首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多路晶体管-双极(BJT)
元器件型号：1650 件
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* 晶体管类型

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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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电压 - 集射极击穿（最大值）

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不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值）

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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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* 功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： QSX8TR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS 2NPN 30V 1A 6TSMT
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:320MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：1A
3集射极-击穿电压(最大值)：30V
4最大功率值：1.25W
5频率-跃迁：320MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-74，SOT-457
封装：TSMT6
料号：JTG4-3062
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'QSX8TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QSX8TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMG204B10R
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS NPN/PNP 20V/50V MINI6
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA，100mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V，50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V / 210 @ 2mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：500mA，100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：20V，50V
4最大功率值：300mW
5频率-跃迁：150MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6
封装：迷你型6-G4-B
料号：JTG4-3063
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMG204B10R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG204B10R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG204B10R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG204B10R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PBSS4260PAN,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2NPN 60V 2A 6HUSON
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA，100mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V，50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V / 210 @ 2mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :90mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1A，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:140MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：2A
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：510mW
5频率-跃迁：140MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：6-HUSON（2X2）
料号：JTG4-3064
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PBSS4260PAN,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4260PAN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4260PAN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4260PAN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PBSS4112PANP,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS NPN/PNP 120V 1A 6HUSON
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA，100mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V，50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V / 210 @ 2mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :90mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1A，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :120mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 500mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:120MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：1A
3集射极-击穿电压(最大值)：120V
4最大功率值：510mW
5频率-跃迁：120MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：6-HUSON（2X2）
料号：JTG4-3065
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PBSS4112PANP,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4112PANP,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4112PANP,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4112PANP,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMA204A00R
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS 2PNP 10V 0.5A MINI6
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA，100mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V，50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V / 210 @ 2mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :90mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1A，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :120mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 500mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 8mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:130 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：10V
4最大功率值：300mW
5频率-跃迁：250MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6
封装：迷你型6-G4-B
料号：JTG4-3066
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMA204A00R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMA204A00R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMA204A00R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMA204A00R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PBSS4160DPN,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS NPN/PNP 60V 6TSOP
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA，100mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V，50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V / 210 @ 2mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :90mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1A，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :120mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 500mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 8mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:130 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):870mA，770mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100mA，1A / 330mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，5V / 150 @ 500mA，5V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:220MHz，185MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：870mA，770mA
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：420mW
5频率-跃迁：220MHz，185MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-74，SOT-457
封装：6-TSOP
料号：JTG4-3067
包装：
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型号： CMKT5088 TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2NPN 30V 0.05A SOT-363
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA，100mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V，50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V / 210 @ 2mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :90mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1A，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :120mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 500mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 8mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:130 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):870mA，770mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100mA，1A / 330mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，5V / 150 @ 500mA，5V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:220MHz，185MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:50MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：50mA
3集射极-击穿电压(最大值)：30V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：50MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG4-3068
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMKT5088 TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKT5088 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKT5088 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKT5088 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CMKT5087 TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2PNP 50V 0.05A SOT-363
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA，100mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V，50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V / 210 @ 2mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :90mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1A，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :120mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 500mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 8mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:130 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):870mA，770mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100mA，1A / 330mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，5V / 150 @ 500mA，5V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:220MHz，185MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:40MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：50mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：40MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG4-3069
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMKT5087 TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKT5087 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKT5087 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKT5087 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMC206E20R
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS 2NPN 20V 0.015A MINI6
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA，100mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V，50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V / 210 @ 2mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :90mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1A，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :120mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 500mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 8mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:130 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):870mA，770mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100mA，1A / 330mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，5V / 150 @ 500mA，5V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:220MHz，185MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):15mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:650MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：15mA
3集射极-击穿电压(最大值)：20V
4最大功率值：300mW
5频率-跃迁：650MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6
封装：迷你型6-G4-B
料号：JTG4-3070
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC206E20R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC206E20R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC206E20R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC206E20R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZXTC2061E6TA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA，100mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V，50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V / 210 @ 2mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :90mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1A，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :120mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 500mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 8mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:130 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):870mA，770mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100mA，1A / 330mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，5V / 150 @ 500mA，5V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:220MHz，185MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):15mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:650MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :180mV @ 100mA，5A / 200mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:480 @ 1A，2V / 290 @ 1A，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:260MHz
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4最大功率值：1.1W
5频率-跃迁：260MHz
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外壳：SOT-23-6
封装：SOT-26
料号：JTG4-3071
包装：
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型号： PHPT610030NKX
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS NPN 100V 3A 8LFPAK
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA，100mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V，50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V / 210 @ 2mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :90mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1A，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :120mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 500mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 8mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:130 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):870mA，770mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100mA，1A / 330mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，5V / 150 @ 500mA，5V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:220MHz，185MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):15mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:650MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :180mV @ 100mA，5A / 200mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:480 @ 1A，2V / 290 @ 1A，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :330mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz
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封装：LFPAK56D
料号：JTG4-3072
包装：
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型号： PHPT610030NPKX
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS NPN/PNP 100V 3A 8LFPAK
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA，100mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V，50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V / 210 @ 2mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :90mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1A，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :120mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 500mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 8mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:130 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):870mA，770mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100mA，1A / 330mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，5V / 150 @ 500mA，5V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:220MHz，185MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):15mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:650MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :180mV @ 100mA，5A / 200mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:480 @ 1A，2V / 290 @ 1A，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :330mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :330mV @ 300mA，3A / 110mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz，125MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：3A
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6工作温度：175°C（TJ）
外壳：SOT-1205，8-LFPAK56
封装：LFPAK56D
料号：JTG4-3073
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PHPT610030NPKX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PHPT610030NPKX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PHPT610030NPKX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PHPT610030NPKX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PBSS4240DPN,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS NPN/PNP 40V 6TSOP
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA，100mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V，50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V / 210 @ 2mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :90mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1A，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :120mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 500mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 8mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:130 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):870mA，770mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100mA，1A / 330mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，5V / 150 @ 500mA，5V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:220MHz，185MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):15mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:650MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :180mV @ 100mA，5A / 200mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:480 @ 1A，2V / 290 @ 1A，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :330mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :330mV @ 300mA，3A / 110mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz，125MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1.35A，1.1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 200mA，2A / 530mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，5V / 300 @ 100mA，5V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:150MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：1.35A，1.1A
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：1.1W
5频率-跃迁：150MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-74，SOT-457
封装：6-TSOP
料号：JTG4-3074
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PBSS4240DPN,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4240DPN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4240DPN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4240DPN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ZXTD619MCTA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN 50V 4A 8DFN
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA，100mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V，50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V / 210 @ 2mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :90mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1A，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :120mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 500mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 8mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:130 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):870mA，770mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100mA，1A / 330mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，5V / 150 @ 500mA，5V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:220MHz，185MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):15mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:650MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :180mV @ 100mA，5A / 200mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:480 @ 1A，2V / 290 @ 1A，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :330mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :330mV @ 300mA，3A / 110mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz，125MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1.35A，1.1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 200mA，2A / 530mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，5V / 300 @ 100mA，5V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :320mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：4A
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：1.7W
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-WDFN 裸露焊盘
封装：8-DFN（3X2）
料号：JTG4-3075
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXTD619MCTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTD619MCTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTD619MCTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTD619MCTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ZXTC6718MCTA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8DFN
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA，100mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V，50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V / 210 @ 2mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :90mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1A，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :120mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 500mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 8mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:130 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):870mA，770mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100mA，1A / 330mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，5V / 150 @ 500mA，5V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:220MHz，185MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):15mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:650MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :180mV @ 100mA，5A / 200mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:480 @ 1A，2V / 290 @ 1A，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :330mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :330mV @ 300mA，3A / 110mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz，125MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1.35A，1.1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 200mA，2A / 530mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，5V / 300 @ 100mA，5V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :320mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：4.5A，3.5A
3集射极-击穿电压(最大值)：20V
4最大功率值：1.7W
5频率-跃迁：140MHz，180MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-WDFN 裸露焊盘
封装：8-DFN（3X2）
料号：JTG4-3076
包装：
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合作现货:0
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型号： ZXTD618MCTA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN 20V 4.5A 8DFN
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA，100mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V，50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V / 210 @ 2mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :90mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1A，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :120mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 500mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 8mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:130 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):870mA，770mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100mA，1A / 330mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，5V / 150 @ 500mA，5V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:220MHz，185MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):15mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:650MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :180mV @ 100mA，5A / 200mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:480 @ 1A，2V / 290 @ 1A，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :330mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :330mV @ 300mA，3A / 110mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz，125MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1.35A，1.1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 200mA，2A / 530mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，5V / 300 @ 100mA，5V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :320mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 125mA，4.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：5A
3集射极-击穿电压(最大值)：20V
4最大功率值：1.7W
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-WDFN 裸露焊盘
封装：8-DFN（3X2）
料号：JTG4-3077
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXTD618MCTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTD618MCTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ZXTC6720MCTA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS NPN/PNP 80V/70V 8DFN
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA，100mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V，50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V / 210 @ 2mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :90mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1A，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :120mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 500mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 8mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:130 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):870mA，770mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100mA，1A / 330mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，5V / 150 @ 500mA，5V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:220MHz，185MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):15mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:650MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :180mV @ 100mA，5A / 200mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:480 @ 1A，2V / 290 @ 1A，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :330mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :330mV @ 300mA，3A / 110mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz，125MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1.35A，1.1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 200mA，2A / 530mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，5V / 300 @ 100mA，5V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :320mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 125mA，4.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3.5A，2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):80V，70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :340mV @ 300mA，3.5A / 270mV @ 200mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V / 40 @ 1.5A，5V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:160MHz，180MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：3.5A，2.5A
3集射极-击穿电压(最大值)：80V，70V
4最大功率值：1.7W
5频率-跃迁：160MHz，180MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-WDFN 裸露焊盘
封装：8-DFN（3X2）
料号：JTG4-3078
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： CMKT5089M10 TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2NPN 25V 0.05A SOT363
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA，100mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V，50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V / 210 @ 2mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :90mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1A，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :120mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 500mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 8mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:130 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):870mA，770mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100mA，1A / 330mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，5V / 150 @ 500mA，5V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:220MHz，185MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):15mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:650MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :180mV @ 100mA，5A / 200mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:480 @ 1A，2V / 290 @ 1A，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :330mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :330mV @ 300mA，3A / 110mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz，125MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1.35A，1.1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 200mA，2A / 530mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，5V / 300 @ 100mA，5V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :320mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 125mA，4.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3.5A，2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):80V，70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :340mV @ 300mA，3.5A / 270mV @ 200mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V / 40 @ 1.5A，5V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:160MHz，180MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:50MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：50mA
3集射极-击穿电压(最大值)：25V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：50MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG4-3079
包装： 带卷（TR）
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型号： PBSS4032SN,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2NPN 30V 5.7A 8SO
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA，100mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V，50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V / 210 @ 2mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :90mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1A，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :120mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 500mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 8mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:130 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):870mA，770mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100mA，1A / 330mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，5V / 150 @ 500mA，5V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:220MHz，185MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):15mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:650MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :180mV @ 100mA，5A / 200mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:480 @ 1A，2V / 290 @ 1A，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :330mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :330mV @ 300mA，3A / 110mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz，125MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1.35A，1.1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 200mA，2A / 530mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，5V / 300 @ 100mA，5V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :320mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 125mA，4.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3.5A，2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):80V，70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :340mV @ 300mA，3.5A / 270mV @ 200mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V / 40 @ 1.5A，5V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:160MHz，180MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5.7A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 300mA，6A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 2A，2V *4最大功率值:2.3W *5频率-跃迁:140MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：5.7A
3集射极-击穿电压(最大值)：30V
4最大功率值：2.3W
5频率-跃迁：140MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG4-3080
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PBSS4032SN,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4032SN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4032SN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBSS4032SN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： ZDT751TA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2PNP 60V 2A SM8
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:320MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA，100mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V，50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V / 210 @ 2mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :90mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1A，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :120mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 500mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:120MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):10V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 8mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:130 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):870mA，770mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100mA，1A / 330mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，5V / 150 @ 500mA，5V *4最大功率值:420mW *5频率-跃迁:220MHz，185MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):15mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:650MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :180mV @ 100mA，5A / 200mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:480 @ 1A，2V / 290 @ 1A，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:260MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :330mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :330mV @ 300mA，3A / 110mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 1A，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz，125MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1.35A，1.1A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 200mA，2A / 530mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，5V / 300 @ 100mA，5V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :320mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 125mA，4.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3.5A，2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):80V，70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :340mV @ 300mA，3.5A / 270mV @ 200mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V / 40 @ 1.5A，5V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:160MHz，180MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5.7A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 300mA，6A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 2A，2V *4最大功率值:2.3W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：2A
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：2.75W
5频率-跃迁：140MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SM8
料号：JTG4-3081
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT751TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT751TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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