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元器件型号：1346 件
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制造商统称

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*晶体管类型

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*电压 - 集射极击穿（最大值）

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*频率 - 跃迁

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噪声系数（db，不同 f 时的典型值）

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*增益

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*功率 - 最大值

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不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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电流 - 集电极（ic）（最大值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MMBTH10Q-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： RF TRANSISTOR SOT23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：25V
3频率-跃迁：650MHz
4增益：-
5最大功率值 ：310mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG3-4321
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBTH10Q-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBTH10Q-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBTH10Q-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBTH10Q-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ON5089,115
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： RF TRANSPONDER SOT343F
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：-
2集射极击穿-最大电压(V)：-
3频率-跃迁：-
4增益：-
5最大功率值 ：-
6集电极-最大电流(ic)：-
外壳：SOT-343F
封装：SOT-343F
料号：JTG3-4322
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ON5089,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ON5089,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ON5089,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ON5089,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CMPT918 TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:11dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：11dB
5最大功率值 ：350mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG3-4323
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMPT918 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPT918 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPT918 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPT918 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ON5088,115
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： RF TRANS NPN 10V 55GHZ 4DFP
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:11dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:55GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 12GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：55GHz
4增益：13dB
5最大功率值 ：136mW
6集电极-最大电流(ic)：40mA
外壳：SOT-343F
封装：4-DFP
料号：JTG3-4324
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ON5088,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ON5088,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ON5088,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ON5088,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NSVF5501SKT3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:11dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:55GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 12GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:11dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：5.5GHz
4增益：11dB
5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：70mA
外壳：SOT-623F
封装：SOT-623/SSFP
料号：JTG3-4325
包装： 8000个/ 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVF5501SKT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF5501SKT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF5501SKT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF5501SKT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2N5770 PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 900MHZ TO92
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:11dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:55GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 12GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:11dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：900MHz
4增益：-
5最大功率值 ：625mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92
料号：JTG3-4326
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5770 PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5770 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5770 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5770 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PN3563 PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： RF TRANS NPN 12V TO92
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:11dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:55GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 12GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:11dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:通孔
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：-
4增益：-
5最大功率值 ：-
6集电极-最大电流(ic)：-
外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
封装：TO-92
料号：JTG3-4327
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PN3563 PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： NSVF5488SKT3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： BIP NPN 70MA 10V FT=7G
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:11dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:55GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 12GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:11dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：7GHz
4增益：12dB
5最大功率值 ：100mW
6集电极-最大电流(ic)：70mA
外壳：SOT-623F
封装：SOT-623/SSFP
料号：JTG3-4328
包装： 8000个/ 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVF5488SKT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF5488SKT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF5488SKT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF5488SKT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NSVF5490SKT3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF-TR 10V 30MA FT=8G NPN
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:11dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:55GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 12GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:11dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：10V
3频率-跃迁：8GHz
4增益：10dB
5最大功率值 ：100mW
6集电极-最大电流(ic)：30mA
外壳：SOT-623F
封装：SOT-623/SSFP
料号：JTG3-4329
包装： 8000个/ 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVF5490SKT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF5490SKT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF5490SKT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF5490SKT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NSVF4017SG4T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:11dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:55GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 12GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:11dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：10GHz
4增益：17dB
5最大功率值 ：450mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：4-SMD，扁平引线
封装：SC-82FL/MCPH4
料号：JTG3-4330
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVF4017SG4T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF4017SG4T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF4017SG4T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF4017SG4T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MT3S113P(TE12L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:11dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:55GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 12GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:11dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.3V *3频率-跃迁:7.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.45dB @ 1GHz *4增益:10.5dB *5最大功率值 :1.6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：5.3V
3频率-跃迁：7.7GHz
4增益：10.5dB
5最大功率值 ：1.6W
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：TO-243AA
封装：PW-MINI
料号：JTG3-4331
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MT3S113P(TE12L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT3S113P(TE12L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CMUT5179 TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 1.45GHZ SOT523
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:11dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:55GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 12GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:11dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.3V *3频率-跃迁:7.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.45dB @ 1GHz *4增益:10.5dB *5最大功率值 :1.6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：1.45GHz
4增益：15dB
5最大功率值 ：250mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：SC-89，SOT-490
封装：SOT-523
料号：JTG3-4332
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMUT5179 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2N5179 PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO72
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:11dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:55GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 12GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:11dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.3V *3频率-跃迁:7.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.45dB @ 1GHz *4增益:10.5dB *5最大功率值 :1.6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：2GHz
4增益：15dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-206AF，TO-72-4 金属罐
封装：TO-72
料号：JTG3-4333
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5179 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5179 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5179 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2N918 PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO72
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:11dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:55GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 12GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:11dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.3V *3频率-跃迁:7.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.45dB @ 1GHz *4增益:10.5dB *5最大功率值 :1.6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60kHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：600MHz
4增益：-
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：50mA
外壳：TO-206AF，TO-72-4 金属罐
封装：TO-72
料号：JTG3-4334
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N918 PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 2N2857 PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 1.9GHZ TO72
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:11dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:55GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 12GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:11dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.3V *3频率-跃迁:7.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.45dB @ 1GHz *4增益:10.5dB *5最大功率值 :1.6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60kHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：1.9GHz
4增益：-
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：40mA
外壳：TO-206AF，TO-72-4 金属罐
封装：TO-72
料号：JTG3-4335
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N2857 PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2857 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2857 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BFY90 PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ TO72
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:11dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:55GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 12GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:11dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.3V *3频率-跃迁:7.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.45dB @ 1GHz *4增益:10.5dB *5最大功率值 :1.6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60kHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.5dB @ 800MHz *4增益:23dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：15V
3频率-跃迁：1.4GHz
4增益：23dB
5最大功率值 ：200mW
6集电极-最大电流(ic)：25mA
外壳：TO-206AF，TO-72-4 金属罐
封装：TO-72
料号：JTG3-4336
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： NSVF4015SG4T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:11dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:55GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 12GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:11dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.3V *3频率-跃迁:7.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.45dB @ 1GHz *4增益:10.5dB *5最大功率值 :1.6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60kHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.5dB @ 800MHz *4增益:23dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：10GHz
4增益：17dB
5最大功率值 ：450mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：4-SMD，扁平引线
封装：SC-82FL/MCPH4
料号：JTG3-4337
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF4015SG4T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF4015SG4T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVF4015SG4T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NSVF6001SB6T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:11dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:55GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 12GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:11dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.3V *3频率-跃迁:7.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.45dB @ 1GHz *4增益:10.5dB *5最大功率值 :1.6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60kHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.5dB @ 800MHz *4增益:23dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：12V
3频率-跃迁：6.7GHz
4增益：11dB
5最大功率值 ：800mW
6集电极-最大电流(ic)：100mA
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：6-CPH
料号：JTG3-4338
包装：
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合作现货:0
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型号： MRF16006
品牌： MACOM/镁可微波 M/A-Com Technology Solutions 镁可微波技术
描述： TRANS RF NPN 28V 6W 395C-01
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:11dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:55GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 12GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:11dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.3V *3频率-跃迁:7.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.45dB @ 1GHz *4增益:10.5dB *5最大功率值 :1.6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60kHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.5dB @ 800MHz *4增益:23dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.4dB *5最大功率值 :6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 工作温度:1A 安装类型:底座安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：55V
3频率-跃迁：-
4增益：7.4dB
5最大功率值 ：6W
6集电极-最大电流(ic)：1A
外壳：395C-01
封装：395C-01，2 型
料号：JTG3-4339
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF16006' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MRF316
品牌： MACOM/镁可微波 M/A-Com Technology Solutions 镁可微波技术
描述： TRANS RF NPN 35V 9A 316-01
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):25V *3频率-跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :310mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集射极击穿-最大电压(V):- *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:11dB *5最大功率值 :350mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:55GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 12GHz *4增益:13dB *5最大功率值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 10mA，2V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.9dB @ 1GHz *4增益:11dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:900MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz *4增益:- *5最大功率值 :625mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 8mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:- *5最大功率值 :- 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *6集电极-最大电流(ic):- 工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB @ 1GHz *4增益:12dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，5V *6集电极-最大电流(ic):70mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):10V *3频率-跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1.5GHz *4增益:10dB *5最大功率值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 10mA，5V *6集电极-最大电流(ic):30mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):5.3V *3频率-跃迁:7.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.45dB @ 1GHz *4增益:10.5dB *5最大功率值 :1.6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.45GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 200MHz *4增益:15dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60kHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.9GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:4.5dB @ 450MHz *4增益:- *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 3mA，1V *6集电极-最大电流(ic):40mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):15V *3频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5.5dB @ 800MHz *4增益:23dB *5最大功率值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 25mA，1V *6集电极-最大电流(ic):25mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz *4增益:17dB *5最大功率值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):12V *3频率-跃迁:6.7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *4增益:11dB *5最大功率值 :800mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 30mA，5V *6集电极-最大电流(ic):100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):55V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:7.4dB *5最大功率值 :6W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 200mA，5V *6集电极-最大电流(ic):1A 工作温度:1A 安装类型:底座安装 制造商统称:未设定 制造商统称:MACOM Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:NPN *2集射极击穿-最大电压(V):35V *3频率-跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *4增益:13dB *5最大功率值 :80W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 4A，5V *6集电极-最大电流(ic):9A 工作温度:9A 安装类型:底座安装
1晶体管类型：NPN
2集射极击穿-最大电压(V)：35V
3频率-跃迁：-
4增益：13dB
5最大功率值 ：80W
6集电极-最大电流(ic)：9A
外壳：316-01
封装：316-01，1 型
料号：JTG3-4340
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MRF316' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MACOM/镁可微波' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MRF316' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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