首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多路晶体管-双极(BJT)
元器件型号：1650 件
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制造商统称

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类目

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* 晶体管类型

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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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电压 - 集射极击穿（最大值）

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不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值）

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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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* 功率 - 最大值

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*频率 - 跃迁

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： UMZ7NTR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6UMT
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz，260MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：12V
4最大功率值：150mW
5频率-跃迁：320MHz，260MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：UMT6
料号：JTG4-3122
包装： 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： FMY1AT148
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5SMT
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz，260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP（耦合发射器）
2集电极最大电流(ic)：150mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：300mW
5频率-跃迁：180MHz，140MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-74A，SOT-753
封装：SMT5
料号：JTG4-3123
包装： 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： FMY4AT148
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS NPN/PNP DARL 50V 5SMT
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz，260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：-
2集电极最大电流(ic)：-
3集射极-击穿电压(最大值)：-
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-
外壳：SC-74A，SOT-753
封装：SMT5
料号：JTG4-3124
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： HN1C03FU-A(TE85L,F
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz，260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 4mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:30MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：300mA
3集射极-击穿电压(最大值)：20V
4最大功率值：200mW
5频率-跃迁：30MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：US6
料号：JTG4-3125
包装： 3000个/
￥1.19 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN1C03FU-A(TE85L,F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： CMLT5551 TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2NPN 160V 0.6A SOT-563
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz，260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 4mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：160V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG4-3126
包装： 带卷（TR）
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLT5551 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CMKT3906 TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2PNP 40V 0.2A SOD-363
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz，260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 4mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:250MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：250MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG4-3127
包装： 带卷（TR）
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品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2NPN 30V/6V 0.1A SOT143B
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz，260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 4mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V / 200 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz
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封装：SOT-143B
料号：JTG4-3128
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描述： TRANS 2PNP 30V/6V 0.1A SOT143B
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz，260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 4mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V / 200 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V / 220 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz
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料号：JTG4-3129
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品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2NPN 30V/6V 0.1A SOT143B
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz，260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 4mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V / 200 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V / 220 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V / 110 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
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3集射极-击穿电压(最大值)：30V，6V
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5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
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2~5天可到达
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型号： QST8TR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS 2PNP 12V 1.5A 6TSMT
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz，260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 4mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V / 200 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V / 220 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V / 110 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:400MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：1.5A
3集射极-击穿电压(最大值)：12V
4最大功率值：1.25W
5频率-跃迁：400MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-74，SOT-457
封装：TSMT6
料号：JTG4-3131
包装：
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型号： DMC204A00R
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS 2NPN 20V 0.5A MINI6
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz，260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 4mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V / 200 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V / 220 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V / 110 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:400MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：20V
4最大功率值：300mW
5频率-跃迁：150MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6
封装：迷你型6-G4-B
料号：JTG4-3132
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： ULQ2004D1013TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz，260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 4mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V / 200 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V / 220 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V / 110 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:400MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：7 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SO
料号：JTG4-3133
包装： 2500个/
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： CMLT5088E TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT-563
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz，260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 4mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V / 200 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V / 220 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V / 110 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:400MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG4-3134
包装： 带卷（TR）
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLT5088E TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLT5088E TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLT5088E TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZXTD718MCTA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2PNP 20V 3.5A 8DFN
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz，260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 4mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V / 200 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V / 220 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V / 110 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:400MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:150MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：3.5A
3集射极-击穿电压(最大值)：20V
4最大功率值：1.7W
5频率-跃迁：150MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-WDFN 裸露焊盘
封装：8-DFN（3X2）
料号：JTG4-3135
包装： 1个/
￥11.97 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXTD718MCTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTD718MCTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTD718MCTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTD718MCTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PBSS4032SP,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2PNP 30V 4.8A 8SO
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz，260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 4mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V / 200 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V / 220 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V / 110 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:400MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4.8A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :510mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 2A，2V *4最大功率值:2.3W *5频率-跃迁:115MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：4.8A
3集射极-击穿电压(最大值)：30V
4最大功率值：2.3W
5频率-跃迁：115MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG4-3136
包装：
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状态： 在售
型号： PBSS4021SPN,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS NPN/PNP 20V 7.5A/6.3A 8SO
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz，260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 4mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V / 200 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V / 220 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V / 110 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:400MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4.8A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :510mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 2A，2V *4最大功率值:2.3W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):7.5A，6.3A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :275mV @ 375mA，7.5A / 350mV @ 325mA，6.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 4A，2V / 150 @ 4A，2V *4最大功率值:2.3W *5频率-跃迁:115MHz，105MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：7.5A，6.3A
3集射极-击穿电压(最大值)：20V
4最大功率值：2.3W
5频率-跃迁：115MHz，105MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG4-3137
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EMT1FHAT2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz，260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 4mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V / 200 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V / 220 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V / 110 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:400MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4.8A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :510mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 2A，2V *4最大功率值:2.3W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):7.5A，6.3A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :275mV @ 375mA，7.5A / 350mV @ 325mA，6.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 4A，2V / 150 @ 4A，2V *4最大功率值:2.3W *5频率-跃迁:115MHz，105MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:140MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：150mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：150mW
5频率-跃迁：140MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：EMT6
料号：JTG4-3701
包装： 8000个/
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状态： 爆款
型号： ULQ2003D1013TRY
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz，260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 4mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V / 200 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V / 220 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V / 110 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:400MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4.8A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :510mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 2A，2V *4最大功率值:2.3W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):7.5A，6.3A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :275mV @ 375mA，7.5A / 350mV @ 325mA，6.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 4A，2V / 150 @ 4A，2V *4最大功率值:2.3W *5频率-跃迁:115MHz，105MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：7 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SO
料号：JTG4-3138
包装： 2500个/
￥3.28 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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型号： ZDT749TA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2PNP 25V 2A SM8
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz，260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 4mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 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集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：2A
3集射极-击穿电压(最大值)：25V
4最大功率值：2.75W
5频率-跃迁：160MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SM8
料号：JTG4-3139
包装： 1000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STA303A
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 3NPN DARL 100V 4A 8-SIP
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:320MHz，260MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:180MHz，140MHz 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 4mA，2V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V / 200 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V / 220 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V，6V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V / 110 @ 2mA，700mV *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:400MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4.8A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :510mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 2A，2V *4最大功率值:2.3W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):7.5A，6.3A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :275mV @ 375mA，7.5A / 350mV @ 325mA，6.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 4A，2V / 150 @ 4A，2V *4最大功率值:2.3W *5频率-跃迁:115MHz，105MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN 达林顿管（发射极耦合） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 2A，4V *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：3 NPN 达林顿管（发射极耦合）
2集电极最大电流(ic)：4A
3集射极-击穿电压(最大值)：100V
4最大功率值：3W
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：8-SIP
封装：8-SIP
料号：JTG4-3140
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STA303A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA303A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA303A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA303A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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