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元器件型号：1346 件
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制造商统称

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*晶体管类型

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*电压 - 集射极击穿（最大值）

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*频率 - 跃迁

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噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

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*增益

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*功率 - 最大值

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不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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电流 - 集电极（ic）（最大值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： JTDB75
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.2dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：55V
3频率-跃迁：960MHz ~ 1.215GHz
4增益：7dB ~ 8.2dB
5最大功率值 ：220W
6集电极-最大电流(ic)：8A
外壳：55AW
封装：55AW
料号：JTG3-4201
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JTDB75' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JTDB75' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JTDB75' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JTDB75' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MDS60L
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55AW
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.2dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :120W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：1.03GHz ~ 1.09GHz
4增益：10dB
5最大功率值 ：120W
6集电极-最大电流(ic)：4A
外壳：55AW
封装：55AW
料号：JTG3-4202
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MDS60L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDS60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDS60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDS60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MS2210
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M216
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.2dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :120W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :940W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):24A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：960MHz ~ 1.215GHz
4增益：7dB
5最大功率值 ：940W
6集电极-最大电流(ic)：24A
外壳：M216
封装：M216
料号：JTG3-4203
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS2210' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2210' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2210' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2210' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1517-20M
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1.65GHZ 55LV-1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.2dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :120W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :940W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):24A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.48GHz ~ 1.65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB ~ 9.3dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：1.48GHz ~ 1.65GHz
4增益：7.6dB ~ 9.3dB
5最大功率值 ：175W
6集电极-最大电流(ic)：3A
外壳：55LV-1
封装：55LV-1
料号：JTG3-4204
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1517-20M' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1517-20M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1517-20M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1517-20M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1214-30
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.2dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :120W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :940W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):24A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.48GHz ~ 1.65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB ~ 9.3dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :88W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：50V
3频率-跃迁：1.2GHz ~ 1.4GHz
4增益：7dB
5最大功率值 ：88W
6集电极-最大电流(ic)：4A
外壳：55AW
封装：55AW
料号：JTG3-4205
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1214-30' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1214-30' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1214-30' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1214-30' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： UTV080
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.2dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :120W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :940W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):24A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.48GHz ~ 1.65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB ~ 9.3dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :88W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):28V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 10dB *5最大功率值 :65W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：28V
3频率-跃迁：470MHz ~ 860MHz
4增益：9dB ~ 10dB
5最大功率值 ：65W
6集电极-最大电流(ic)：2.5A
外壳：55JV
封装：55JV
料号：JTG3-4206
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UTV080' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UTV080' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UTV080' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UTV080' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DME500
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55KT
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.2dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :120W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :940W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):24A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.48GHz ~ 1.65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB ~ 9.3dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :88W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):28V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 10dB *5最大功率值 :65W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.5dB *5最大功率值 :1700W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):40A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：55V
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4增益：6dB ~ 6.5dB
5最大功率值 ：1700W
6集电极-最大电流(ic)：40A
外壳：55KT
封装：55KT
料号：JTG3-4207
包装：
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型号： 1214-32L
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW-1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.2dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :120W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :940W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):24A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.48GHz ~ 1.65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB ~ 9.3dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :88W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):28V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 10dB *5最大功率值 :65W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.5dB *5最大功率值 :1700W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.9dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：50V
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5最大功率值 ：125W
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料号：JTG3-4208
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1214-32L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： TAN250A
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55AW
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6集电极-最大电流(ic)：30A
外壳：55AW
封装：55AW
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包装：
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参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.2dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :120W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :940W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):24A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.48GHz ~ 1.65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB ~ 9.3dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :88W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):28V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 10dB *5最大功率值 :65W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.5dB *5最大功率值 :1700W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.9dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.2db ~ 7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：50V
3频率-跃迁：1.2GHz ~ 1.4GHz
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6集电极-最大电流(ic)：8A
外壳：55AW
封装：55AW
料号：JTG3-4210
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1214-55' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： JTDB25
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1
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外壳：55AW-1
封装：55AW-1
料号：JTG3-4211
包装：
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型号： TAN300
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55KT
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.2dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :120W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :940W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):24A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.48GHz ~ 1.65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB ~ 9.3dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :88W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):28V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 10dB *5最大功率值 :65W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.5dB *5最大功率值 :1700W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.9dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.2db ~ 7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :97W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.6dB *5最大功率值 :1166W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1mA，5V *6集电极-最大电流(ic):20A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：960MHz ~ 1.215GHz
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6集电极-最大电流(ic)：20A
外壳：55KT
封装：55KT
料号：JTG3-4212
包装：
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型号： 2729-125
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS RF BIPO 350W 15A 55KS1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.2dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :120W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :940W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):24A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.48GHz ~ 1.65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB ~ 9.3dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :88W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):28V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 10dB *5最大功率值 :65W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.5dB *5最大功率值 :1700W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.9dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.2db ~ 7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :97W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.6dB *5最大功率值 :1166W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1mA，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 2.9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）: *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 600mA，5V *6集电极-最大电流(ic):15A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
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6集电极-最大电流(ic)：15A
外壳：55KS-1
封装：55KS-1
料号：JTG3-4213
包装： 散装
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型号： 0910-60M
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1GHZ 55AW
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.2dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :120W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :940W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):24A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.48GHz ~ 1.65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB ~ 9.3dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :88W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):28V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 10dB *5最大功率值 :65W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.5dB *5最大功率值 :1700W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.9dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.2db ~ 7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :97W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.6dB *5最大功率值 :1166W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1mA，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 2.9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）: *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 600mA，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:890MHz ~ 1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :180W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):8A
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外壳：55AW
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料号：JTG3-4214
包装：
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型号： 1214-220M
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 70V 1.4GHZ 55ST
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.2dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :120W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :940W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):24A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.48GHz ~ 1.65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB ~ 9.3dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :88W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):28V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 10dB *5最大功率值 :65W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.5dB *5最大功率值 :1700W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.9dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.2db ~ 7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :97W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.6dB *5最大功率值 :1166W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1mA，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 2.9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）: *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 600mA，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:890MHz ~ 1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :180W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):70V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.4dB *5最大功率值 :700W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A
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外壳：55ST
封装：55ST
料号：JTG3-4215
包装：
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型号： TPR700
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KT
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.2dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :120W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :940W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):24A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.48GHz ~ 1.65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB ~ 9.3dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :88W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):28V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 10dB *5最大功率值 :65W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.5dB *5最大功率值 :1700W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.9dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.2db ~ 7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :97W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.6dB *5最大功率值 :1166W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1mA，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 2.9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）: *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 600mA，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:890MHz ~ 1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :180W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):70V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.4dB *5最大功率值 :700W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.7dB *5最大功率值 :2050W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):55A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：1.03GHz ~ 1.09GHz
4增益：6.7dB
5最大功率值 ：2050W
6集电极-最大电流(ic)：55A
外壳：55KT
封装：55KT
料号：JTG3-4216
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TPR700' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： 1214-300M
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55ST
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.2dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :120W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :940W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):24A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.48GHz ~ 1.65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB ~ 9.3dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :88W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):28V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 10dB *5最大功率值 :65W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.5dB *5最大功率值 :1700W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.9dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.2db ~ 7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :97W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.6dB *5最大功率值 :1166W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1mA，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 2.9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）: *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 600mA，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:890MHz ~ 1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :180W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):70V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.4dB *5最大功率值 :700W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.7dB *5最大功率值 :2050W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):55A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :88W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：50V
3频率-跃迁：1.2GHz ~ 1.4GHz
4增益：7dB
5最大功率值 ：88W
6集电极-最大电流(ic)：4A
外壳：55ST
封装：55ST
料号：JTG3-4217
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1214-300M' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1214-300M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1214-300M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1517-110M
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 70V 1.65GHZ 55AW-1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.2dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :120W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :940W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):24A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.48GHz ~ 1.65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB ~ 9.3dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :88W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):28V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 10dB *5最大功率值 :65W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.5dB *5最大功率值 :1700W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.9dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.2db ~ 7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :97W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.6dB *5最大功率值 :1166W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1mA，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 2.9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）: *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 600mA，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:890MHz ~ 1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :180W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):70V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.4dB *5最大功率值 :700W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.7dB *5最大功率值 :2050W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):55A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :88W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):70V *3频率-跃迁:1.48GHz ~ 1.65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.3dB ~ 8.6dB *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):9A
1晶体管类型：NPN
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4增益：7.3dB ~ 8.6dB
5最大功率值 ：350W
6集电极-最大电流(ic)：9A
外壳：55AW-1
封装：55AW-1
料号：JTG3-4218
包装：
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合作现货:0
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型号： 1214-150L
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1.4GHZ 55ST-1
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1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
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4增益：7.15dB ~ 8.7dB
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外壳：55ST-1
封装：55ST-1
料号：JTG3-4219
包装：
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型号： 0510-50A
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS 27V 1GHZ 55AV
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.2dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :120W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :940W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):24A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.48GHz ~ 1.65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB ~ 9.3dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :88W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):28V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 10dB *5最大功率值 :65W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB ~ 6.5dB *5最大功率值 :1700W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.9dB *5最大功率值 :125W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.2db ~ 7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :97W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.6dB *5最大功率值 :1166W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1mA，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 2.9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）: *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 600mA，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:890MHz ~ 1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :180W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):70V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.4dB *5最大功率值 :700W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.7dB *5最大功率值 :2050W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):55A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :88W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):70V *3频率-跃迁:1.48GHz ~ 1.65GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.3dB ~ 8.6dB *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.15dB ~ 8.7dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):27V *3频率-跃迁:500MHz ~ 1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3.7A
1晶体管类型：-
2集射极击穿-最大电压(V)：27V
3频率-跃迁：500MHz ~ 1GHz
4增益：7dB
5最大功率值 ：50W
6集电极-最大电流(ic)：3.7A
外壳：55AV
封装：55AV
料号：JTG3-4220
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '0510-50A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '0510-50A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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