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元器件型号：1346 件
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*晶体管类型

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*电压 - 集射极击穿（最大值）

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*频率 - 跃迁

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噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

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*增益

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*功率 - 最大值

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不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 2N4957
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS PNP 30V 30MA TO72
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型：PNP
2集射极击穿-最大电压(V)：30V
3频率-跃迁：-
4增益：25dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：TO-72-3 金属罐
封装：TO-72
料号：JTG3-4301
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N4957' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4957' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4957' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N4957' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： JAN2N4957
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS PNP 30V 30MA TO72
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型：PNP
2集射极击穿-最大电压(V)：30V
3频率-跃迁：-
4增益：25dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：TO-72-3 金属罐
封装：TO-72
料号：JTG3-4302
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JAN2N4957' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N4957' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N4957' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： JANTXV2N4957
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS PNP 30V 30MA TO72
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型：PNP
2集射极击穿-最大电压(V)：30V
3频率-跃迁：-
4增益：25dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：TO-72-3 金属罐
封装：TO-72
料号：JTG3-4303
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTXV2N4957' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N4957' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N4957' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： JANTXV2N4957UB
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS PNP 30V 30MA UB
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：PNP
2集射极击穿-最大电压(V)：30V
3频率-跃迁：-
4增益：25dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：3-SMD，无引线
封装：UB
料号：JTG3-4304
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTXV2N4957UB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N4957UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N4957UB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： 2324-20
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS 40V 2.4GHZ 55AW
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:2.3GHz ~ 2.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :58W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 160mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装
1晶体管类型：-
2集射极击穿-最大电压(V)：40V
3频率-跃迁：2.3GHz ~ 2.4GHz
4增益：7dB
5最大功率值 ：58W
6集电极-最大电流(ic)：3A
外壳：55AW
封装：55AW
料号：JTG3-4305
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2324-20' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2324-20' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2324-20' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2324-20' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2731-200P
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS 3.1GHZ MODULE
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:2.3GHz ~ 2.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :58W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 160mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 3.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.7dB *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:底座安装
1晶体管类型：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
3频率-跃迁：2.7GHz ~ 3.1GHz
4增益：8.7dB
5最大功率值 ：-
6集电极-最大电流(ic)：-
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG3-4306
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2731-200P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2731-200P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2731-200P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2731-200P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： BFR92ALT1
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS 15V 4.5GHZ SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:2.3GHz ~ 2.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :58W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 160mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 3.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.7dB *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :273mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 14mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：-
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：4.5GHz
4增益：-
5最大功率值 ：273mW
6集电极-最大电流(ic)：25mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG3-4307
包装： 圆盘
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合作现货:0
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型号： MS1006
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:2.3GHz ~ 2.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :58W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 160mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 3.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.7dB *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :273mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 14mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :127W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:19 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):3.25A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：55V
3频率-跃迁：30MHz
4增益：14dB
5最大功率值 ：127W
6集电极-最大电流(ic)：3.25A
外壳：M135
封装：M135
料号：JTG3-4308
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MS1006' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1006' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1006' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1006' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MS1076C
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF POWER TRANSISTOR
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:2.3GHz ~ 2.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :58W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 160mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 3.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.7dB *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :273mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 14mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :127W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:19 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):3.25A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:-
1晶体管类型：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
3频率-跃迁：-
4增益：-
5最大功率值 ：-
6集电极-最大电流(ic)：-
外壳：
封装：
料号：JTG3-4309
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1076C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1076C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MS1076C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MSC1090M
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS 65V 1.15GHZ M220
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:2.3GHz ~ 2.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :58W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 160mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 3.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.7dB *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :273mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 14mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :127W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:19 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):3.25A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5.52A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装
1晶体管类型：-
2集射极击穿-最大电压(V)：65V
3频率-跃迁：1.025GHz ~ 1.15GHz
4增益：8.4dB
5最大功率值 ：220W
6集电极-最大电流(ic)：5.52A
外壳：M220
封装：M220
料号：JTG3-4310
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC1090M' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC1090M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC1090M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC1090M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SD1015
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 18V 150MHZ M135
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:2.3GHz ~ 2.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :58W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 160mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 3.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.7dB *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :273mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 14mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :127W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:19 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):3.25A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5.52A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：18V
3频率-跃迁：150MHz
4增益：10dB
5最大功率值 ：10W
6集电极-最大电流(ic)：1A
外壳：M135
封装：M135
料号：JTG3-4311
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SD1015' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1015' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SD1019
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 35V 136MHZ M130
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:2.3GHz ~ 2.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :58W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 160mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 3.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.7dB *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :273mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 14mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :127W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:19 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):3.25A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5.52A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:136MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:4.5dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：35V
3频率-跃迁：136MHz
4增益：4.5dB
5最大功率值 ：117W
6集电极-最大电流(ic)：9A
外壳：M130
封装：M130
料号：JTG3-4312
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SD1019' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1019' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1019' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1019' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SD1143-01
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RF TRANS NPN 18V 175MHZ M113
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:2.3GHz ~ 2.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :58W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 160mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 3.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.7dB *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :273mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 14mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :127W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:19 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):3.25A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5.52A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:136MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:4.5dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :20W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：18V
3频率-跃迁：175MHz
4增益：10dB
5最大功率值 ：20W
6集电极-最大电流(ic)：2A
外壳：M113
封装：M113
料号：JTG3-4313
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SD1143-01' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1143-01' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1143-01' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD1143-01' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MT3S113TU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:2.3GHz ~ 2.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :58W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 160mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 3.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.7dB *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :273mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 14mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :127W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:19 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):3.25A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5.52A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:136MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:4.5dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :20W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.3V *3频率-跃迁:11.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.45dB @ 1GHz *4增益:12.5dB *5最大功率值 :900mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：5.3V
3频率-跃迁：11.2GHz
4增益：12.5dB
5最大功率值 ：900mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：3-SMD，扁平引线
封装：UFM
料号：JTG3-4316
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MT3S113TU,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT3S113TU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT3S113TU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT3S113TU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MT3S111(TE85L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:2.3GHz ~ 2.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :58W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 160mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 3.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.7dB *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :273mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 14mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :127W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:19 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):3.25A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5.52A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:136MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:4.5dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :20W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.3V *3频率-跃迁:11.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.45dB @ 1GHz *4增益:12.5dB *5最大功率值 :900mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:11.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：6V
3频率-跃迁：11.5GHz
4增益：12dB
5最大功率值 ：700mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：S-Mini
料号：JTG3-4315
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MT3S111(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT3S111(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT3S111(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT3S111(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MT3S111TU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:2.3GHz ~ 2.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :58W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 160mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 3.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.7dB *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :273mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 14mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :127W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:19 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):3.25A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5.52A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:136MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:4.5dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :20W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.3V *3频率-跃迁:11.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.45dB @ 1GHz *4增益:12.5dB *5最大功率值 :900mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:11.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:12.5dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：6V
3频率-跃迁：10GHz
4增益：12.5dB
5最大功率值 ：800mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：3-SMD，扁平引线
封装：UFM
料号：JTG3-4314
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MT3S111TU,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MT4S300U(TE85L,O,F
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： X34 PB-F RADIO-FREQUENCY SIGE HE
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:2.3GHz ~ 2.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :58W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 160mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 3.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.7dB *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :273mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 14mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :127W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:19 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):3.25A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5.52A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:136MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:4.5dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :20W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.3V *3频率-跃迁:11.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.45dB @ 1GHz *4增益:12.5dB *5最大功率值 :900mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:11.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:12.5dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4V *3频率-跃迁:26.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.55dB @ 2GHz *4增益:16.9dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：4V
3频率-跃迁：26.5GHz
4增益：16.9dB
5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：SC-82A，SOT-343
封装：USQ
料号：JTG3-4317
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MT4S300U(TE85L,O,F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT4S300U(TE85L,O,F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT4S300U(TE85L,O,F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT4S300U(TE85L,O,F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MT3S113(TE85L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:2.3GHz ~ 2.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :58W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 160mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 3.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.7dB *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :273mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 14mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :127W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:19 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):3.25A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5.52A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:136MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:4.5dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :20W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.3V *3频率-跃迁:11.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.45dB @ 1GHz *4增益:12.5dB *5最大功率值 :900mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:11.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:12.5dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4V *3频率-跃迁:26.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.55dB @ 2GHz *4增益:16.9dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.3V *3频率-跃迁:12.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.45dB @ 1GHz *4增益:11.8dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：5.3V
3频率-跃迁：12.5GHz
4增益：11.8dB
5最大功率值 ：800mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：S-Mini
料号：JTG3-4318
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MT3S113(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MT3S111P(TE12L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:2.3GHz ~ 2.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :58W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 160mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 3.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.7dB *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :273mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 14mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :127W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:19 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):3.25A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5.52A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:136MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:4.5dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :20W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.3V *3频率-跃迁:11.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.45dB @ 1GHz *4增益:12.5dB *5最大功率值 :900mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:11.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:12.5dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4V *3频率-跃迁:26.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.55dB @ 2GHz *4增益:16.9dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.3V *3频率-跃迁:12.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.45dB @ 1GHz *4增益:11.8dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.25dB @ 1GHz *4增益:10.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：6V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：10.5dB
5最大功率值 ：1W
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：TO-243AA
封装：PW-MINI
料号：JTG3-4319
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MT3S111P(TE12L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT3S111P(TE12L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT3S111P(TE12L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT3S111P(TE12L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ON5087,115
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： RF TRANSPONDER SOT343F
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:PNP *2集射极击穿-最大电压(V):30V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz *4增益:25dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 5mA，10V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):40V *3频率-跃迁:2.3GHz ~ 2.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7dB *5最大功率值 :58W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 160mA，5V *6集电极-最大电流(ic):3A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:2.7GHz ~ 3.1GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.7dB *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:4.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 500MHz *4增益:- *5最大功率值 :273mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 14mA，10V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:30MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:14dB *5最大功率值 :127W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:19 @ 1.4A，6V *6集电极-最大电流(ic):3.25A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):65V *3频率-跃迁:1.025GHz ~ 1.15GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:8.4dB *5最大功率值 :220W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):5.52A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:150MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:136MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:4.5dB *5最大功率值 :117W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 500mA，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 工作温度:200°C 安装类型:接线柱安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):18V *3频率-跃迁:175MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:10dB *5最大功率值 :20W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5 @ 250mA，5V *6集电极-最大电流(ic):2A 工作温度:200°C 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.3V *3频率-跃迁:11.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.45dB @ 1GHz *4增益:12.5dB *5最大功率值 :900mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:11.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz *4增益:12.5dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):4V *3频率-跃迁:26.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.55dB @ 2GHz *4增益:16.9dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 10mA，3V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.3V *3频率-跃迁:12.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.45dB @ 1GHz *4增益:11.8dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):6V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.25dB @ 1GHz *4增益:10.5dB *5最大功率值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
3频率-跃迁：-
4增益：-
5最大功率值 ：-
6集电极-最大电流(ic)：-
外壳：SOT-343F
封装：SOT-343F
料号：JTG3-4320
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ON5087,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ON5087,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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