首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多路晶体管-双极(BJT)
元器件型号：1650 件
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* 晶体管类型

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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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电压 - 集射极击穿（最大值）

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不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值）

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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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* 功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： XN0450500L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS 2NPN 50V/20V MINI6
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA / 400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，10V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz，200MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA，500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V，20V
4最大功率值：300mW
5频率-跃迁：150MHz，200MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6
封装：MINI6-G1
料号：JTG4-2886
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'XN0450500L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XN0450500L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IMX1T108
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA / 400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，10V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz，200MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：-
2集电极最大电流(ic)：-
3集射极-击穿电压(最大值)：-
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-
外壳：SC-74，SOT-457
封装：SMT6
料号：JTG4-2887
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IMX1T108' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMX1T108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMX1T108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMX1T108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： UMT18NTR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： PNP+PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA / 400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，10V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz，200MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:260MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：12V
4最大功率值：150mW
5频率-跃迁：260MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
封装：UMT6
料号：JTG4-3739
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMT18NTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMT18NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMT18NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMT18NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IMT2AT108
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA / 400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，10V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz，200MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：150mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：300mW
5频率-跃迁：140MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-74，SOT-457
封装：SMT6
料号：JTG4-2888
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IMT2AT108' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMT2AT108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMT2AT108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMT2AT108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FFB2222A
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN 40V 0.5A SC70-6
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA / 400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，10V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz，200MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：300mW
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-70-6
料号：JTG4-2889
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FFB2222A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFB2222A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFB2222A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFB2222A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MMDT3946-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT363
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA / 400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，10V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz，200MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：200mW
5频率-跃迁：300MHz，250MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG4-2890
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMDT3946-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT3946-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT3946-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT3946-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： HN4B01JE(TE85L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA / 400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，10V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz，200MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 10MA，100MA *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:80MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP（耦合发射器）
2集电极最大电流(ic)：150mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：100mW
5频率-跃迁：80MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SOT-553
封装：ESV
料号：JTG4-2891
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HN4B01JE(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN4B01JE(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN4B01JE(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN4B01JE(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MMDT3904-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA / 400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，10V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz，200MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 10MA，100MA *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：200mW
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG4-2892
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMDT3904-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT3904-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT3904-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT3904-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MMDT2907AQ-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PNP 60V SS SOT363
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA / 400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，10V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz，200MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 10MA，100MA *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：200mW
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG4-2893
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMDT2907AQ-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT2907AQ-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT2907AQ-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT2907AQ-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMDT4403-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2PNP 40V 0.6A SOT363
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA / 400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，10V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz，200MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 10MA，100MA *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
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外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG4-2894
包装：
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合作现货:0
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型号： IMZ1AT108
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA / 400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，10V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz，200MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 10MA，100MA *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz
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5频率-跃迁：180MHz，140MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-74，SOT-457
封装：SMT6
料号：JTG4-2895
包装：
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型号： IMX3T108
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA / 400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，10V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz，200MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 10MA，100MA *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz
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型号： IMT3AT108
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA / 400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，10V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz，200MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 10MA，100MA *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz
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封装：SMT6
料号：JTG4-2897
包装：
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型号： IMX2T108
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA / 400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，10V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz，200MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 10MA，100MA *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz
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外壳：SC-74，SOT-457
封装：SMT6
料号：JTG4-2898
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型号： HN1C03F-B(TE85L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA / 400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，10V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz，200MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 10MA，100MA *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:350 @ 4mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:30MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：300mA
3集射极-击穿电压(最大值)：20V
4最大功率值：300mW
5频率-跃迁：30MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-74，SOT-457
封装：SM6
料号：JTG4-2899
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HN1C03F-B(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： IMT4T108
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS 2PNP 120V 0.05A 6SMT
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA / 400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，10V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz，200MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 10MA，100MA *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:350 @ 4mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：50mA
3集射极-击穿电压(最大值)：120V
4最大功率值：300mW
5频率-跃迁：140MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-74，SOT-457
封装：SMT6
料号：JTG4-2900
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IMT4T108' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMT4T108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMT4T108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMT4T108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CPH5517-TL-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN/PNP 50V 1A 5CPH
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA / 400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，10V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz，200MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 10MA，100MA *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:350 @ 4mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（共基极） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :430mV @ 10mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 100mA，2V *4最大功率值:900mW *5频率-跃迁:420MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP（共基极）
2集电极最大电流(ic)：1A
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：900mW
5频率-跃迁：420MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SOT-23-5细型,TSOT-23-5
封装：5-CPH
料号：JTG4-2901
包装：
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合作现货:0
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型号： FFB3906
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP 40V 0.2A SC70-6
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA / 400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，10V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz，200MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 10MA，100MA *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:350 @ 4mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（共基极） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :430mV @ 10mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 100mA，2V *4最大功率值:900mW *5频率-跃迁:420MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：300mW
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-70-6
料号：JTG4-2902
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FFB3906' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFB3906' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFB3906' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFB3906' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EMY1T2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5EMT
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA / 400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，10V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz，200MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 10MA，100MA *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:350 @ 4mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（共基极） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :430mV @ 10mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 100mA，2V *4最大功率值:900mW *5频率-跃迁:420MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP（耦合发射器）
2集电极最大电流(ic)：150mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：150mW
5频率-跃迁：180MHz，140MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-SMD（5引线），扁引线
封装：EMT5
料号：JTG4-2903
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： XP0450600L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS 2NPN 20V 0.3A SMINI6
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA / 400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 2mA，10V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz，200MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 10MA，100MA *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:350 @ 4mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（共基极） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :430mV @ 10mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 100mA，2V *4最大功率值:900mW *5频率-跃迁:420MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:500 @ 4mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:80MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：300mA
3集射极-击穿电压(最大值)：20V
4最大功率值：150mW
5频率-跃迁：80MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：S迷你型6-G1
料号：JTG4-2904
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'XP0450600L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XP0450600L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XP0450600L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XP0450600L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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