首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多路晶体管-双极(BJT)
元器件型号：1650 件
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* 晶体管类型

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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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电压 - 集射极击穿（最大值）

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不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值）

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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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* 功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： L6221CD013TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20SOIC
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：4 NPN 达林顿（双）
2集电极最大电流(ic)：1.2A
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：20-SOIC(7.50mm 宽)
封装：20-SO
料号：JTG4-3361
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'L6221CD013TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6221CD013TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6221CD013TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6221CD013TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MMPQ2222
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 4NPN 30V 0.5A 16SOIC
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:300MHz
1晶体管类型1 ：4 NPN（四路）
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：30V
4最大功率值：1W
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG4-3362
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMPQ2222' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMPQ2222' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMPQ2222' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMPQ2222' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： E-L6221AD
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：4 NPN 达林顿（双）
2集电极最大电流(ic)：1.8A
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：1W
5频率-跃迁：-
6工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：20-SOIC(7.50mm 宽)
封装：20-SOIC
料号：JTG4-3363
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'E-L6221AD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'E-L6221AD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'E-L6221AD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'E-L6221AD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ULN2803ANE4
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：8 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：18-DIP(7.62mm)
封装：18-PDIP
料号：JTG4-3364
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ULN2803ANE4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2803ANE4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2803ANE4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2803ANE4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IMT4-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:140MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：50mA
3集射极-击穿电压(最大值)：120V
4最大功率值：225mW
5频率-跃迁：140MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6
封装：SOT-26
料号：JTG4-3365
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IMT4-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMT4-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMT4-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMT4-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CA3083MZ96
品牌： Intersil
描述： TRANS 5NPN 15V 0.1A 16SOIC
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz
1晶体管类型1 ：5 NPN
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：15V
4最大功率值：500mW
5频率-跃迁：450MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG4-3366
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CA3083MZ96' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Intersil' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CA3083MZ96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CA3083MZ96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CA3083MZ96' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CA3083Z
品牌： Intersil
描述： TRANS 5NPN 15V 0.1A 16DIP
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz
1晶体管类型1 ：5 NPN
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：15V
4最大功率值：500mW
5频率-跃迁：450MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：16-DIP(7.62mm)
封装：16-PDIP
料号：JTG4-3367
包装：
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合作现货:0
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型号： CA3083MZ
品牌： Intersil
描述： TRANS 5NPN 15V 0.1A 16SOIC
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz
1晶体管类型1 ：5 NPN
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：15V
4最大功率值：500mW
5频率-跃迁：450MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG4-3368
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CA3083MZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Intersil' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CA3083MZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CA3083MZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CA3083MZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： STS05DTP03
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS NPN/PNP 30V 5A 8SO
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：5A
3集射极-击穿电压(最大值)：30V
4最大功率值：2W
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG4-3369
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STS05DTP03' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS05DTP03' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS05DTP03' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS05DTP03' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： NJX1675PDR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :115mV @ 200mA，2A，170mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:100MHz，120MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：3A
3集射极-击穿电压(最大值)：30V
4最大功率值：2W
5频率-跃迁：100MHz，120MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG4-3370
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NJX1675PDR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NJX1675PDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NJX1675PDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NJX1675PDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MP6Z13TR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :115mV @ 200mA，2A，170mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:100MHz，120MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 50mA，1A / 400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 50mA，3V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:320MHz，300MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：3A
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：2W
5频率-跃迁：320MHz，300MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：MPT6
封装：MPT6
料号：JTG4-3371
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MP6Z13TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP6Z13TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP6Z13TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP6Z13TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MCH6542-TL-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN/PNP 30V 0.3A 6MCPH
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :115mV @ 200mA，2A，170mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:100MHz，120MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 50mA，1A / 400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 50mA，3V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:320MHz，300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *4最大功率值:55mW *5频率-跃迁:380MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：300mA
3集射极-击穿电压(最大值)：30V
4最大功率值：55mW
5频率-跃迁：380MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：6-MCPH
料号：JTG4-3372
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCH6542-TL-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH6542-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH6542-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH6542-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SCH2202-TL-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN 15V 0.6A 6SCH
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :115mV @ 200mA，2A，170mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:100MHz，120MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 50mA，1A / 400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 50mA，3V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:320MHz，300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *4最大功率值:55mW *5频率-跃迁:380MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:330MHz
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：15V
4最大功率值：400mW
5频率-跃迁：330MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：6-SCH
料号：JTG4-3373
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SCH2202-TL-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCH2202-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCH2202-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCH2202-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SG2003J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :115mV @ 200mA，2A，170mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:100MHz，120MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 50mA，1A / 400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 50mA，3V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:320MHz，300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *4最大功率值:55mW *5频率-跃迁:380MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:330MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：7 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：16-CDIP(7.62mm)
封装：16-CDIP
料号：JTG4-3374
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SG2003J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2003J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2003J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2003J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SG2823J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :115mV @ 200mA，2A，170mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:100MHz，120MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 50mA，1A / 400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 50mA，3V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:320MHz，300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *4最大功率值:55mW *5频率-跃迁:380MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:330MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：8 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：95V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：-
封装：18-CDIP
料号：JTG4-3375
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SG2823J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2823J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2823J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2823J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IMT17T208
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :115mV @ 200mA，2A，170mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:100MHz，120MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 50mA，1A / 400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 50mA，3V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:320MHz，300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *4最大功率值:55mW *5频率-跃迁:380MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:330MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：300mW
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-74，SOT-457
封装：SMT6
料号：JTG4-3376
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IMT17T208' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMT17T208' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMT17T208' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMT17T208' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： QSZ3TR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS NPN/PNP 12V 3A 5TSMT
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :115mV @ 200mA，2A，170mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:100MHz，120MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 50mA，1A / 400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 50mA，3V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:320MHz，300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *4最大功率值:55mW *5频率-跃迁:380MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:330MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 30mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 500mA，2V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:280MHz
1晶体管类型1 ：NPN，PNP（耦合发射器）
2集电极最大电流(ic)：3A
3集射极-击穿电压(最大值)：12V
4最大功率值：500mW
5频率-跃迁：280MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SOT-23-5细型,TSOT-23-5
封装：TSMT5
料号：JTG4-3377
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： STA421A
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 4PNP 60V 3A 10-SIP
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :115mV @ 200mA，2A，170mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:100MHz，120MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 50mA，1A / 400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 50mA，3V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:320MHz，300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *4最大功率值:55mW *5频率-跃迁:380MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:330MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 30mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 500mA，2V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:280MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：4 PNP（四路）
2集电极最大电流(ic)：3A
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：4W
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：10-SIP
封装：10-SIP
料号：JTG4-3378
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STA421A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA421A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： HN2A01FU-GR(TE85LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :115mV @ 200mA，2A，170mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:100MHz，120MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 50mA，1A / 400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 50mA，3V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:320MHz，300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *4最大功率值:55mW *5频率-跃迁:380MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:330MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 30mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 500mA，2V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:280MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:* 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，6V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:80MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：150mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：200mW
5频率-跃迁：80MHz
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：US6
料号：JTG4-3379
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： HN3A51F(TE85L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，1V *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:300MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 1.8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 2mA，6V *4最大功率值:225mW *5频率-跃迁:140MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:Intersil 制造商统称:未设定 制造商统称:Intersil 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :5 NPN *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 50mA，3V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):5A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :115mV @ 200mA，2A，170mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 1A，2V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:100MHz，120MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 50mA，1A / 400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 50mA，3V *4最大功率值:2W *5频率-跃迁:320MHz，300MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *4最大功率值:55mW *5频率-跃迁:380MHz 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:330MHz 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 100mA，3V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 30mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 500mA，2V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:280MHz 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):3A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- 系列:* 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，6V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:80MHz 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):120V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，6V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：120V
4最大功率值：300mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-74，SOT-457
封装：SM6
料号：JTG4-3380
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HN3A51F(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN3A51F(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN3A51F(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN3A51F(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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