元器件型号:1650
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* 晶体管类型

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*电流 - 集电极(ic)(最大值)

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不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值)

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电流 - 集电极截止(最大值)

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不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值)

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: DMC501010R
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS 2NPN 50V 0.1A SMINI5
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:150mW
5频率-跃迁:150MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:5-SMD,扁平引线
封装:SMINI5-F3-B
料号:JTG4-2509
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC501010R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC501010R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC501010R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC501010R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: BCV62CE6327HTSA1
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT143
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):30V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:250MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:TO-253-4,TO-253AA
封装:PG-SOT143-4
料号:JTG4-2510
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BCV62CE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCV62CE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCV62CE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCV62CE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: FFB2227A
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SC70-6
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.4V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):30nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 300mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :NPN,PNP
2集电极最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿电压(最大值):30V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:250MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SC-70-6
料号:JTG4-2511
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FFB2227A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFB2227A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFB2227A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFB2227A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MMDT3904V-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.4V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):30nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 300mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):200mA
3集射极-击穿电压(最大值):40V
4最大功率值:200mW
5频率-跃迁:300MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SOT-563
料号:JTG4-2512
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMDT3904V-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT3904V-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT3904V-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT3904V-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MMDT2222V-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT563
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.4V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):30nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 300mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):600mA
3集射极-击穿电压(最大值):40V
4最大功率值:150mW
5频率-跃迁:300MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SOT-563
料号:JTG4-2513
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMDT2222V-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT2222V-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT2222V-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT2222V-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MMDT3904VC-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.4V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):30nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 300mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):200mA
3集射极-击穿电压(最大值):40V
4最大功率值:200mW
5频率-跃迁:300MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SOT-563
料号:JTG4-2514
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMDT3904VC-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT3904VC-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT3904VC-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT3904VC-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: MMDT3906VC-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.4V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):30nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 300mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):200mA
3集射极-击穿电压(最大值):40V
4最大功率值:150mW
5频率-跃迁:250MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SOT-563
料号:JTG4-2515
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMDT3906VC-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT3906VC-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT3906VC-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT3906VC-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: BC857S
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS 2PNP 45V 0.2A SC70-6
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.4V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):30nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 300mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):200mA
3集射极-击穿电压(最大值):45V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:200MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SC-70-6
料号:JTG4-2516
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC857S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC857S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC857S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC857S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: EMX2T2R
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.4V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):30nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 300mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):150mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:150mW
5频率-跃迁:180MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:EMT6
料号:JTG4-2517
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EMX2T2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMX2T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMX2T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMX2T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: XP0450100L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS 2NPN 50V 0.1A SMINI6
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.4V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):30nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 300mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:150mW
5频率-跃迁:150MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:S迷你型6-G1
料号:JTG4-2518
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合作现货:0
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型号: XN0B30100L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS NPN/PNP DARL 50V MINI5
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.4V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):30nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 300mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz,80MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:150MHz,80MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-74A,SOT-753
封装:迷你型5-G1
料号:JTG4-2519
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XN0B30100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XN0B30100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XN0B30100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: DME50B010R
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS NPN/PNP DARL 50V SMINI5
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.4V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):30nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 300mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz,80MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:150mW
5频率-跃迁:150MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:5-SMD,扁平引线
封装:SMINI5-F3-B
料号:JTG4-2520
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DME50B010R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: PMBTA42DS,125
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS 2NPN 300V 0.1A 6TSOP
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.4V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):30nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 300mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz,80MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 30mA,10V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
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5频率-跃迁:50MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-74,SOT-457
封装:6-TSOP
料号:JTG4-2521
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMBTA42DS,125' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBTA42DS,125' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBTA42DS,125' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBTA42DS,125' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: HN1C01F-GR(TE85L,F
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.4V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):30nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 300mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz,80MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 30mA,10V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 2mA,6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:800MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):150mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:800MHz
6工作温度:125°C(TJ)
外壳:SC-74,SOT-457
封装:SM6
料号:JTG4-2522
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HN1C01F-GR(TE85L,F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN1C01F-GR(TE85L,F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN1C01F-GR(TE85L,F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN1C01F-GR(TE85L,F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: HN1B04FU-Y(T5L,F,T
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.4V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):30nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 300mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz,80MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 30mA,10V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 2mA,6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:800MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 2mA,6V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :NPN,PNP
2集电极最大电流(ic):150mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:200mW
5频率-跃迁:150MHz
6工作温度:125°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:US6
料号:JTG4-2523
包装:
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合作现货:0
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型号: HN2C01FEYTE85LF
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.4V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):30nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 300mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz,80MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 30mA,10V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 2mA,6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:800MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 2mA,6V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 2mA,6V *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:60MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):150mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:100mW
5频率-跃迁:60MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:ES6
料号:JTG4-2524
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HN2C01FEYTE85LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN2C01FEYTE85LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: 2SA1873-GRTE85L
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2PNP 50V 0.15A USV
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.4V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):30nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 300mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz,80MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 30mA,10V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 2mA,6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:800MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 2mA,6V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 2mA,6V *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:60MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对,共发射极 *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,6V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:80MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装
1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对,共发射极
2集电极最大电流(ic):150mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:200mW
5频率-跃迁:80MHz
6工作温度:125°C(TJ)
外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
封装:USV
料号:JTG4-2525
包装: 带卷(TR)
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: ZDT617TA
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS 2NPN 15V 3A SM8
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.4V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):30nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 300mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz,80MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 30mA,10V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 2mA,6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:800MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 2mA,6V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 2mA,6V *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:60MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对,共发射极 *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,6V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:80MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 50mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 200mA,2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:120MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):3A
3集射极-击穿电压(最大值):15V
4最大功率值:2.5W
5频率-跃迁:120MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-223-8
封装:SM8
料号:JTG4-2526
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT617TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT617TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT617TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT617TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: ZDT617TC
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS 2NPN 15V 3A SM8
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.4V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):30nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 300mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz,80MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 30mA,10V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 2mA,6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:800MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 2mA,6V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 2mA,6V *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:60MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对,共发射极 *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,6V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:80MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 50mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 200mA,2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:120MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 50mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 200mA,2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:120MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):3A
3集射极-击穿电压(最大值):15V
4最大功率值:2.5W
5频率-跃迁:120MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-223-8
封装:SM8
料号:JTG4-2527
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT617TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT617TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT617TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BC847S
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS 2NPN 45V 0.2A SC70-6
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.4V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):30nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):30 @ 300mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz,80MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 互补达林顿复合晶体管 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 30mA,10V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 2mA,6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:800MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 2mA,6V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:150MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 2mA,6V *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:60MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对,共发射极 *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,6V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:80MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 50mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 200mA,2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:120MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 50mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 200mA,2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:120MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):110 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):200mA
3集射极-击穿电压(最大值):45V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:200MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SC-70-6
料号:JTG4-2528
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC847S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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