首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多路晶体管-双极(BJT)
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不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： ZHB6718TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN/2PNP 20V 2.5A SOT223
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz
1晶体管类型1 ：2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥）
2集电极最大电流(ic)：2.5A
3集射极-击穿电压(最大值)：20V
4最大功率值：1.25W
5频率-跃迁：140MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SOT-223
料号：JTG4-3321
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZHB6718TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZHB6718TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZHB6790TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN/2PNP 40V 2A SOT223
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 ：2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥）
2集电极最大电流(ic)：2A
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：1.25W
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SOT-223
料号：JTG4-3322
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZHB6790TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZHB6790TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZHB6790TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： ZHB6792TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SOT223
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 ：2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥）
2集电极最大电流(ic)：1A
3集射极-击穿电压(最大值)：70V
4最大功率值：1.25W
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SOT-223
料号：JTG4-3323
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZHB6792TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZHB6792TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZHB6792TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZHB6792TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZXT12N20DXTC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN 20V 3.5A 8MSOP
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:112MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：3.5A
3集射极-击穿电压(最大值)：20V
4最大功率值：1.04W
5频率-跃迁：112MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)
封装：8-MSOP
料号：JTG4-3324
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXT12N20DXTC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXT12N20DXTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXT12N20DXTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXT12N20DXTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZXT12P12DXTC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2PNP 12V 3A 8MSOP
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:112MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 30mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:85MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：3A
3集射极-击穿电压(最大值)：12V
4最大功率值：1.04W
5频率-跃迁：85MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)
封装：8-MSOP
料号：JTG4-3325
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXT12P12DXTC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXT12P12DXTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXT12P12DXTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXT12P12DXTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZXT12P20DXTC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2PNP 20V 2.5A 8MSOP
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:112MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 30mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:85MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:110MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：2.5A
3集射极-击穿电压(最大值)：20V
4最大功率值：1.04W
5频率-跃迁：110MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)
封装：8-MSOP
料号：JTG4-3326
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXT12P20DXTC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： ZXT12P40DXTC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2PNP 40V 2A 8MSOP
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:112MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 30mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:85MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :260mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:130MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：2A
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：1.04W
5频率-跃迁：130MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)
封装：8-MSOP
料号：JTG4-3327
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXT12P40DXTC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXT12P40DXTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXT12P40DXTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXT12P40DXTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZXTD09N50DE6TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:112MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 30mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:85MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :260mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:215MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：1A
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：1.1W
5频率-跃迁：215MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6
封装：SOT-26
料号：JTG4-3328
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXTD09N50DE6TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTD09N50DE6TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTD09N50DE6TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTD09N50DE6TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： ZXTD2M832TA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2PNP 20V 3.5A 8MLP
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:112MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 30mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:85MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :260mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:180MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：3.5A
3集射极-击穿电压(最大值)：20V
4最大功率值：1.7W
5频率-跃迁：180MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-VDFN 裸露焊盘
封装：8-MLP（3X2）
料号：JTG4-3329
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXTD2M832TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTD2M832TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTD2M832TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTD2M832TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ZXTD4591E6TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:112MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 30mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:85MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :260mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 100mA，1A / 500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，5V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:150MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：1A
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4最大功率值：1.1W
5频率-跃迁：150MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6
封装：SOT-23-6
料号：JTG4-3330
包装：
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型号： ZXTD6717E6TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS NPN/PNP 15V/12V SOT23-6
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:112MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 30mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:85MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :260mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 100mA，1A / 500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，5V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1.5A，1.25A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :245mV @ 20mA，1.5A / 240mV @ 100mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:180MHz，220MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
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6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6
封装：SOT-26
料号：JTG4-3331
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTD6717E6TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： ULQ2001D1013TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:112MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 30mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:85MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :260mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 100mA，1A / 500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，5V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1.5A，1.25A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :245mV @ 20mA，1.5A / 240mV @ 100mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:180MHz，220MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：7 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
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4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SO
料号：JTG4-3332
包装： 2500个/
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合作现货:0
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型号： L604C
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:112MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 30mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:85MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :260mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 100mA，1A / 500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，5V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1.5A，1.25A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :245mV @ 20mA，1.5A / 240mV @ 100mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:180MHz，220MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):400mA *3集射极-击穿电压(最大值):90V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 500µA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1.8W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：8 NPN 达林顿
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6工作温度：-25°C ~ 150°C（TJ）
外壳：-
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料号：JTG4-3333
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L604C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L604C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L604C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ULN2805A
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:112MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 30mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:85MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :260mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 100mA，1A / 500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，5V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1.5A，1.25A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :245mV @ 20mA，1.5A / 240mV @ 100mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:180MHz，220MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):400mA *3集射极-击穿电压(最大值):90V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 500µA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1.8W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:2.25W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：8 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：2.25W
5频率-跃迁：-
6工作温度：-20°C ~ 150°C（TJ）
外壳：18-DIP(7.62mm)
封装：18-DIP
料号：JTG4-3334
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ULN2805A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2805A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2805A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2805A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FFB2907A_D87Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP 60V 0.6A SC70-6
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:112MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 30mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:85MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :260mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 100mA，1A / 500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，5V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1.5A，1.25A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :245mV @ 20mA，1.5A / 240mV @ 100mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:180MHz，220MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):400mA *3集射极-击穿电压(最大值):90V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 500µA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1.8W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:2.25W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：300mW
5频率-跃迁：250MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-70-6
料号：JTG4-3335
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FFB2907A_D87Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFB2907A_D87Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFB2907A_D87Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： FMBM5551_SB16001
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN 160V 0.6A SSOT-6
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:112MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 30mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:85MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :260mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 100mA，1A / 500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，5V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1.5A，1.25A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :245mV @ 20mA，1.5A / 240mV @ 100mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:180MHz，220MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):400mA *3集射极-击穿电压(最大值):90V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 500µA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1.8W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:2.25W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：160V
4最大功率值：700mW
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：SUPERSOT™-6
料号：JTG4-3336
包装： 带卷（TR）
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMBM5551_SB16001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMPQ2907
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 4PNP 40V 0.6A 16SOIC
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:112MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 30mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:85MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :260mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 100mA，1A / 500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，5V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1.5A，1.25A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :245mV @ 20mA，1.5A / 240mV @ 100mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:180MHz，220MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):400mA *3集射极-击穿电压(最大值):90V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 500µA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1.8W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:2.25W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：4 PNP（四路）
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：1W
5频率-跃迁：-
6工作温度：-
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG4-3337
包装：
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合作现货:0
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型号： FTM3725
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 4NPN 40V 1.2A 16SOIC
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:112MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 30mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:85MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :260mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 100mA，1A / 500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，5V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1.5A，1.25A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :245mV @ 20mA，1.5A / 240mV @ 100mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:180MHz，220MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):400mA *3集射极-击穿电压(最大值):90V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 500µA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1.8W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:2.25W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :950mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 100mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:250MHz
1晶体管类型1 ：4 NPN（四路）
2集电极最大电流(ic)：1.2A
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：1W
5频率-跃迁：250MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG4-3338
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FTM3725' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FTM3725' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FTM3725' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FTM3725' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CA3083
品牌： Intersil
描述： TRANS 5NPN 15V 0.1A 16DIP
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:112MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 30mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:85MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :260mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 100mA，1A / 500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，5V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1.5A，1.25A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :245mV @ 20mA，1.5A / 240mV @ 100mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:180MHz，220MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):400mA *3集射极-击穿电压(最大值):90V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 500µA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1.8W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:2.25W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :950mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 100mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz
1晶体管类型1 ：5 NPN
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：15V
4最大功率值：500mW
5频率-跃迁：450MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：16-DIP(7.62mm)
封装：16-PDIP
料号：JTG4-3339
包装：
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合作现货:0
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型号： CA3083M96
品牌： Intersil
描述： TRANS 5NPN 15V 0.1A 16SOIC
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 1A，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):70V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :750mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100mA，2V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 50mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:112MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 30mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:85MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 125mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:110MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :260mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1A，2V *4最大功率值:1.04W *5频率-跃迁:130MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :270mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:215MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):3.5A *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 350mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 2A，2V *4最大功率值:1.7W *5频率-跃迁:180MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 100mA，1A / 500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，5V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:150MHz 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):1.5A，1.25A *3集射极-击穿电压(最大值):15V，12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :245mV @ 20mA，1.5A / 240mV @ 100mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250 @ 500mA，2V / 200 @ 500mA，2V *4最大功率值:1.1W *5频率-跃迁:180MHz，220MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):400mA *3集射极-击穿电压(最大值):90V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 500µA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1.8W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:2.25W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:700mW *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :950mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 100mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:250MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz
1晶体管类型1 ：5 NPN
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：15V
4最大功率值：500mW
5频率-跃迁：450MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG4-3340
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CA3083M96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CA3083M96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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