首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多路晶体管-双极(BJT)
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不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 2N2919L
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：30mA
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：-
6工作温度：200°C（TJ）
外壳：TO-78-6 金属罐
封装：TO-78-6
料号：JTG4-3461
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N2919L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： 2N2920L
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：30mA
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：-
6工作温度：200°C（TJ）
外壳：TO-78-6 金属罐
封装：TO-78-6
料号：JTG4-3462
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N2920L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： JAN2N2919L
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：30mA
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5频率-跃迁：-
6工作温度：200°C（TJ）
外壳：TO-78-6 金属罐
封装：TO-78-6
料号：JTG4-3463
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JAN2N2919L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N2919L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N2919L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： JAN2N2920L
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：30mA
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：-
6工作温度：200°C（TJ）
外壳：TO-78-6 金属罐
封装：TO-78-6
料号：JTG4-3464
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JAN2N2920L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： 2N5795
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 2PNP 60V 0.6A TO-78
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 150mA，10V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：600mW
5频率-跃迁：-
6工作温度：-65°C ~ 175°C（TJ）
外壳：TO-78-6 金属罐
封装：TO-78-6
料号：JTG4-3465
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5795' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5795' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： JAN2N3810U
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 2PNP 60V 0.05A
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 150mA，10V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：50mA
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：-
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：TO-78-6 金属罐
封装：TO-78-6
料号：JTG4-3466
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JAN2N3810U' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N3810U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N3810U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： JANTXV2N3810L
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 2PNP 60V 0.05A
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型号： JANTX2N3810U
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 2PNP 60V 0.05A
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料号：JTG4-3468
包装：
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型号： JANTX2N2919L
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 150mA，10V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：30mA
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外壳：TO-78-6 金属罐
封装：TO-78-6
料号：JTG4-3469
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTX2N2919L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N2919L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N2919L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
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型号： JANTXV2N2920
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-78
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型号： JANTXV2N2919
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78
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参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 150mA，10V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:-
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTXV2N2919L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： JANTXV2N2920L
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 150mA，10V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：30mA
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5频率-跃迁：-
6工作温度：200°C（TJ）
外壳：TO-78-6 金属罐
封装：TO-78-6
料号：JTG4-3473
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N2920L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： JAN2N6988
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 4PNP 60V 0.6A
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 150mA，10V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/558 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：4 PNP（四路）
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：400mW
5频率-跃迁：-
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：14-扁平封装
封装：14-扁平封装
料号：JTG4-3474
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JAN2N6988' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N6988' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N6988' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N6988' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： JAN2N6989
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 150mA，10V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/558 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/559 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):800mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:1.5W *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：4 NPN（四路）
2集电极最大电流(ic)：800mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：1.5W
5频率-跃迁：-
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3475
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： JAN2N6990
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 150mA，10V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/558 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/559 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):800mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:1.5W *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/559 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):800mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：4 NPN（四路）
2集电极最大电流(ic)：800mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：400mW
5频率-跃迁：-
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：14-扁平封装
封装：14-扁平封装
料号：JTG4-3476
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JAN2N6990' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2N2919U
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 2NPN 60V 0.03A
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 150mA，10V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/558 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/559 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):800mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:1.5W *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/559 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):800mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:-
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5频率-跃迁：-
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外壳：3-SMD，无引线
封装：3-SMD
料号：JTG4-3477
包装： 带卷（TR）
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型号： JAN2N2919U
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
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封装：3-SMD
料号：JTG4-3478
包装： 带卷（TR）
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 2NPN 60V 0.03A
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 150mA，10V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 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1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：30mA
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：-
6工作温度：200°C（TJ）
外壳：3-SMD，无引线
封装：3-SMD
料号：JTG4-3479
包装： 带卷（TR）
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： JANTXV2N3810U
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TRANS 2PNP 60V 0.05A
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 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集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/558 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/559 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):800mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:1.5W *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/559 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):800mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/355 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- 系列:军用，MIL-PRF-19500/336 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:-
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：50mA
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：-
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：TO-78-6 金属罐
封装：TO-78-6
料号：JTG4-3480
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTXV2N3810U' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N3810U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N3810U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N3810U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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