元器件型号:1650
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不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值)

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电流 - 集电极截止(最大值)

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不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值)

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: DMMT5551-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对
2集电极最大电流(ic):200mA
3集射极-击穿电压(最大值):160V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:300MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-23-6
封装:SOT-26
料号:JTG4-2409
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMMT5551-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMMT5551-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMMT5551-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMMT5551-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: BC856AS-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):65V
4最大功率值:200mW
5频率-跃迁:100MHz
6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:JTG4-2410
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC856AS-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC856AS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC856AS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC856AS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: FMB2222A
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS 2NPN 40V 0.5A 6SSOT
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿电压(最大值):40V
4最大功率值:700mW
5频率-跃迁:300MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
封装:SUPERSOT™-6
料号:JTG4-2411
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMB2222A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMB2222A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMB2222A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMB2222A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: FMB3904
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS 2NPN 40V 0.2A 6SSOT
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):200mA
3集射极-击穿电压(最大值):40V
4最大功率值:700mW
5频率-跃迁:250MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
封装:SUPERSOT™-6
料号:JTG4-2412
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMB3904' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMB3904' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMB3904' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMB3904' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: BC847CDLP-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS 2NPN 45V 0.1A 6DFN
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):45V
4最大功率值:350mW
5频率-跃迁:100MHz
6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-SMD,无引线
封装:X2-DFN1310-6
料号:JTG4-2413
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC847CDLP-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847CDLP-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847CDLP-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847CDLP-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: HBDM60V600W-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA,600mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V,60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :NPN,PNP
2集电极最大电流(ic):500mA,600mA
3集射极-击穿电压(最大值):65V,60V
4最大功率值:200mW
5频率-跃迁:100MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:JTG4-2414
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HBDM60V600W-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HBDM60V600W-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HBDM60V600W-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HBDM60V600W-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: IMX9T110
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS 2NPN 20V 0.5A 6SMT
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA,600mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V,60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):560 @ 10mA,3V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:350MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿电压(最大值):20V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:350MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-74,SOT-457
封装:SMT6
料号:JTG4-2415
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IMX9T110' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMX9T110' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMX9T110' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMX9T110' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: FMB3906
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS 2PNP 40V 0.2A 6SSOT
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA,600mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V,60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):560 @ 10mA,3V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:350MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):200mA
3集射极-击穿电压(最大值):40V
4最大功率值:700mW
5频率-跃迁:200MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
封装:SUPERSOT™-6
料号:JTG4-2416
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMB3906' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMB3906' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMB3906' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMB3906' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: DMMT3906-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT26
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA,600mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V,60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):560 @ 10mA,3V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:350MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对
2集电极最大电流(ic):200mA
3集射极-击穿电压(最大值):40V
4最大功率值:225mW
5频率-跃迁:250MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-23-6
封装:SOT-26
料号:JTG4-2417
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMMT3906-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMMT3906-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMMT3906-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMMT3906-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BCM847BS,135
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSSOP
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA,600mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V,60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):560 @ 10mA,3V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:350MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对
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4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:250MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:6-TSSOP
料号:JTG4-2418
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BCM847BS,135' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: BCM856BS,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS 2PNP 65V 0.1A 6TSSOP
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA,600mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V,60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):560 @ 10mA,3V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:350MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对
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6工作温度:150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:6-TSSOP
料号:JTG4-2419
包装:
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描述: TRANS 2PNP 45V 0.1A 6TSSOP
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA,600mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V,60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):560 @ 10mA,3V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:350MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对
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6工作温度:150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:6-TSSOP
料号:JTG4-2420
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BCM857BS,135' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCM857BS,135' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCM857BS,135' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号: BCM857BS,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS 2PNP 45V 0.1A 6TSSOP
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA,600mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V,60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):560 @ 10mA,3V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:350MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):45V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:175MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:6-TSSOP
料号:JTG4-2421
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BCM857BS,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCM857BS,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCM857BS,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCM857BS,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号: BCM857DS,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS 2PNP 45V 0.1A 6TSOP
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA,600mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V,60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):560 @ 10mA,3V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:350MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):45V
4最大功率值:380mW
5频率-跃迁:175MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-74,SOT-457
封装:6-TSOP
料号:JTG4-2422
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BCM857DS,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCM857DS,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCM857DS,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCM857DS,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MMDTA06-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS 2NPN 80V 0.5A SOT26
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA,600mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V,60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):560 @ 10mA,3V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:350MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:900mW *5频率-跃迁:163MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):500mA
3集射极-击穿电压(最大值):80V
4最大功率值:900mW
5频率-跃迁:163MHz
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-23-6
封装:SOT-26
料号:JTG4-2423
包装:
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合作现货:0
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型号: PMP4201Y,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSSOP
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA,600mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V,60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):560 @ 10mA,3V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:350MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:900mW *5频率-跃迁:163MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):45V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:250MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:6-TSSOP
料号:JTG4-2424
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMP4201Y,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMP4201Y,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: PMP4201Y,135
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSSOP
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA,600mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V,60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):560 @ 10mA,3V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:350MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:900mW *5频率-跃迁:163MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):45V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:250MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:6-TSSOP
料号:JTG4-2425
包装:
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合作现货:0
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型号: PMP5201Y,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS 2PNP 45V 0.1A 6TSSOP
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA,600mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V,60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):560 @ 10mA,3V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:350MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:900mW *5频率-跃迁:163MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对
2集电极最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):45V
4最大功率值:300mW
5频率-跃迁:175MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:6-TSSOP
料号:JTG4-2426
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMP5201Y,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMP5201Y,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: CPH5524-TL-E
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS NPN/PNP 50V 3A 5CPH
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA,600mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V,60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):560 @ 10mA,3V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:350MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:900mW *5频率-跃迁:163MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :240mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 100mA,2V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:380MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器)
2集电极最大电流(ic):3A
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4最大功率值:1.2W
5频率-跃迁:380MHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SOT-23-5细型,TSOT-23-5
封装:5-CPH
料号:JTG4-2427
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPH5524-TL-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPH5524-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPH5524-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPH5524-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: EMX4T2R
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS 2NPN 20V 0.05A 6EMT
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 2mA,5V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):420 @ 2mA,5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP *2集电极最大电流(ic):500mA,600mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V,60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):560 @ 10mA,3V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:350MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):80V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V *4最大功率值:900mW *5频率-跃迁:163MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双)配对 *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:175MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN,PNP(耦合发射器) *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :240mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 100mA,2V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:380MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :500mV @ 4mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):56 @ 10mA,10V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:1.5GHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):50mA
3集射极-击穿电压(最大值):20V
4最大功率值:150mW
5频率-跃迁:1.5GHz
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:EMT6
料号:JTG4-2428
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EMX4T2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMX4T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMX4T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMX4T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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