首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多路晶体管-双极(BJT)
元器件型号：1650 件
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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MPQ7043
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4NPN 250V 0.5A
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz
1晶体管类型1 ：4 NPN（四路）
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：250V
4最大功率值：1.25W
5频率-跃迁：50MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3002
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPQ7043' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： MPQ2907
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4PNP 40V 0.6A
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz
1晶体管类型1 ：4 PNP（四路）
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：650mW
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3003
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPQ2907' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ2907' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ2907' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ2907' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MPQ3725
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4NPN 40V 1A
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 100mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:250MHz
1晶体管类型1 ：4 NPN（四路）
2集电极最大电流(ic)：1A
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：1W
5频率-跃迁：250MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3004
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPQ3725' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ3725' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ3725' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ3725' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： STA460C
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 2NPN DARL 60V 6A
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 100mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :150mV @ 15mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:700 @ 1A，1V *4最大功率值:3.2W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：2 NPN 达林顿（双）
2集电极最大电流(ic)：6A
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：3.2W
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：10-SIP
封装：10-SIP
料号：JTG4-3005
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STA460C' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA460C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA460C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA460C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： STA473A
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 4NPN DARL 100V 2A 10-SIP
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 100mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :150mV @ 15mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:700 @ 1A，1V *4最大功率值:3.2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz
1晶体管类型1 ：4 NPN 达林顿（双）
2集电极最大电流(ic)：2A
3集射极-击穿电压(最大值)：100V
4最大功率值：4W
5频率-跃迁：50MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：10-SIP
封装：10-SIP
料号：JTG4-3006
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STA473A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA473A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA473A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA473A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： STA301A
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 3NPN DARL 60V 4A 8-SIP
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 100mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :150mV @ 15mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:700 @ 1A，1V *4最大功率值:3.2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：3 NPN 达林顿管（发射极耦合）
2集电极最大电流(ic)：4A
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：3W
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：8-SIP
封装：8-SIP
料号：JTG4-3007
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STA301A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA301A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA301A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA301A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： STA481A
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 4NPN DARL 60V 1A 10SIP
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 100mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :150mV @ 15mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:700 @ 1A，1V *4最大功率值:3.2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz
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6工作温度：150°C（TJ）
外壳：10-SIP
封装：10-SIP
料号：JTG4-3008
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品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 4NPN DARL 100V 1A 10-SIP
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 100mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :150mV @ 15mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:700 @ 1A，1V *4最大功率值:3.2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz
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外壳：10-SIP
封装：10-SIP
料号：JTG4-3009
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品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 4NPN DARL 100V 2A 10SIP
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 100mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :150mV @ 15mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:700 @ 1A，1V *4最大功率值:3.2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：4 NPN 达林顿（双）
2集电极最大电流(ic)：2A
3集射极-击穿电压(最大值)：100V
4最大功率值：4W
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：10-SIP
封装：10-SIP
料号：JTG4-3010
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STA475A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA475A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA475A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA475A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： ULN2067B
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 100mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :150mV @ 15mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:700 @ 1A，1V *4最大功率值:3.2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2.25mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：4 NPN 达林顿（双）
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料号：JTG4-3011
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型号： STA457C
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 2NPN/2PNP DARL 60V 10SIP
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1晶体管类型1 ：2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥）
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5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：10-SIP
封装：10-SIP
料号：JTG4-3012
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型号： ULN2075B
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
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1晶体管类型1 ：4 NPN 达林顿（双）
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型号： SMA6511
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 4NPN/1PNP DARL 60V 12SIP
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 100mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :150mV @ 15mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:700 @ 1A，1V *4最大功率值:3.2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2.25mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2.25mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN，1 PNP 达林顿管 *2集电极最大电流(ic):1.5A，3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：4 NPN，1 PNP 达林顿管
2集电极最大电流(ic)：1.5A，3A
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：4W
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：12-SIP，裸焊盘
封装：12-SIP
料号：JTG4-3014
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMA6511' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： SMA4021
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 4PNP DARL 60V 3A 12-SIP
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 100mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :150mV @ 15mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:700 @ 1A，1V *4最大功率值:3.2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2.25mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2.25mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN，1 PNP 达林顿管 *2集电极最大电流(ic):1.5A，3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：4 PNP 达林顿（双）
2集电极最大电流(ic)：3A
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：4W
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：12-SIP，裸焊盘
封装：12-SIP
料号：JTG4-3015
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMA4021' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA4021' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA4021' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA4021' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SMA4036
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 6NPN DARL 120V 2A 15SIP
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 100mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :150mV @ 15mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:700 @ 1A，1V *4最大功率值:3.2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2.25mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2.25mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN，1 PNP 达林顿管 *2集电极最大电流(ic):1.5A，3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :6 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz
1晶体管类型1 ：6 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：2A
3集射极-击穿电压(最大值)：120V
4最大功率值：4W
5频率-跃迁：50MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：15-SIP，裸焊盘，成形引线
封装：15-SIP
料号：JTG4-3016
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMA4036' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA4036' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA4036' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： SMA4038
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 6NPN DARL 120V 3A 15SIP
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 100mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :150mV @ 15mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:700 @ 1A，1V *4最大功率值:3.2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2.25mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2.25mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN，1 PNP 达林顿管 *2集电极最大电流(ic):1.5A，3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :6 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :6 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：6 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：3A
3集射极-击穿电压(最大值)：120V
4最大功率值：4W
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：15-SIP，裸焊盘，成形引线
封装：15-SIP
料号：JTG4-3017
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMA4038' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA4038' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA4038' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA4038' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SLA6024
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 3NPN/3PNP DARL 60V 12SIP
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 100mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :150mV @ 15mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:700 @ 1A，1V *4最大功率值:3.2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2.25mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2.25mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN，1 PNP 达林顿管 *2集电极最大电流(ic):1.5A，3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :6 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :6 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):8A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 10mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 5A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:50MHz
1晶体管类型1 ：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）
2集电极最大电流(ic)：8A
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：5W
5频率-跃迁：50MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：12-SIP，裸焊盘
封装：12-SIP
料号：JTG4-3018
包装：
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合作现货:0
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型号： SLA6022
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 3NPN/3PNP DARL 12SIP
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 100mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :150mV @ 15mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:700 @ 1A，1V *4最大功率值:3.2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2.25mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2.25mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN，1 PNP 达林顿管 *2集电极最大电流(ic):1.5A，3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :6 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :6 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):8A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 10mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 5A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):80V，100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）
2集电极最大电流(ic)：5A
3集射极-击穿电压(最大值)：80V，100V
4最大功率值：5W
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：12-SIP
封装：12-SIP
料号：JTG4-3019
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SLA6026
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 3NPN/3PNP DARL 60V 12SIP
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 100mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :150mV @ 15mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:700 @ 1A，1V *4最大功率值:3.2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2.25mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2.25mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN，1 PNP 达林顿管 *2集电极最大电流(ic):1.5A，3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :6 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :6 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):8A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 10mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 5A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):80V，100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):10A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 12mA，6A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 6A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:50MHz
1晶体管类型1 ：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）
2集电极最大电流(ic)：10A
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：5W
5频率-跃迁：50MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：12-SIP，裸焊盘
封装：12-SIP
料号：JTG4-3020
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SLA6026' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 2N6990
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 4NPN 50V 0.8A
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:35 @ 100mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :150mV @ 15mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:700 @ 1A，1V *4最大功率值:3.2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2.25mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2.25mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN，1 PNP 达林顿管 *2集电极最大电流(ic):1.5A，3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :6 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :6 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):8A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 10mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 5A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):80V，100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):10A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 12mA，6A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 6A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):800mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：4 NPN（四路）
2集电极最大电流(ic)：800mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：400mW
5频率-跃迁：-
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：14-扁平封装
封装：14-扁平封装
料号：JTG4-3021
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N6990' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6990' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6990' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6990' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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