：1.03GHz ~ 1.09GHz
4增益：8dB ~ 9dB
5最大功率值 ：290W
6集电极-最大电流(ic)：9A
外壳：55CX
封装：55CX
料号：JTG3-4187
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TPR175' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPR175' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPR175' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPR175' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 0912-7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55CX
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :34W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.08dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :250W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):6.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):21V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：60V
3频率-跃迁：960MHz ~ 1.215GHz
4增益：8.5dB
5最大功率值 ：50W
6集电极-最大电流(ic)：1A
外壳：55CX
封装：55CX
料号：JTG3-4188
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '0912-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '0912-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '0912-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '0912-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 23A025
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :34W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.08dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :250W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):6.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):21V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.3dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 420mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.2A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：22V
3频率-跃迁：3.7GHz
4增益：6dB ~ 6.3dB
5最大功率值 ：9W
6集电极-最大电流(ic)：1.2A
外壳：55BT
封装：55BT
料号：JTG3-4189
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '23A025' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '23A025' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '23A025' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '23A025' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MDS70
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55CX
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :34W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.08dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :250W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):6.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):21V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.3dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 420mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.3dB ~ 11.65dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：1.03GHz ~ 1.09GHz
4增益：10.3dB ~ 11.65dB
5最大功率值 ：225W
6集电极-最大电流(ic)：5A
外壳：55CX
封装：55CX
料号：JTG3-4190
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MDS70' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDS70' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDS70' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDS70' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 0912-45
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55CT
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :34W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.08dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :250W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):6.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):21V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.3dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 420mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.3dB ~ 11.65dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：60V
3频率-跃迁：960MHz ~ 1.215GHz
4增益：8dB ~ 9dB
5最大功率值 ：225W
6集电极-最大电流(ic)：4.5A
外壳：55CT
封装：55CT
料号：JTG3-4191
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '0912-45' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '0912-45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '0912-45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '0912-45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MS1509
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 33V 500MHZ M168
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :34W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.08dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :250W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):6.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):21V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.3dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 420mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.3dB ~ 11.65dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):33V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.5dBi *5最大功率值 :260W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1mA，5V *6集电极-最大电流(ic):15A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：33V
3频率-跃迁：500MHz
4增益：5.5dBi
5最大功率值 ：260W
6集电极-最大电流(ic)：15A
外壳：M168
封装：M168
料号：JTG3-4192
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS1509' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1509' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1509' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1509' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1014-6A
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LV
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :34W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.08dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :250W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):6.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):21V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.3dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 420mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.3dB ~ 11.65dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):33V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.5dBi *5最大功率值 :260W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1mA，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 7.5dB *5最大功率值 :19W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：50V
3频率-跃迁：1GHz ~ 1.4GHz
4增益：7dB ~ 7.5dB
5最大功率值 ：19W
6集电极-最大电流(ic)：1A
外壳：55LV
封装：55LV
料号：JTG3-4193
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1014-6A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1014-6A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1014-6A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1014-6A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MS1582
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 30V 860MHZ M173
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :34W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.08dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :250W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):6.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):21V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.3dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 420mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.3dB ~ 11.65dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):33V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.5dBi *5最大功率值 :260W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1mA，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 7.5dB *5最大功率值 :19W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :135W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 3A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：30V
3频率-跃迁：470MHz ~ 860MHz
4增益：9dB
5最大功率值 ：135W
6集电极-最大电流(ic)：8A
外壳：M173
封装：M173
料号：JTG3-4194
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS1582' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1582' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1582' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1582' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1014-12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :34W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.08dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :250W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):6.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):21V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.3dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 420mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.3dB ~ 11.65dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):33V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.5dBi *5最大功率值 :260W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1mA，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 7.5dB *5最大功率值 :19W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :135W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 3A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.8dB *5最大功率值 :39W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：50V
3频率-跃迁：1GHz ~ 1.4GHz
4增益：6.8dB
5最大功率值 ：39W
6集电极-最大电流(ic)：5A
外壳：55LT
封装：55LT
料号：JTG3-4195
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1014-12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1014-12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1014-12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1014-12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MDS140L
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 70V 1.09GHZ 55AW
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :34W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.08dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :250W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):6.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):21V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.3dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 420mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.3dB ~ 11.65dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):33V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.5dBi *5最大功率值 :260W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1mA，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 7.5dB *5最大功率值 :19W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :135W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 3A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.8dB *5最大功率值 :39W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):70V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :500W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：70V
3频率-跃迁：1.03GHz ~ 1.09GHz
4增益：9.5dB
5最大功率值 ：500W
6集电极-最大电流(ic)：12A
外壳：55AW
封装：55AW
料号：JTG3-4196
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MDS140L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDS140L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDS140L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDS140L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TAN150
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AT
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :34W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.08dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :250W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):6.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):21V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.3dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 420mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.3dB ~ 11.65dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):33V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.5dBi *5最大功率值 :260W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1mA，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 7.5dB *5最大功率值 :19W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :135W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 3A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.8dB *5最大功率值 :39W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):70V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :500W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :583W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):15A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：55V
3频率-跃迁：960MHz ~ 1.215GHz
4增益：7dB
5最大功率值 ：583W
6集电极-最大电流(ic)：15A
外壳：55AT
封装：55AT
料号：JTG3-4197
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TAN150' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TAN150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TAN150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TAN150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TPR400
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :34W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.08dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :250W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):6.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):21V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.3dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 420mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.3dB ~ 11.65dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):33V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.5dBi *5最大功率值 :260W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1mA，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 7.5dB *5最大功率值 :19W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :135W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 3A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.8dB *5最大功率值 :39W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):70V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :500W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :583W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.27dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 2.5A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：55V
3频率-跃迁：1.03GHz ~ 1.09GHz
4增益：7.27dB
5最大功率值 ：875W
6集电极-最大电流(ic)：30A
外壳：55CX
封装：55CX
料号：JTG3-4198
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TPR400' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPR400' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPR400' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPR400' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MS2209
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 225MHZ M218
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :34W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.08dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :250W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):6.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):21V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.3dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 420mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.3dB ~ 11.65dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):33V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.5dBi *5最大功率值 :260W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1mA，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 7.5dB *5最大功率值 :19W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :135W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 3A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.8dB *5最大功率值 :39W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):70V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :500W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :583W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.27dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 2.5A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:225MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 2A，5V *6集电极-最大电流(ic):7A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：225MHz
4增益：8.4dB
5最大功率值 ：220W
6集电极-最大电流(ic)：7A
外壳：M218
封装：M218
料号：JTG3-4199
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS2209' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2209' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2209' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2209' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2731-20
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS RF BIPO 70W 1.85 55KCR-1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :34W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.08dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :250W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):6.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB ~ 10.5dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):21V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.3dB *5最大功率值 :9W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 420mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.3dB ~ 11.65dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 9dB *5最大功率值 :225W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):33V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:5.5dBi *5最大功率值 :260W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1mA，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 7.5dB *5最大功率值 :19W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :135W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 3A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.8dB *5最大功率值 :39W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):70V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :500W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :583W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.27dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 2.5A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:225MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 2A，5V *6集电极-最大电流(ic):7A 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 3.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）: *4增益:8.2dB *5最大功率值 :70W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）: *6集电极-最大电流(ic):1.85A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：2.7GHz ~ 3.1GHz
4增益：8.2dB
5最大功率值 ：70W
6集电极-最大电流(ic)：1.85A
外壳：55KCR-1
封装：55KCR-1
料号：JTG3-4200
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2731-20' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2731-20' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2731-20' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2731-20' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有1346个记录    每页显示20条，本页1161-1180条    59/68页    首 页    上一页   55  56  57  58  59  60  61  62  63   下一页    尾 页      
复制成功

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科芯查介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科芯查有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922