元器件型号:1650
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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型号: ZDT651TA
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS 2NPN 60V 2A SM8
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):2A
3集射极-击穿电压(最大值):60V
4最大功率值:2.75W
5频率-跃迁:175MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-223-8
封装:SM8
料号:JTG4-2808
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT651TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: ZDT6702TA
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS NPN/PNP DARL 60V 1.75A SM8
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.28V @ 2mA,1.75A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):5000 @ 500mA,5V / 2000 @ 500mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz
1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双)
2集电极最大电流(ic):1.75A
3集射极-击穿电压(最大值):60V
4最大功率值:2.75W
5频率-跃迁:140MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-223-8
封装:SM8
料号:JTG4-2809
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT6702TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: ZDT6705TA
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS NPN/PNP DARL 120V 1A SM8
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.28V @ 2mA,1.75A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):5000 @ 500mA,5V / 2000 @ 500mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):2000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz
1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双)
2集电极最大电流(ic):1A
3集射极-击穿电压(最大值):120V
4最大功率值:2.75W
5频率-跃迁:150MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-223-8
封装:SM8
料号:JTG4-2810
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT6705TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT6705TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT6705TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT6705TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: ZDT6757TA
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS NPN/PNP 300V 0.5A SM8
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.28V @ 2mA,1.75A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):5000 @ 500mA,5V / 2000 @ 500mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):2000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 100mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz
1晶体管类型1 :NPN,PNP
2集电极最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿电压(最大值):300V
4最大功率值:2.75W
5频率-跃迁:30MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-223-8
封装:SM8
料号:JTG4-2811
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT6757TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: ZDT690TA
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS 2NPN 45V 2A SM8
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.28V @ 2mA,1.75A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):5000 @ 500mA,5V / 2000 @ 500mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):2000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 100mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 5mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):400 @ 1A,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):2A
3集射极-击穿电压(最大值):45V
4最大功率值:2.75W
5频率-跃迁:150MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-223-8
封装:SM8
料号:JTG4-2812
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT690TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT690TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: ZDT705TA
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS 2PNP DARL 120V 1A SM8
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.28V @ 2mA,1.75A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):5000 @ 500mA,5V / 2000 @ 500mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):2000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 100mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 5mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):400 @ 1A,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :2.5V @ 2mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):3000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz
1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿(双)
2集电极最大电流(ic):1A
3集射极-击穿电压(最大值):120V
4最大功率值:2.75W
5频率-跃迁:160MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-223-8
封装:SM8
料号:JTG4-2813
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT705TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT705TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT705TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT705TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: ZDT717TA
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS 2PNP 12V 2.5A SM8
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.28V @ 2mA,1.75A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):5000 @ 500mA,5V / 2000 @ 500mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):2000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 100mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 5mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):400 @ 1A,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :2.5V @ 2mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):3000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :220mV @ 50mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 100mA,2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:110MHz
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):2.5A
3集射极-击穿电压(最大值):12V
4最大功率值:2.5W
5频率-跃迁:110MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-223-8
封装:SM8
料号:JTG4-2814
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT717TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT717TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT717TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT717TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: ZDT758TA
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS 2PNP 400V 0.5A SM8
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.28V @ 2mA,1.75A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):5000 @ 500mA,5V / 2000 @ 500mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):2000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 100mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 5mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):400 @ 1A,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :2.5V @ 2mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):3000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :220mV @ 50mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 100mA,2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:110MHz 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 200mA,10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):500mA
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5频率-跃迁:50MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-223-8
封装:SM8
料号:JTG4-2815
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT758TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT758TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT758TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: XN0140100L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS 2PNP 50V 0.1A MINI5
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.28V @ 2mA,1.75A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):5000 @ 500mA,5V / 2000 @ 500mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):2000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 100mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 5mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):400 @ 1A,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :2.5V @ 2mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):3000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :220mV @ 50mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 100mA,2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:110MHz 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 200mA,10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:80MHz
6工作温度:125°C(TJ)
外壳:SC-74A,SOT-753
封装:迷你型5-G1
料号:JTG4-2816
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'XN0140100L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XN0140100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XN0140100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XN0140100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: XN0150100L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI5
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.28V @ 2mA,1.75A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):5000 @ 500mA,5V / 2000 @ 500mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):2000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 100mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 5mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):400 @ 1A,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :2.5V @ 2mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):3000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :220mV @ 50mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 100mA,2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:110MHz 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 200mA,10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):100mA
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4最大功率值:300mW
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6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-74A,SOT-753
封装:迷你型5-G1
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型号: XN0150400L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS 2NPN 20V 0.3A MINI5
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.28V @ 2mA,1.75A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):5000 @ 500mA,5V / 2000 @ 500mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):2000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 100mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 5mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):400 @ 1A,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :2.5V @ 2mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):3000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :220mV @ 50mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 100mA,2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:110MHz 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 200mA,10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :100mV @ 3mA,30mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):500 @ 4mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):300mA
3集射极-击穿电压(最大值):20V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:80MHz
6工作温度:150°C(TJ)
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封装:迷你型5-G1
料号:JTG4-2818
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描述: TRANS 2NPN 10V 0.05A MINI5
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.28V @ 2mA,1.75A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):5000 @ 500mA,5V / 2000 @ 500mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):2000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 100mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 5mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):400 @ 1A,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :2.5V @ 2mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):3000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :220mV @ 50mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 100mA,2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:110MHz 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 200mA,10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :100mV @ 3mA,30mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):500 @ 4mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 4mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):75 @ 5mA,4V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:2.5GHz
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2集电极最大电流(ic):50mA
3集射极-击穿电压(最大值):10V
4最大功率值:200mW
5频率-跃迁:2.5GHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-74A,SOT-753
封装:迷你型5-G1
料号:JTG4-2819
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型号: XN0160100L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI5
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.28V @ 2mA,1.75A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):5000 @ 500mA,5V / 2000 @ 500mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):2000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 100mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 5mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):400 @ 1A,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :2.5V @ 2mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):3000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :220mV @ 50mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 100mA,2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:110MHz 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 200mA,10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :100mV @ 3mA,30mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):500 @ 4mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 4mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):75 @ 5mA,4V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:2.5GHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz,80MHz
1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器)
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:150MHz,80MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-74A,SOT-753
封装:迷你型5-G1
料号:JTG4-2820
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合作现货:0
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型号: XN0240100L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS 2PNP 50V 0.1A MINI5
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.28V @ 2mA,1.75A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):5000 @ 500mA,5V / 2000 @ 500mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):2000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 100mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 5mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):400 @ 1A,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :2.5V @ 2mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):3000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :220mV @ 50mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 100mA,2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:110MHz 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 200mA,10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :100mV @ 3mA,30mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):500 @ 4mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 4mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):75 @ 5mA,4V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:2.5GHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz,80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:80MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-74A,SOT-753
封装:迷你型5-G1
料号:JTG4-2821
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'XN0240100L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: XN0250100L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI5
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.28V @ 2mA,1.75A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):5000 @ 500mA,5V / 2000 @ 500mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):2000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 100mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 5mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):400 @ 1A,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :2.5V @ 2mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):3000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :220mV @ 50mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 100mA,2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:110MHz 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 200mA,10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :100mV @ 3mA,30mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):500 @ 4mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 4mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):75 @ 5mA,4V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:2.5GHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz,80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:150MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-74A,SOT-753
封装:迷你型5-G1
料号:JTG4-2822
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合作现货:0
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型号: XN0440100L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS 2PNP 50V 0.1A MINI6
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.28V @ 2mA,1.75A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):5000 @ 500mA,5V / 2000 @ 500mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):2000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 100mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 5mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):400 @ 1A,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :2.5V @ 2mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):3000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :220mV @ 50mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 100mA,2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:110MHz 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 200mA,10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :100mV @ 3mA,30mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):500 @ 4mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 4mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):75 @ 5mA,4V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:2.5GHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz,80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:80MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SOT-23-6
封装:MINI6-G1
料号:JTG4-2823
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'XN0440100L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XN0440100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: XN0440200L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS 2PNP 50V 0.5A MINI6
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.28V @ 2mA,1.75A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):5000 @ 500mA,5V / 2000 @ 500mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):2000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 100mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 5mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):400 @ 1A,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :2.5V @ 2mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):3000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :220mV @ 50mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 100mA,2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:110MHz 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 200mA,10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :100mV @ 3mA,30mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):500 @ 4mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 4mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):75 @ 5mA,4V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:2.5GHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz,80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):85 @ 150mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:200MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SOT-23-6
封装:MINI6-G1
料号:JTG4-2824
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合作现货:0
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型号: XN0440400L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS 2PNP 10V 0.5A MINI6
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.28V @ 2mA,1.75A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):5000 @ 500mA,5V / 2000 @ 500mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):2000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 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集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):85 @ 150mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 8mA,400mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:130MHz
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿电压(最大值):10V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:130MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SOT-23-6
封装:MINI6-G1
料号:JTG4-2825
包装:
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: XN0450100L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI6
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.28V @ 2mA,1.75A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):5000 @ 500mA,5V / 2000 @ 500mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):2000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 100mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 5mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):400 @ 1A,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :2.5V @ 2mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):3000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :220mV @ 50mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 100mA,2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:110MHz 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 200mA,10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :100mV @ 3mA,30mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):500 @ 4mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 4mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):75 @ 5mA,4V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:2.5GHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz,80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):85 @ 150mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 8mA,400mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:150MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SOT-23-6
封装:MINI6-G1
料号:JTG4-2826
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: XN0450200L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS 2NPN 50V 0.5A MINI6
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.28V @ 2mA,1.75A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):5000 @ 500mA,5V / 2000 @ 500mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):2000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 100mA,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 5mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):400 @ 1A,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :2.5V @ 2mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):3000 @ 1A,5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :220mV @ 50mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 100mA,2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:110MHz 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 200mA,10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :100mV @ 3mA,30mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):500 @ 4mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 4mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):75 @ 5mA,4V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:2.5GHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz,80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):85 @ 150mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 8mA,400mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 500mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):160 @ 2mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):85 @ 150mA,10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:200MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SOT-23-6
封装:MINI6-G1
料号:JTG4-2827
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XN0450200L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XN0450200L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XN0450200L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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