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元器件型号：1346 件
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*晶体管类型

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*电压 - 集射极击穿（最大值）

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*频率 - 跃迁

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噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

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*增益

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*功率 - 最大值

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不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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电流 - 集电极（ic）（最大值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MRF586
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):17V *3频率-跃迁:3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：17V
3频率-跃迁：3GHz
4增益：13.5dB
5最大功率值 ：1W
6集电极-最大电流(ic)：200mA
外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
封装：TO-39
料号：JTG3-4241
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF586' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF586' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF586' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF586' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MS1001
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):17V *3频率-跃迁:3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：18V
3频率-跃迁：30MHz
4增益：13dB
5最大功率值 ：270W
6集电极-最大电流(ic)：20A
外壳：M174
封装：M174
料号：JTG3-4242
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS1001' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MS1003
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):17V *3频率-跃迁:3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:136MHz ~ 175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：18V
3频率-跃迁：136MHz ~ 175MHz
4增益：6dB
5最大功率值 ：270W
6集电极-最大电流(ic)：20A
外壳：M111
封装：M111
料号：JTG3-4243
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS1003' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MS1004
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 55V 30MHZ M177
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):17V *3频率-跃迁:3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:136MHz ~ 175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14.5dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：55V
3频率-跃迁：30MHz
4增益：14.5dB
5最大功率值 ：330W
6集电极-最大电流(ic)：40A
外壳：M177
封装：M177
料号：JTG3-4244
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS1004' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1004' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1004' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1004' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MS1008
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 55V 30MHZ M164
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):17V *3频率-跃迁:3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:136MHz ~ 175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14.5dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：55V
3频率-跃迁：30MHz
4增益：14dB
5最大功率值 ：233W
6集电极-最大电流(ic)：10A
外壳：M164
封装：M164
料号：JTG3-4245
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS1008' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1008' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1008' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1008' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MS1076
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 35V 30MHZ M174
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):17V *3频率-跃迁:3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:136MHz ~ 175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14.5dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：35V
3频率-跃迁：30MHz
4增益：12dB
5最大功率值 ：320W
6集电极-最大电流(ic)：16A
外壳：M174
封装：M174
料号：JTG3-4246
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS1076' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1076' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1076' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1076' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MS652S
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):17V *3频率-跃迁:3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:136MHz ~ 175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14.5dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：16V
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4增益：10dB
5最大功率值 ：25W
6集电极-最大电流(ic)：2A
外壳：M123
封装：M123
料号：JTG3-4247
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS652S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： MSC1175M
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):17V *3频率-跃迁:3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:136MHz ~ 175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14.5dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :400W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A
1晶体管类型：NPN
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6集电极-最大电流(ic)：12A
外壳：M218
封装：M218
料号：JTG3-4248
包装：
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型号： MSC1350M
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):17V *3频率-跃迁:3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:136MHz ~ 175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14.5dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :400W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 7.1dB *5最大功率值 :720W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):19.8A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
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4增益：7dB ~ 7.1dB
5最大功率值 ：720W
6集电极-最大电流(ic)：19.8A
外壳：M218
封装：M218
料号：JTG3-4249
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC1350M' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC1350M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MSC1450M
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M216
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):17V *3频率-跃迁:3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:136MHz ~ 175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14.5dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :400W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 7.1dB *5最大功率值 :720W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):19.8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :910W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):28A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：1.09GHz
4增益：7dB
5最大功率值 ：910W
6集电极-最大电流(ic)：28A
外壳：M216
封装：M216
料号：JTG3-4250
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC1450M' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC1450M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC1450M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC1450M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： S200-50
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):17V *3频率-跃迁:3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:136MHz ~ 175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14.5dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :400W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 7.1dB *5最大功率值 :720W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):19.8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :910W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):28A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):110V *3频率-跃迁:1.5MHz ~ 30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A
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外壳：55HX
封装：55HX
料号：JTG3-4251
包装：
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型号： TAN75A
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 50V 1.215GHZ 55AZ
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):17V *3频率-跃迁:3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:136MHz ~ 175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14.5dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :400W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 7.1dB *5最大功率值 :720W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):19.8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :910W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):28A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):110V *3频率-跃迁:1.5MHz ~ 30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 15mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：50V
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6集电极-最大电流(ic)：9A
外壳：55AZ
封装：55AZ
料号：JTG3-4252
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TAN75A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： UMIL3
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 30V 400MHZ 55FT
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):17V *3频率-跃迁:3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:136MHz ~ 175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14.5dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :400W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 7.1dB *5最大功率值 :720W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):19.8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :910W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):28A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):110V *3频率-跃迁:1.5MHz ~ 30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 15mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.8db ~ 13dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100A，5V *6集电极-最大电流(ic):700mA
1晶体管类型：NPN
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMIL3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： UTV040
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):17V *3频率-跃迁:3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:136MHz ~ 175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14.5dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :400W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 7.1dB *5最大功率值 :720W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):19.8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :910W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):28A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):110V *3频率-跃迁:1.5MHz ~ 30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 15mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.8db ~ 13dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100A，5V *6集电极-最大电流(ic):700mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：25V
3频率-跃迁：470MHz ~ 860MHz
4增益：9dB
5最大功率值 ：25W
6集电极-最大电流(ic)：2.5A
外壳：55FT
封装：55FT
料号：JTG3-4254
包装：
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合作现货:0
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型号： UMIL80
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 31V 500MHZ 55HV
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):17V *3频率-跃迁:3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:136MHz ~ 175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14.5dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :400W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 7.1dB *5最大功率值 :720W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):19.8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :910W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):28A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):110V *3频率-跃迁:1.5MHz ~ 30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 15mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.8db ~ 13dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100A，5V *6集电极-最大电流(ic):700mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):31V *3频率-跃迁:200MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：31V
3频率-跃迁：200MHz ~ 500MHz
4增益：9dB ~ 9.5dB
5最大功率值 ：220W
6集电极-最大电流(ic)：12A
外壳：55HV
封装：55HV
料号：JTG3-4255
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMIL80' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMIL80' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMIL80' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMIL80' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： UMIL100A
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 31V 400MHZ 55JU
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):17V *3频率-跃迁:3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:136MHz ~ 175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14.5dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :400W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 7.1dB *5最大功率值 :720W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):19.8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :910W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):28A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):110V *3频率-跃迁:1.5MHz ~ 30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 15mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.8db ~ 13dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100A，5V *6集电极-最大电流(ic):700mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):31V *3频率-跃迁:200MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):31V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.2dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：31V
3频率-跃迁：225MHz ~ 400MHz
4增益：7.2dB ~ 8.5dB
5最大功率值 ：270W
6集电极-最大电流(ic)：20A
外壳：55JU
封装：55JU
料号：JTG3-4256
包装：
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合作现货:0
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型号： 1214-300
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55KT
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):17V *3频率-跃迁:3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:136MHz ~ 175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14.5dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :400W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 7.1dB *5最大功率值 :720W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):19.8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :910W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):28A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):110V *3频率-跃迁:1.5MHz ~ 30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 15mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.8db ~ 13dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100A，5V *6集电极-最大电流(ic):700mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):31V *3频率-跃迁:200MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):31V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.2dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :88W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：50V
3频率-跃迁：1.2GHz ~ 1.4GHz
4增益：7dB
5最大功率值 ：88W
6集电极-最大电流(ic)：4A
外壳：55KT
封装：55KT
料号：JTG3-4257
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1214-300' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1214-300' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1214-300' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1214-300' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2224-6L
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 40V 2.4GHZ 55LV
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):17V *3频率-跃迁:3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:136MHz ~ 175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14.5dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :400W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 7.1dB *5最大功率值 :720W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):19.8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :910W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):28A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):110V *3频率-跃迁:1.5MHz ~ 30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 15mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.8db ~ 13dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100A，5V *6集电极-最大电流(ic):700mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):31V *3频率-跃迁:200MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):31V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.2dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :88W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:2.2GHz ~ 2.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :22W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):1.25A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：40V
3频率-跃迁：2.2GHz ~ 2.4GHz
4增益：7dB
5最大功率值 ：22W
6集电极-最大电流(ic)：1.25A
外壳：55LV
封装：55LV
料号：JTG3-4258
包装：
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合作现货:0
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型号： 23A005
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 22V 4.3GHZ 55BT
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):17V *3频率-跃迁:3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:136MHz ~ 175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14.5dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :400W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 7.1dB *5最大功率值 :720W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):19.8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :910W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):28A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):110V *3频率-跃迁:1.5MHz ~ 30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 15mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.8db ~ 13dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100A，5V *6集电极-最大电流(ic):700mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):31V *3频率-跃迁:200MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):31V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.2dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :88W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:2.2GHz ~ 2.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :22W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):1.25A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:4.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA
1晶体管类型：NPN
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6集电极-最大电流(ic)：400mA
外壳：55BT
封装：55BT
料号：JTG3-4259
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 23A008
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):17V *3频率-跃迁:3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):200mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:136MHz ~ 175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14.5dB *5最大功率值 :330W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 10A，6V *6集电极-最大电流(ic):40A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :233W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):10A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 7A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :400W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 7.1dB *5最大功率值 :720W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):19.8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :910W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):28A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):110V *3频率-跃迁:1.5MHz ~ 30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB ~ 14.5dB *5最大功率值 :320W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):30A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 15mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11.8db ~ 13dB *5最大功率值 :11W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 100A，5V *6集电极-最大电流(ic):700mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):31V *3频率-跃迁:200MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):12A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):31V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.2dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:1.2GHz ~ 1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :88W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:2.2GHz ~ 2.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :22W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):1.25A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:4.3GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：22V
3频率-跃迁：3.7GHz
4增益：8.5dB ~ 9.5dB
5最大功率值 ：5W
6集电极-最大电流(ic)：400mA
外壳：55BT
封装：55BT
料号：JTG3-4260
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '23A008' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '23A008' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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