首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多路晶体管-双极(BJT)
元器件型号：1650 件
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制造商统称

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类目

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* 晶体管类型

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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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电压 - 集射极击穿（最大值）

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不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值）

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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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* 功率 - 最大值

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*频率 - 跃迁

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： UML23NTR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFICATIO
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：NPN + 齐纳二极管（隔离式）
2集电极最大电流(ic)：150mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：150mW
5频率-跃迁：180MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
封装：UMT6
料号：JTG4-3702
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UML23NTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UML23NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UML23NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UML23NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SSM2212RZ
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）配对
2集电极最大电流(ic)：20mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG4-2350
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SSM2212RZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM2212RZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM2212RZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM2212RZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SSM2220SZ
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： TRANS 2PNP 36V 0.02A 8SOIC
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，36V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）配对
2集电极最大电流(ic)：20mA
3集射极-击穿电压(最大值)：36V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG4-2351
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SSM2220SZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM2220SZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM2220SZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM2220SZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MAT14ARZ
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： TRANS 4NPN 40V 0.03A 14SO
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，36V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四）配对 *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :60mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:3nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：4 NPN（四）配对
2集电极最大电流(ic)：30mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SO
料号：JTG4-2352
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAT14ARZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAT14ARZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAT14ARZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAT14ARZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MAT01GHZ
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，36V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四）配对 *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :60mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:3nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）配对
2集电极最大电流(ic)：25mA
3集射极-击穿电压(最大值)：45V
4最大功率值：500mW
5频率-跃迁：450MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-78-6 金属罐
封装：TO-78-6
料号：JTG4-2353
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAT01GHZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAT01GHZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAT01GHZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAT01GHZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MAT12AHZ
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： TRANS 2NPN 40V 0.02A TO78-6
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，36V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四）配对 *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :60mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:3nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）配对
2集电极最大电流(ic)：20mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-78-6 金属罐
封装：TO-78-6
料号：JTG4-2354
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAT12AHZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAT12AHZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAT12AHZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAT12AHZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BC847BDW1T3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，36V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四）配对 *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :60mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:3nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：45V
4最大功率值：380mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-2355
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC847BDW1T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847BDW1T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847BDW1T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，36V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四）配对 *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :60mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:3nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：150mW
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-2356
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBT3904DW1T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，36V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四）配对 *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :60mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:3nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：150mW
5频率-跃迁：300MHz，250MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-2357
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBT3946DW1T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，36V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四）配对 *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :60mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:3nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：150mW
5频率-跃迁：250MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-2358
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBT3906DW1T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBT3906DW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBT3906DW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBT3906DW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN 65V 0.1A SOT363
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，36V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四）配对 *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :60mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:3nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：65V
4最大功率值：380mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
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描述： TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，36V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四）配对 *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :60mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:3nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：45V
4最大功率值：380mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-2360
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC847BPDW1T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847BPDW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847BPDW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847BPDW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BC847BDW1T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，36V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四）配对 *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :60mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:3nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：45V
4最大功率值：380mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-2361
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，36V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四）配对 *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :60mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:3nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：65V
4最大功率值：380mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-2362
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，36V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四）配对 *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :60mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:3nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：45V
4最大功率值：380mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-2363
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC857BDW1T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC857BDW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC857BDW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC857BDW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BC856BDW1T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，36V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四）配对 *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :60mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:3nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：65V
4最大功率值：380mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-2364
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC856BDW1T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC856BDW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC856BDW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MBT2222ADW1T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，36V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四）配对 *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :60mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:3nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：150mW
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-2365
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBT2222ADW1T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBT2222ADW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBT2222ADW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBT2222ADW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BC847BS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，36V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四）配对 *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :60mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:3nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：45V
4最大功率值：200mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG4-2366
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC847BS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BC857BS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，36V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四）配对 *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :60mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:3nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：45V
4最大功率值：200mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG4-2367
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC857BS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC857BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC857BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC857BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PMBT3904VS,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT666
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN + 齐纳二极管（隔离式） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1mA，36V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四）配对 *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :60mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:3nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500pA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:360mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：360mW
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG4-2368
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMBT3904VS,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBT3904VS,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBT3904VS,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBT3904VS,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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