元器件型号:1650
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不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值)

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: FMB2907A
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS 2PNP 60V 0.6A 6SSOT
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):600mA
3集射极-击穿电压(最大值):60V
4最大功率值:700mW
5频率-跃迁:250MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
封装:SUPERSOT™-6
料号:JTG4-2905
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMB2907A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: EMZ1T2R
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz,140MHz
1晶体管类型1 :NPN,PNP
2集电极最大电流(ic):150mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:150mW
5频率-跃迁:180MHz,140MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:EMT6
料号:JTG4-2906
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EMZ1T2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: QSZ2TR
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5TSMT
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz,140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 50mA,1A / 370mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 100mA,2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:300MHz,280MHz
1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器)
2集电极最大电流(ic):1.5A
3集射极-击穿电压(最大值):30V
4最大功率值:1.25W
5频率-跃迁:300MHz,280MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SOT-23-5细型,TSOT-23-5
封装:TSMT5
料号:JTG4-2907
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'QSZ2TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QSZ2TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QSZ2TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: DMG904010R
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz,140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 50mA,1A / 370mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 100mA,2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:300MHz,280MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz
1晶体管类型1 :NPN,PNP
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:125mW
5频率-跃迁:150MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SSMINI6-F3-B
料号:JTG4-2908
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMG904010R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG904010R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG904010R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG904010R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: DMC904010R
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS 2NPN 50V 0.1A SSMINI6
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz,140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 50mA,1A / 370mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 100mA,2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:300MHz,280MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:125mW
5频率-跃迁:150MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SSMINI6-F3-B
料号:JTG4-2909
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC904010R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC904010R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC904010R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC904010R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: DMA904010R
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS 2PNP 50V 0.1A SSMINI6
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz,140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 50mA,1A / 370mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 100mA,2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:300MHz,280MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:125mW
5频率-跃迁:150MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SSMINI6-F3-B
料号:JTG4-2910
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMA904010R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMA904010R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: EMX18T2R
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS 2NPN 12V 0.5A 6EMT
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz,140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 50mA,1A / 370mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 100mA,2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:300MHz,280MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿电压(最大值):12V
4最大功率值:150mW
5频率-跃迁:320MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:EMT6
料号:JTG4-2911
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EMX18T2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMX18T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMX18T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMX18T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: UP04501G0L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS 2NPN 50V 0.1A SSMINI6
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz,140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 50mA,1A / 370mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 100mA,2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:300MHz,280MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):180 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:125mW
5频率-跃迁:150MHz
6工作温度:125°C(TJ)
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SSMINI6-F2
料号:JTG4-2912
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UP04501G0L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UP04501G0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UP04501G0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UP04501G0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号: PBSS4160PANSX
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS 2NPN 60V 1A 6HUSON
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz,140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 50mA,1A / 370mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 100mA,2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:300MHz,280MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):180 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :120mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 500mA,2V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:175MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):1A
3集射极-击穿电压(最大值):60V
4最大功率值:370mW
5频率-跃迁:175MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:6-UDFN 裸露焊盘
封装:DFN2020D-6
料号:JTG4-2913
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PBSS4160PANSX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4160PANSX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4160PANSX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4160PANSX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: UMX18NTN
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS 2NPN 12V 0.5A 6UMT
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz,140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 50mA,1A / 370mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 100mA,2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:300MHz,280MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):180 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :120mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 500mA,2V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿电压(最大值):12V
4最大功率值:150mW
5频率-跃迁:320MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:UMT6
料号:JTG4-2914
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMX18NTN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMX18NTN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号: DMC201A00R
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS 2NPN 20V 0.5A MINI5
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz,140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 50mA,1A / 370mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 100mA,2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:300MHz,280MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):180 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :120mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 500mA,2V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) 共发射极 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 500mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双) 共发射极
2集电极最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿电压(最大值):20V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:150MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-74A,SOT-753
封装:迷你型5-G3-B
料号:JTG4-2915
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC201A00R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC201A00R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC201A00R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC201A00R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: PMP5501Y,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS 2PNP 45V 0.1A 6TSSOP
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz,140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 50mA,1A / 370mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 100mA,2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:300MHz,280MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):180 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :120mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 500mA,2V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) 共发射极 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 500mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz
1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):45V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:175MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:6-TSSOP
料号:JTG4-2916
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMP5501Y,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMP5501Y,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMP5501Y,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMP5501Y,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: FMBA06
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS NPN 80V 0.5A SSOT-6
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz,140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 50mA,1A / 370mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 100mA,2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:300MHz,280MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):180 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :120mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 500mA,2V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) 共发射极 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 500mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿电压(最大值):80V
4最大功率值:700mW
5频率-跃迁:100MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
封装:6-SSOT
料号:JTG4-2917
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMBA06' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMBA06' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMBA06' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMBA06' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: PMP5501V,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT666
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz,140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 50mA,1A / 370mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 100mA,2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:300MHz,280MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):180 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :120mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 500mA,2V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) 共发射极 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 500mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz
1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):45V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:175MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SOT-666
料号:JTG4-2918
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMP5501V,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMP5501V,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMP5501V,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMP5501V,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: PMP5501G,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS 2PNP 45V 0.1A 5TSSOP
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz,140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 50mA,1A / 370mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 100mA,2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:300MHz,280MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):180 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :120mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 500mA,2V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) 共发射极 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 500mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对,共发射极 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz
1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对,共发射极
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):45V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:175MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
封装:5-TSSOP
料号:JTG4-2919
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: ZDT795ATA
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS 2PNP 140V 0.5A SM8
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz,140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 50mA,1A / 370mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 100mA,2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:300MHz,280MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):180 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :120mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 500mA,2V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) 共发射极 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 500mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对,共发射极 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):140V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 10mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿电压(最大值):140V
4最大功率值:2.75W
5频率-跃迁:100MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-223-8
封装:SM8
料号:JTG4-2920
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT795ATA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT795ATA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MMDT4403-TP
品牌: MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述: TRANS 2PNP 40V 0.6A SOT363
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz,140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 50mA,1A / 370mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 100mA,2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:300MHz,280MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):180 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :120mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 500mA,2V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) 共发射极 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 500mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对,共发射极 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):140V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 10mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :750mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):600mA
3集射极-击穿电压(最大值):40V
4最大功率值:200mW
5频率-跃迁:200MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:JTG4-2921
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT4403-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: PBSS4160PAN,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS 2NPN 60V 1A 6HUSON
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz,140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 50mA,1A / 370mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 100mA,2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:300MHz,280MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):180 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :120mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 500mA,2V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) 共发射极 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 500mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对,共发射极 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):140V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 10mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :750mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :120mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 500mA,2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:175MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):1A
3集射极-击穿电压(最大值):60V
4最大功率值:510mW
5频率-跃迁:175MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:6-UDFN 裸露焊盘
封装:DFN2020D-6
料号:JTG4-2922
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PBSS4160PAN,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4160PAN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4160PAN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4160PAN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: FMB200
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS 2PNP 45V 0.5A SSOT-6
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz,140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 50mA,1A / 370mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 100mA,2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:300MHz,280MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):180 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :120mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 500mA,2V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) 共发射极 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 500mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对,共发射极 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):140V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 10mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :750mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :120mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 500mA,2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,5V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿电压(最大值):45V
4最大功率值:700mW
5频率-跃迁:300MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
封装:SUPERSOT™-6
料号:JTG4-2923
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: PBSS4130PAN,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS 2NPN 30V 1A 6HUSON
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz,140MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 50mA,1A / 370mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 100mA,2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:300MHz,280MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):180 @ 2mA,10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :120mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 500mA,2V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):270 @ 10mA,2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) 共发射极 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 500mA,2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对,共发射极 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):140V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 10mA,2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :750mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :120mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 500mA,2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,5V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :100mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 500mA,2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:165MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):1A
3集射极-击穿电压(最大值):30V
4最大功率值:510mW
5频率-跃迁:165MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:6-UDFN 裸露焊盘
封装:6-HUSON(2X2)
料号:JTG4-2924
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PBSS4130PAN,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4130PAN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4130PAN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4130PAN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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