首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多路晶体管-双极(BJT)
元器件型号：1650 件
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不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： UP0440100L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS 2PNP 50V 0.1A SSMINI6
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:80MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：125mW
5频率-跃迁：80MHz
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SSMINI6-F1
料号：JTG4-3241
包装： 8000个/
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型号： UP0450100L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS 2NPN 50V 0.1A SSMINI6
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：125mW
5频率-跃迁：150MHz
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SSMINI6-F1
料号：JTG4-3242
包装：
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状态： 在售
型号： UP0460100L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V / 180 @ 5mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz，80MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：125mW
5频率-跃迁：150MHz，80MHz
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SSMINI6-F1
料号：JTG4-3243
包装： 8000个/
￥1.69 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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状态： 在售
型号： ZXTD1M832TA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2PNP 12V 4A 8MLP
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1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：4A
3集射极-击穿电压(最大值)：12V
4最大功率值：1.7W
5频率-跃迁：110MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-VDFN 裸露焊盘
封装：8-MLP（3X2）
料号：JTG4-3244
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTD1M832TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： ZXTDA1M832TA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V / 180 @ 5mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz，80MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，4A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :280mV @ 50mA，4.5A / 300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 3A，2V / 180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:120MHz，110MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：4.5A，4A
3集射极-击穿电压(最大值)：15V，12V
4最大功率值：1W
5频率-跃迁：120MHz，110MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-VDFN 裸露焊盘
封装：8-MLP（3X2）
料号：JTG4-3245
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTDA1M832TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ZXTDB2M832TA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8MLP
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V / 180 @ 5mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz，80MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，4A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :280mV @ 50mA，4.5A / 300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 3A，2V / 180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:120MHz，110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：4.5A，3.5A
3集射极-击穿电压(最大值)：20V
4最大功率值：1.7W
5频率-跃迁：140MHz，180MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-VDFN 裸露焊盘
封装：8-MLP（3X2）
料号：JTG4-3246
包装： 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： ZXTDCM832TA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN 50V 4A 8MLP
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V / 180 @ 5mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz，80MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，4A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :280mV @ 50mA，4.5A / 300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 3A，2V / 180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:120MHz，110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :320mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:165MHz
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6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-VDFN 裸露焊盘
封装：8-MLP（3X2）
料号：JTG4-3247
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： XN0155800L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS 2NPN 20V 0.5A MINI5
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V / 180 @ 5mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz，80MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，4A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :280mV @ 50mA，4.5A / 300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 3A，2V / 180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:120MHz，110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :320mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:165MHz 系列:* 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：500mA
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5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-74A，SOT-753
封装：迷你型5-G1
料号：JTG4-3248
包装：
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMMT3906W-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V / 180 @ 5mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz，80MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，4A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :280mV @ 50mA，4.5A / 300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 3A，2V / 180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:120MHz，110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :320mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:165MHz 系列:* 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:250MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）配对
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：200mW
5频率-跃迁：250MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG4-3249
包装： 30000个/
￥1.20 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMMT3906W-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMMT3906W-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMMT3906W-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMMT3906W-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： L6221AS
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 16DIP
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V / 180 @ 5mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz，80MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，4A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :280mV @ 50mA，4.5A / 300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 3A，2V / 180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:120MHz，110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :320mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:165MHz 系列:* 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:-
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料号：JTG4-3250
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型号： MC1413BDR2
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V / 180 @ 5mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz，80MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，4A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :280mV @ 50mA，4.5A / 300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 3A，2V / 180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:120MHz，110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :320mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:165MHz 系列:* 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:-
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外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
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型号： MC1413DR2
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V / 180 @ 5mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz，80MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，4A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :280mV @ 50mA，4.5A / 300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 3A，2V / 180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:120MHz，110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :320mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:165MHz 系列:* 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:-
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包装：
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型号： MBT3906DW1T1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V / 180 @ 5mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz，80MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，4A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :280mV @ 50mA，4.5A / 300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 3A，2V / 180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:120MHz，110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :320mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:165MHz 系列:* 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：-
2集电极最大电流(ic)：-
3集射极-击穿电压(最大值)：-
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-3253
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBT3906DW1T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBT3906DW1T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT363
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V / 180 @ 5mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz，80MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，4A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :280mV @ 50mA，4.5A / 300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 3A，2V / 180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:120MHz，110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :320mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:165MHz 系列:* 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：-
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3集射极-击穿电压(最大值)：-
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6工作温度：-
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-3254
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBT3946DW1T1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBT3946DW1T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： MMPQ2222AR1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 4NPN 40V 0.5A 16SOIC
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V / 180 @ 5mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz，80MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，4A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :280mV @ 50mA，4.5A / 300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 3A，2V / 180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:120MHz，110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :320mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:165MHz 系列:* 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:350MHz
1晶体管类型1 ：4 NPN（四路）
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：1W
5频率-跃迁：350MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG4-3255
包装： 500个/
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状态： 在售
型号： SSM2220S
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： TRANS 2PNP 36V 0.02A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V / 180 @ 5mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz，80MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，4A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :280mV @ 50mA，4.5A / 300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 3A，2V / 180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:120MHz，110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :320mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:165MHz 系列:* 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:350MHz 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:190MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）配对
2集电极最大电流(ic)：20mA
3集射极-击穿电压(最大值)：36V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：190MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG4-3256
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ULQ2003D1
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V / 180 @ 5mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz，80MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，4A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :280mV @ 50mA，4.5A / 300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 3A，2V / 180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:120MHz，110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :320mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:165MHz 系列:* 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:350MHz 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:190MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：7 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SO
料号：JTG4-3257
包装：
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型号： DMMT3904W-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V / 180 @ 5mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz，80MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，4A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :280mV @ 50mA，4.5A / 300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 3A，2V / 180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:120MHz，110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :320mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:165MHz 系列:* 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:350MHz 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:190MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）配对
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：200mW
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG4-3258
包装： 30000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NST3946DXV6T5
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT563
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V / 180 @ 5mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz，80MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，4A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :280mV @ 50mA，4.5A / 300mV @ 150mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 3A，2V / 180 @ 2.5A，2V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:120MHz，110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):4.5A，3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :320mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:165MHz 系列:* 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:350MHz 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:190MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：500mW
5频率-跃迁：300MHz，250MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG4-3259
包装：
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状态： 在售
型号： NST3906DXV6T1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，10V / 180 @ 5mA，10V *4最大功率值:125mW *5频率-跃迁:150MHz，80MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 150mA，4A 电流 - 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集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:350MHz 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:190MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：500mW
5频率-跃迁：250MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG4-3260
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NST3906DXV6T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NST3906DXV6T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NST3906DXV6T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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