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元器件型号：1346 件
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制造商统称

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*晶体管类型

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*电压 - 集射极击穿（最大值）

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*频率 - 跃迁

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噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

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*增益

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*功率 - 最大值

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不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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电流 - 集电极（ic）（最大值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MS2215
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M216
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :300W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):16.5A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：55V
3频率-跃迁：960MHz ~ 1.215GHz
4增益：7.5dB
5最大功率值 ：300W
6集电极-最大电流(ic)：16.5A
外壳：M216
封装：M216
料号：JTG3-4281
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS2215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MS2267
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ M214
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :300W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):16.5A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：60V
3频率-跃迁：960MHz ~ 1.215GHz
4增益：8dB ~ 8.7dB
5最大功率值 ：575W
6集电极-最大电流(ic)：20A
外壳：M214
封装：M214
料号：JTG3-4282
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS2267' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2267' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2267' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2267' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 0204-125
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 60V 400MHZ 55JT
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :300W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):16.5A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：60V
3频率-跃迁：225MHz ~ 400MHz
4增益：7dB ~ 8.5dB
5最大功率值 ：270W
6集电极-最大电流(ic)：16A
外壳：55JT
封装：55JT
料号：JTG3-4283
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '0204-125' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '0204-125' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '0204-125' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '0204-125' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MS2341
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :300W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):16.5A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：1.025GHz ~ 1.15GHz
4增益：9dB
5最大功率值 ：87.5W
6集电极-最大电流(ic)：2.6A
外壳：M115
封装：M115
料号：JTG3-4284
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS2341' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2341' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2341' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2341' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MS2361
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :300W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):16.5A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：1.025GHz ~ 1.15GHz
4增益：9dB
5最大功率值 ：87.5W
6集电极-最大电流(ic)：2.6A
外壳：M115
封装：M115
料号：JTG3-4285
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS2361' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2361' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2361' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2361' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MS2393
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M138
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :300W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):16.5A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.2dB *5最大功率值 :583W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):11A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：1.025GHz ~ 1.15GHz
4增益：8.2dB
5最大功率值 ：583W
6集电极-最大电流(ic)：11A
外壳：M138
封装：M138
料号：JTG3-4286
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS2393' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2393' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2393' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2393' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MS2421
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M103
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :300W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):16.5A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.2dB *5最大功率值 :583W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):11A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：1.025GHz ~ 1.15GHz
4增益：6.3dB
5最大功率值 ：875W
6集电极-最大电流(ic)：22A
外壳：M103
封装：M103
料号：JTG3-4287
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS2421' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2421' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MS2422
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M138
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :300W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):16.5A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.2dB *5最大功率值 :583W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):11A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：960MHz ~ 1.215GHz
4增益：6.3dB
5最大功率值 ：875W
6集电极-最大电流(ic)：22A
外壳：M138
封装：M138
料号：JTG3-4288
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS2422' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2422' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2422' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2422' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MS2228
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M214
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :300W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):16.5A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.2dB *5最大功率值 :583W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):11A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5.4A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：1.03GHz ~ 1.09GHz
4增益：9dB
5最大功率值 ：175W
6集电极-最大电流(ic)：5.4A
外壳：M214
封装：M214
料号：JTG3-4289
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS2228' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2228' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2228' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2228' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 10A030
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 24V 2.5GHZ 55FT
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :300W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):16.5A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.2dB *5最大功率值 :583W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):11A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5.4A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.5A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:接线柱安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：24V
3频率-跃迁：2.5GHz
4增益：7.8dB ~ 8.5dB
5最大功率值 ：13W
6集电极-最大电流(ic)：1.5A
外壳：55FT
封装：55FT
料号：JTG3-4290
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '10A030' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '10A030' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '10A030' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '10A030' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SD1536-08
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M105
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :300W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):16.5A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.2dB *5最大功率值 :583W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):11A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5.4A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.5A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :292W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):10A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装
1晶体管类型：NPN
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6集电极-最大电流(ic)：10A
外壳：M105
封装：M105
料号：JTG3-4291
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SD1536-08' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1536-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1536-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1536-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 10A015
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 24V 2.7GHZ 55FT
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :300W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):16.5A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.2dB *5最大功率值 :583W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):11A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5.4A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.5A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :292W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):10A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:2.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):750mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:接线柱安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：24V
3频率-跃迁：2.7GHz
4增益：9dB ~ 9.5dB
5最大功率值 ：6W
6集电极-最大电流(ic)：750mA
外壳：55FT
封装：55FT
料号：JTG3-4292
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '10A015' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '10A015' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '10A015' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '10A015' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： UMIL10
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 30V 400MHZ 55FT
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :300W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):16.5A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.2dB *5最大功率值 :583W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):11A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5.4A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.5A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :292W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):10A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:2.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):750mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:100MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :28W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.5A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座，接线柱安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：30V
3频率-跃迁：100MHz ~ 400MHz
4增益：10dB
5最大功率值 ：28W
6集电极-最大电流(ic)：1.5A
外壳：55FT
封装：55FT
料号：JTG3-4293
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMIL10' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： MS2206
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 20V 1.15GHZ M115
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :300W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):16.5A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.2dB *5最大功率值 :583W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):11A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5.4A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.5A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :292W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):10A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:2.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):750mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:100MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :28W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.5A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座，接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :7.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：1.025GHz ~ 1.15GHz
4增益：10dB
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6集电极-最大电流(ic)：1A
外壳：M115
封装：M115
料号：JTG3-4294
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS2206' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2206' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2206' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2206' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： UTV005
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 24V 860MHZ 55FT
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :300W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):16.5A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.2dB *5最大功率值 :583W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):11A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5.4A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.5A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :292W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):10A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:2.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):750mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:100MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :28W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.5A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座，接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :7.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11dB *5最大功率值 :8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):750mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座，接线柱安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：24V
3频率-跃迁：470MHz ~ 860MHz
4增益：11dB
5最大功率值 ：8W
6集电极-最大电流(ic)：750mA
外壳：55FT
封装：55FT
料号：JTG3-4295
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UTV005' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UTV005' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UTV005' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UTV005' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MS2204
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 20V 1.09GHZ M115
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :300W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):16.5A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.2dB *5最大功率值 :583W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):11A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5.4A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.5A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :292W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):10A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:2.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):750mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:100MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :28W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.5A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座，接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :7.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11dB *5最大功率值 :8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):750mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座，接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.8dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：20V
3频率-跃迁：1.09GHz
4增益：10.8dB
5最大功率值 ：600mW
6集电极-最大电流(ic)：300mA
外壳：M115
封装：M115
料号：JTG3-4296
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS2204' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2204' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS2204' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： JAN2N2857
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :300W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):16.5A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.2dB *5最大功率值 :583W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):11A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5.4A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.5A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :292W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):10A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:2.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):750mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:100MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :28W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.5A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座，接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :7.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11dB *5最大功率值 :8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):750mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座，接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.8dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:12.5dB ~ 21dB @ 450MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：500MHz
4增益：12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：40mA
外壳：TO-72-3 金属罐
封装：TO-72
料号：JTG3-4297
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JAN2N2857' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N2857' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N2857' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N2857' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： JANTXV2N2857
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :300W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):16.5A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.2dB *5最大功率值 :583W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):11A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5.4A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.5A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :292W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):10A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:2.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):750mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:100MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :28W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.5A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座，接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :7.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11dB *5最大功率值 :8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):750mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座，接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.8dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:12.5dB ~ 21dB @ 450MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:12.5dB ~ 21dB @ 450MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：500MHz
4增益：12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：40mA
外壳：TO-72-3 金属罐
封装：TO-72
料号：JTG3-4298
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTXV2N2857' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 2N2857UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 15V 0.04A UB
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :300W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):16.5A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.2dB *5最大功率值 :583W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):11A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5.4A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.5A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :292W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):10A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:2.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):750mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:100MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :28W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.5A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座，接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :7.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11dB *5最大功率值 :8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):750mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座，接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.8dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:12.5dB ~ 21dB @ 450MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:12.5dB ~ 21dB @ 450MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：-
4增益：21dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：40mA
外壳：3-SMD，无引线
封装：UB
料号：JTG3-4299
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N2857UB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2857UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2857UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2857UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： JANTX2N2857UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 15V 0.04A UB
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.5dB *5最大功率值 :300W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 5A，5V *6集电极-最大电流(ic):16.5A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8dB ~ 8.7dB *5最大功率值 :575W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):20A 工作温度:250°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):60V *3频率-跃迁:225MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :270W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):16A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :87.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):2.6A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.2dB *5最大功率值 :583W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 300mA，5V *6集电极-最大电流(ic):11A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:960MHz ~ 1.215GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:6.3dB *5最大功率值 :875W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):22A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.03GHz ~ 1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB *5最大功率值 :175W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 1A，5V *6集电极-最大电流(ic):5.4A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:2.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.8dB ~ 8.5dB *5最大功率值 :13W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.5A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :292W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):10A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:2.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:9dB ~ 9.5dB *5最大功率值 :6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):750mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:100MHz ~ 400MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :28W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1.5A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座，接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :7.5W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):24V *3频率-跃迁:470MHz ~ 860MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:11dB *5最大功率值 :8W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):750mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座，接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):20V *3频率-跃迁:1.09GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10.8dB *5最大功率值 :600mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 100mA，5V *6集电极-最大电流(ic):300mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:12.5dB ~ 21dB @ 450MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:500MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:12.5dB ~ 21dB @ 450MHz *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:21dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：-
4增益：21dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：40mA
外壳：3-SMD，无引线
封装：UB
料号：JTG3-4300
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTX2N2857UB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N2857UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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