首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多路晶体管-双极(BJT)
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不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： ZDT1053TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN 75V 5A SM8
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):75V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :440mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：5A
3集射极-击穿电压(最大值)：75V
4最大功率值：2.75W
5频率-跃迁：140MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SM8
料号：JTG4-3301
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT1053TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT1053TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT1053TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT1053TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZDT1147TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2PNP 12V 5A SOT223
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):75V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :440mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :380mV @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:115MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：5A
3集射极-击穿电压(最大值)：12V
4最大功率值：2.75W
5频率-跃迁：115MHz
6工作温度：-
外壳：TO-261-4，TO-261AA
封装：SOT-223
料号：JTG4-3302
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT1147TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT1147TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT1147TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： ZDT605TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN DARL 120V 1A SM8
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):75V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :440mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :380mV @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN 达林顿（双）
2集电极最大电流(ic)：1A
3集射极-击穿电压(最大值)：120V
4最大功率值：2.75W
5频率-跃迁：150MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SM8
料号：JTG4-3303
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT605TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT605TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT605TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： ZDT619TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN 50V 2A SM8
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):75V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :440mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :380mV @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:165MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：2A
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：2.5W
5频率-跃迁：165MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SM8
料号：JTG4-3304
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT619TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT619TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT619TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： ZDT649TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN 25V 2A SM8
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):75V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :440mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :380mV @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:240MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：2A
3集射极-击穿电压(最大值)：25V
4最大功率值：2.75W
5频率-跃迁：240MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SM8
料号：JTG4-3305
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT649TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT649TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT649TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT649TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZDT651TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN 60V 2A SM8
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):75V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :440mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :380mV @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:240MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：2A
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：2.75W
5频率-跃迁：175MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SM8
料号：JTG4-3306
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT651TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT651TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT651TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： ZDT6702TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS NPN/PNP DARL 60V 1.75A SM8
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):75V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :440mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :380mV @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:240MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.28V @ 2mA，1.75A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5000 @ 500mA，5V / 2000 @ 500mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP 达林顿（双）
2集电极最大电流(ic)：1.75A
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：2.75W
5频率-跃迁：140MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SM8
料号：JTG4-3307
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型号： ZDT6705TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS NPN/PNP DARL 120V 1A SM8
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):75V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :440mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :380mV @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:240MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.28V @ 2mA，1.75A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5000 @ 500mA，5V / 2000 @ 500mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP 达林顿（双）
2集电极最大电流(ic)：1A
3集射极-击穿电压(最大值)：120V
4最大功率值：2.75W
5频率-跃迁：150MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SM8
料号：JTG4-3308
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描述： TRANS NPN/PNP 20V 2A/1.5A SM8
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):75V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :440mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :380mV @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:240MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.28V @ 2mA，1.75A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5000 @ 500mA，5V / 2000 @ 500mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):2A，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A / 220mV @ 50mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V / 300 @ 100mA，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：2A，1.5A
3集射极-击穿电压(最大值)：20V
4最大功率值：2.5W
5频率-跃迁：140MHz，180MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SM8
料号：JTG4-3309
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT6718TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT6718TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT6718TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： ZDT6757TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS NPN/PNP 300V 0.5A SM8
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):75V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :440mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :380mV @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:240MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.28V @ 2mA，1.75A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5000 @ 500mA，5V / 2000 @ 500mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):2A，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A / 220mV @ 50mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V / 300 @ 100mA，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz
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品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS NPN/PNP 400V 0.5A SM8
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):75V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :440mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :380mV @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:240MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.28V @ 2mA，1.75A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5000 @ 500mA，5V / 2000 @ 500mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):2A，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A / 220mV @ 50mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V / 300 @ 100mA，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 200mA，10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz
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品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS NPN/PNP 45V/40V 2A SM8
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):75V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :440mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :380mV @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:240MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.28V @ 2mA，1.75A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5000 @ 500mA，5V / 2000 @ 500mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):2A，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A / 220mV @ 50mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V / 300 @ 100mA，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 200mA，10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V，40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，1A / 750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 1A，2V / 300 @ 10mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz，100MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
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封装：SM8
料号：JTG4-3312
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型号： ZDT690TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN 45V 2A SM8
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):75V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :440mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :380mV @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:240MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.28V @ 2mA，1.75A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5000 @ 500mA，5V / 2000 @ 500mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):2A，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A / 220mV @ 50mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V / 300 @ 100mA，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 200mA，10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V，40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，1A / 750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 1A，2V / 300 @ 10mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz，100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
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6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SM8
料号：JTG4-3313
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT690TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT690TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT690TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZDT694TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN 120V 0.5A SM8
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):75V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :440mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :380mV @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:240MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.28V @ 2mA，1.75A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5000 @ 500mA，5V / 2000 @ 500mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):2A，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A / 220mV @ 50mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V / 300 @ 100mA，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 200mA，10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V，40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，1A / 750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 1A，2V / 300 @ 10mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz，100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 200mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:130MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：120V
4最大功率值：2.75W
5频率-跃迁：130MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SM8
料号：JTG4-3314
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT694TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT694TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT694TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： ZDT705TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2PNP DARL 120V 1A SM8
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):75V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :440mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :380mV @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:240MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.28V @ 2mA，1.75A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5000 @ 500mA，5V / 2000 @ 500mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):2A，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A / 220mV @ 50mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V / 300 @ 100mA，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 200mA，10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V，40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，1A / 750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 1A，2V / 300 @ 10mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz，100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 200mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2.5V @ 2mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:3000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP 达林顿（双）
2集电极最大电流(ic)：1A
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4最大功率值：2.75W
5频率-跃迁：160MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SM8
料号：JTG4-3315
包装：
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合作现货:0
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型号： ZDT717TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2PNP 12V 2.5A SM8
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):75V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :440mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :380mV @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:240MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.28V @ 2mA，1.75A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5000 @ 500mA，5V / 2000 @ 500mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):2A，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A / 220mV @ 50mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V / 300 @ 100mA，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 200mA，10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V，40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，1A / 750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 1A，2V / 300 @ 10mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz，100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 200mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2.5V @ 2mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:3000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :220mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:110MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：2.5A
3集射极-击穿电压(最大值)：12V
4最大功率值：2.5W
5频率-跃迁：110MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SM8
料号：JTG4-3316
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT717TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： ZDT749TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2PNP 25V 2A SM8
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):75V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :440mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :380mV @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:240MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.28V @ 2mA，1.75A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5000 @ 500mA，5V / 2000 @ 500mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):2A，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A / 220mV @ 50mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V / 300 @ 100mA，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 200mA，10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V，40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，1A / 750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 1A，2V / 300 @ 10mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz，100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 200mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2.5V @ 2mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:3000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :220mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
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6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SM8
料号：JTG4-3317
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品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2PNP 60V 2A SM8
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):75V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :440mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :380mV @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:240MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.28V @ 2mA，1.75A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5000 @ 500mA，5V / 2000 @ 500mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):2A，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A / 220mV @ 50mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V / 300 @ 100mA，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 200mA，10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V，40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，1A / 750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 1A，2V / 300 @ 10mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz，100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 200mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2.5V @ 2mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:3000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :220mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
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外壳：SOT-223-8
封装：SM8
料号：JTG4-3318
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品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2PNP 400V 0.5A SM8
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):75V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :440mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :380mV @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:240MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.28V @ 2mA，1.75A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5000 @ 500mA，5V / 2000 @ 500mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):2A，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A / 220mV @ 50mA，1.5A 电流 - 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集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 200mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2.5V @ 2mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:3000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :220mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 200mA，10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：400V
4最大功率值：2.75W
5频率-跃迁：50MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SM8
料号：JTG4-3319
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT758TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： ZDT795ATC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2PNP 140V 0.5A SM8
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):75V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :440mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :380mV @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:115MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:165MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:240MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:175MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.28V @ 2mA，1.75A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:5000 @ 500mA，5V / 2000 @ 500mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):2A，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A / 220mV @ 50mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 200mA，2V / 300 @ 100mA，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:140MHz，180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):300V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 100mA，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:30MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 200mA，10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V，40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，1A / 750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 1A，2V / 300 @ 10mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz，100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:400 @ 200mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2.5V @ 2mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:3000 @ 1A，5V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :220mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:2.5W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):25V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:160MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):400V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 200mA，10V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:50MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):140V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *4最大功率值:2.75W *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：140V
4最大功率值：2.75W
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SM8
料号：JTG4-3320
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDT795ATC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT795ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT795ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDT795ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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