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元器件型号：1346 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*晶体管类型

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*电压 - 集射极击穿（最大值）

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*频率 - 跃迁

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噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

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*增益

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*功率 - 最大值

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不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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电流 - 集电极（ic）（最大值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 2A5
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55ET
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.4GHz ~ 3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：22V
3频率-跃迁：3.4GHz ~ 3.7GHz
4增益：7dB ~ 9dB
5最大功率值 ：5.3W
6集电极-最大电流(ic)：3mA
外壳：55ET
封装：55ET
料号：JTG3-4261
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2A5' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2A5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2A5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2A5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MS1227
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 18V 30MHZ M113
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.4GHz ~ 3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：18V
3频率-跃迁：30MHz
4增益：15dB
5最大功率值 ：80W
6集电极-最大电流(ic)：4.5A
外壳：M113
封装：M113
料号：JTG3-4262
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS1227' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1227' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1227' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1227' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MS1649
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 16V 470MHZ TO39
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.4GHz ~ 3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :7.8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：16V
3频率-跃迁：470MHz
4增益：9.5dB
5最大功率值 ：7.8W
6集电极-最大电流(ic)：1A
外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
封装：TO-39
料号：JTG3-4263
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS1649' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1649' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1649' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1649' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MS2200
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.4GHz ~ 3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :7.8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:400MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.7dB *5最大功率值 :1167W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):43.2A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：400MHz ~ 500MHz
4增益：9.7dB
5最大功率值 ：1167W
6集电极-最大电流(ic)：43.2A
外壳：M102
封装：M102
料号：JTG3-4264
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS2200' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2200' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2200' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2200' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MS2201
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 45V 1.15GHZ M220
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.4GHz ~ 3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :7.8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:400MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.7dB *5最大功率值 :1167W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):43.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):45V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:0.95 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):250mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：45V
3频率-跃迁：1.025GHz ~ 1.15GHz
4增益：9dB
5最大功率值 ：10W
6集电极-最大电流(ic)：250mA
外壳：M220
封装：M220
料号：JTG3-4265
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS2201' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2201' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2201' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2201' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： TAN15
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 50V 1.215GHZ 55LT
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.4GHz ~ 3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :7.8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:400MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.7dB *5最大功率值 :1167W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):43.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):45V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:0.95 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：50V
3频率-跃迁：960MHz ~ 1.215GHz
4增益：7dB ~ 8dB
5最大功率值 ：175W
6集电极-最大电流(ic)：2A
外壳：55LT
封装：55LT
料号：JTG3-4266
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TAN15' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TAN15' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TAN15' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TAN15' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： UTV8100B
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.4GHz ~ 3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :7.8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:400MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.7dB *5最大功率值 :1167W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):43.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):45V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:0.95 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):15A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：60V
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4增益：8.5dB ~ 9.5dB
5最大功率值 ：290W
6集电极-最大电流(ic)：15A
外壳：55RT
封装：55RT
料号：JTG3-4267
包装：
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合作现货:0
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型号： SD1013-03
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 35V 150MHZ M113
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封装：M113
料号：JTG3-4268
包装：
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 35V 175MHZ M113
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封装：M113
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包装：
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型号： SD1224
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.4GHz ~ 3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :7.8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:400MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.7dB *5最大功率值 :1167W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):43.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):45V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:0.95 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：35V
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外壳：M135
封装：M135
料号：JTG3-4270
包装：
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型号： SD1127
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.4GHz ~ 3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :7.8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:400MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.7dB *5最大功率值 :1167W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):43.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):45V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:0.95 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):640mA
1晶体管类型：NPN
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4增益：12dB
5最大功率值 ：8W
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外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
封装：TO-39
料号：JTG3-4271
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1127' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SD1444
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 16V 512MHZ TO39
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.4GHz ~ 3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :7.8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:400MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.7dB *5最大功率值 :1167W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):43.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):45V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:0.95 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):640mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA
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4增益：8dB
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6集电极-最大电流(ic)：400mA
外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
封装：TO-39
料号：JTG3-4272
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SD1444' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1444' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1444' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1444' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2N3866A
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 30V 400MHZ TO39
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.4GHz ~ 3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :7.8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:400MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.7dB *5最大功率值 :1167W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):43.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):45V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:0.95 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):640mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：30V
3频率-跃迁：400MHz
4增益：-
5最大功率值 ：1W
6集电极-最大电流(ic)：400mA
外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
封装：TO-39
料号：JTG3-4273
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N3866A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N3866A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2N5031
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO72
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.4GHz ~ 3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :7.8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:400MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.7dB *5最大功率值 :1167W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):43.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):45V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:0.95 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):640mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB @ 400MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：400MHz
4增益：12dB @ 400MHz
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：20mA
外壳：TO-206AF，TO-72-4 金属罐
封装：TO-72
料号：JTG3-4274
包装：
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合作现货:0
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型号： MDS150
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.4GHz ~ 3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :7.8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:400MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.7dB *5最大功率值 :1167W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):43.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):45V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:0.95 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):640mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB @ 400MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：60V
3频率-跃迁：1.03GHz ~ 1.09GHz
4增益：10dB
5最大功率值 ：350W
6集电极-最大电流(ic)：4A
外壳：55AW
封装：55AW
料号：JTG3-4275
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MDS150' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDS150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDS150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDS150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： MS2202
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 3.5V 1.15GHZ M115
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.4GHz ~ 3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :7.8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:400MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.7dB *5最大功率值 :1167W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):43.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):45V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:0.95 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):640mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB @ 400MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):250mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：3.5V
3频率-跃迁：1.025GHz ~ 1.15GHz
4增益：9dB
5最大功率值 ：10W
6集电极-最大电流(ic)：250mA
外壳：M115
封装：M115
料号：JTG3-4276
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS2202' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： MS2207
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M216
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.4GHz ~ 3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :7.8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:400MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.7dB *5最大功率值 :1167W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):43.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):45V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:0.95 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):640mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB @ 400MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :880W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):24A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：1.09GHz
4增益：8dB
5最大功率值 ：880W
6集电极-最大电流(ic)：24A
外壳：M216
封装：M216
料号：JTG3-4277
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS2207' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2207' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2207' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： MS2211
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 48V 1.215GHZ M222
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.4GHz ~ 3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :7.8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:400MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.7dB *5最大功率值 :1167W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):43.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):45V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:0.95 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):640mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB @ 400MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :880W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):24A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):48V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.3dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):900mA
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：48V
3频率-跃迁：960MHz ~ 1.215GHz
4增益：9.3dB
5最大功率值 ：25W
6集电极-最大电流(ic)：900mA
外壳：M222
封装：M222
料号：JTG3-4278
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS2211' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： MS2212
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M222
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.4GHz ~ 3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :7.8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:400MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.7dB *5最大功率值 :1167W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):43.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):45V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:0.95 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):640mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB @ 400MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :880W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):24A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):48V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.3dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):900mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.1dB ~ 8.9dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.8A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：55V
3频率-跃迁：960MHz ~ 1.215GHz
4增益：8.1dB ~ 8.9dB
5最大功率值 ：50W
6集电极-最大电流(ic)：1.8A
外壳：M222
封装：M222
料号：JTG3-4279
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MS2213
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M214
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):22V *3频率-跃迁:3.4GHz ~ 3.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 9dB *5最大功率值 :5.3W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:15dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):4.5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:470MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.5dB *5最大功率值 :7.8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:400MHz ~ 500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.7dB *5最大功率值 :1167W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):43.2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):45V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:0.95 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):50V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.5dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :290W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):15A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.6dB *5最大功率值 :60W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB *5最大功率值 :8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):640mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):16V *3频率-跃迁:450MHz ~ 512MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):400mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:12dB @ 400MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 1mA，6V *6集电极-最大电流(ic):20mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :350W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):4A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):3.5V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):250mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB *5最大功率值 :880W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):24A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):48V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9.3dB *5最大功率值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):900mA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.1dB ~ 8.9dB *5最大功率值 :50W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.8A 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB *5最大功率值 :75W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):3.5A
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：55V
3频率-跃迁：960MHz ~ 1.215GHz
4增益：7.8dB
5最大功率值 ：75W
6集电极-最大电流(ic)：3.5A
外壳：M214
封装：M214
料号：JTG3-4280
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2213' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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