首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多路晶体管-双极(BJT)
元器件型号：1650 件
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制造商统称

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* 晶体管类型

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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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电压 - 集射极击穿（最大值）

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不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值）

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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MMPQ6700
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN/2PNP 40V 0.2A 16SOIC
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN，2 PNP
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：1W
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG4-3082
包装：
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合作现货:0
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型号： SN75469D
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：7 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：100V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG4-3083
包装： 40个/
￥3.03 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： STD830CP40
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS NPN/PNP 400V 3A 8DIP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 700mA，5V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：3A
3集射极-击穿电压(最大值)：400V
4最大功率值：3W
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-DIP
料号：JTG4-3084
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STD830CP40' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STD830CP40' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STD830CP40' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： STA471A
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 4NPN DARL 60V 2A 10SIP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 700mA，5V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz
1晶体管类型1 ：4 NPN 达林顿（双）
2集电极最大电流(ic)：2A
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：4W
5频率-跃迁：50MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：10-SIP
封装：10-SIP
料号：JTG4-3085
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STA471A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA471A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA471A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA471A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ULN2074B
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 700mA，5V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：4 NPN 达林顿（双）
2集电极最大电流(ic)：1.75A
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：1W
5频率-跃迁：-
6工作温度：-20°C ~ 85°C（TA）
外壳：16-POWERDIP(7.62mm)
封装：16-POWERDIP（20X7.10）
料号：JTG4-3086
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ULN2074B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2074B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2074B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2074B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： STA412A
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 4NPN 60V 3A 10-SIP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 700mA，5V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 10mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：4 NPN（四路）
2集电极最大电流(ic)：3A
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：4W
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：10-SIP
封装：10-SIP
料号：JTG4-3087
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STA412A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA412A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA412A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA412A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STA302A
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 3PNP DARL 50V 4A 8SIP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 700mA，5V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 10mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 PNP 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:-
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6工作温度：150°C（TJ）
外壳：8-SIP
封装：8-SIP
料号：JTG4-3088
包装：
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型号： STA434A
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 2NPN/2PNP DARL 60V 10SIP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 700mA，5V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 10mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 PNP 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:-
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外壳：10-SIP
封装：10-SIP
料号：JTG4-3089
包装：
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型号： STA408A
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 4PNP DARL 120V 4A 10-SIP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 700mA，5V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 10mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 PNP 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:-
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6工作温度：150°C（TJ）
外壳：10-SIP
封装：10-SIP
料号：JTG4-3090
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STA408A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA408A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SMA4032
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 4NPN DARL 100V 3A 12SIP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 700mA，5V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 10mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 PNP 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz
1晶体管类型1 ：4 NPN 达林顿（双）
2集电极最大电流(ic)：3A
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5频率-跃迁：40MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：12-SIP
封装：12-SIP
料号：JTG4-3091
包装：
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合作现货:0
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型号： MPQ6002
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2NPN/2PNP 30V 0.5A
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 700mA，5V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 10mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 PNP 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN，2 PNP
2集电极最大电流(ic)：500mA
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4最大功率值：650mW
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3092
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPQ6002' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ6002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ6002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： MPQ6700
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2NPN/2PNP 40V 0.2A
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 700mA，5V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 10mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 PNP 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN，2 PNP
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：500mW
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3093
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPQ6700' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4PNP 250V 0.5A
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 700mA，5V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 10mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 PNP 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz
1晶体管类型1 ：4 PNP（四路）
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：250V
4最大功率值：750mW
5频率-跃迁：50MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3094
包装： 管件
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合作现货:0
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型号： MPQ3906
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4PNP 40V 0.2A
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 700mA，5V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 10mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 PNP 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz
1晶体管类型1 ：4 PNP（四路）
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：500mW
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3095
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPQ3906' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ3906' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ3906' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ3906' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： MPQ6502
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2NPN/2PNP 30V 0.5A
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 700mA，5V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 10mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 PNP 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN，2 PNP
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：30V
4最大功率值：650mW
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3096
包装： 管件
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型号： MPQ7053
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2NPN/2PNP 250V 0.5A
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 700mA，5V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 10mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 PNP 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN，2 PNP
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：250V
4最大功率值：750mW
5频率-跃迁：50MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3097
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPQ7053' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SLA6020
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 3NPN/3PNP DARL 100V 12SIP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 700mA，5V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 10mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 PNP 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）
2集电极最大电流(ic)：5A
3集射极-击穿电压(最大值)：100V
4最大功率值：5W
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：12-SIP，裸焊盘
封装：12-SIP
料号：JTG4-3098
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MPQ3725A
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4NPN 50V 1A
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 700mA，5V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 10mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 PNP 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 500mA，2V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz
1晶体管类型1 ：4 NPN（四路）
2集电极最大电流(ic)：1A
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：1W
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3099
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPQ3725A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ3725A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ3725A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ3725A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MAT01AH
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 700mA，5V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 10mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 PNP 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 500mA，2V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）配对
2集电极最大电流(ic)：25mA
3集射极-击穿电压(最大值)：45V
4最大功率值：500mW
5频率-跃迁：450MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-78-6 金属罐
封装：TO-78-6
料号：JTG4-3100
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： HN1A01FE-Y,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:18 @ 700mA，5V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 10mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 500mA，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 PNP 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP 达林顿管（H 桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 2A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 500mA，2V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 2mA，6V *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:80MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：150mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：100mW
5频率-跃迁：80MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：ES6
料号：JTG4-3101
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HN1A01FE-Y,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN1A01FE-Y,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN1A01FE-Y,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN1A01FE-Y,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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