首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多路晶体管-双极(BJT)
元器件型号：1650 件
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制造商统称

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* 晶体管类型

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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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电压 - 集射极击穿（最大值）

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不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值）

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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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* 功率 - 最大值

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*频率 - 跃迁

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SMA4030
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 4NPN DARL 100V 3A 12-SIP
参数： 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz
1晶体管类型1 ：4 NPN 达林顿（双）
2集电极最大电流(ic)：3A
3集射极-击穿电压(最大值)：100V
4最大功率值：4W
5频率-跃迁：40MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：12-SIP，裸焊盘
封装：12-SIP
料号：JTG4-3141
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMA4030' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA4030' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA4030' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA4030' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SMA4033
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 4NPN DARL 100V 2A 12-SIP
参数： 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：4 NPN 达林顿（双）
2集电极最大电流(ic)：2A
3集射极-击穿电压(最大值)：100V
4最大功率值：4W
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：12-SIP，裸焊盘
封装：12-SIP
料号：JTG4-3142
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMA4033' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA4033' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA4033' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA4033' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SMA6010
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 3NPN/3PNP DARL 60V 12SIP
参数： 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:75MHz
1晶体管类型1 ：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）
2集电极最大电流(ic)：4A
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：4W
5频率-跃迁：75MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：12-SIP，裸焊盘
封装：12-SIP
料号：JTG4-3143
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMA6010' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA6010' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA6010' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA6010' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SMA5106
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 4NPN DARL 120V 5A
参数： 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，2V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：4 NPN 达林顿（双）
2集电极最大电流(ic)：5A
3集射极-击穿电压(最大值)：120V
4最大功率值：5W
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：12-SIP，裸焊盘
封装：12-SIP
料号：JTG4-3144
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMA5106' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA5106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA5106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA5106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SLA6023
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 3NPN/3PNP DARL 60V 12SIP
参数： 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，2V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 10mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 5A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:80MHz
1晶体管类型1 ：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）
2集电极最大电流(ic)：6A
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：5W
5频率-跃迁：80MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：12-SIP，裸焊盘
封装：12-SIP
料号：JTG4-3145
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SLA6023' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA6023' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA6023' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA6023' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BC856BDW1T3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
参数： 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，2V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 10mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 5A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：65V
4最大功率值：380mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-3146
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC856BDW1T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC856BDW1T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC856BDW1T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC856BDW1T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BC847BPDW1T2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
参数： 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，2V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 10mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 5A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：45V
4最大功率值：380mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-3147
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC847BPDW1T2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847BPDW1T2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BC857QASZ
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2PNP 45V 0.1A DFN1010B-6
参数： 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，2V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 10mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 5A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 2mA，5V 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：45V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-XFDFN 裸露焊盘
封装：DFN1010B-6
料号：JTG4-3148
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC857QASZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC857QASZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC857QASZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC857QASZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MMDT3946FL3-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS NPN/PNP 40V 200MA 6DFN
参数： 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，2V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 10mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 5A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 2mA，5V 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 互补 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:300MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP 互补
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：370mW
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-XFDFN
封装：X2-DFN1310-6
料号：JTG4-3149
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMDT3946FL3-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT3946FL3-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT3946FL3-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMDT3946FL3-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SBC846BPDW1T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
参数： 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，2V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 10mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 5A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 2mA，5V 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 互补 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz
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外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-3150
包装：
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合作现货:0
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型号： SBC847BDW1T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
参数： 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，2V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 10mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 5A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 2mA，5V 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 互补 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：45V
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6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-3151
包装：
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描述： TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363
参数： 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，2V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 10mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 5A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 2mA，5V 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 互补 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz
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外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-3152
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型号： SBC846BPDW1T2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
参数： 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，2V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 10mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 5A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 2mA，5V 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 互补 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：65V
4最大功率值：380mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-3153
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBC846BPDW1T2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NST65010MW6T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88-6
参数： 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，2V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 10mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 5A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 2mA，5V 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 互补 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：65V
4最大功率值：380mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88（SOT-363）
料号：JTG4-3154
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NST65010MW6T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NST65010MW6T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NST65010MW6T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NST65011MW6T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88-6
参数： 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，2V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 10mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 5A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 2mA，5V 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 互补 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：65V
4最大功率值：380mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88（SOT-363）
料号：JTG4-3155
包装：
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合作现货:0
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型号： NSVT65010MW6T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88-6
参数： 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，2V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 10mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 5A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 2mA，5V 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 互补 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：65V
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6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88（SOT-363）
料号：JTG4-3156
包装：
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88-6
参数： 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，2V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 10mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 5A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 2mA，5V 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 互补 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：65V
4最大功率值：380mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88（SOT-363）
料号：JTG4-3157
包装：
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合作现货:0
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型号： SMBT3904DW1T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88
参数： 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，2V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 10mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 5A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 2mA，5V 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 互补 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：150mW
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-3158
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBT3904DW1T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBT3904DW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMXT2222A TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT26
参数： 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，2V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 10mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 5A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 2mA，5V 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 互补 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 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集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6
封装：SOT-26
料号：JTG4-3159
包装： *
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合作现货:0
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型号： CMXT2907A TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT26
参数： 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1.5A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:40MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):100V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 2mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:75MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 3mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 3A，2V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥） *2集电极最大电流(ic):6A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 10mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 5A，4V *4最大功率值:5W *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:通用双极性晶体管 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 2mA，5V 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 互补 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:370mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:220 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 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集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:200MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6
封装：SOT-26
料号：JTG4-3160
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMXT2907A TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMXT2907A TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMXT2907A TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMXT2907A TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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