元器件型号:1650
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不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值)

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: 2N2722
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: TRANS 2NPN 40MA 45V TO78-6
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):40mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 1µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):40mA
3集射极-击穿电压(最大值):45V
4最大功率值:600mW
5频率-跃迁:100MHz
6工作温度:-
外壳:TO-78-6 金属罐
封装:TO-78-6
料号:JTG4-3561
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N2722' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2722' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2722' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2722' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 2N2903
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: TRANS 2NPN 50MA 30V TO78-6
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):40mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 1µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):50mA
3集射极-击穿电压(最大值):30V
4最大功率值:1.2W
5频率-跃迁:60MHz
6工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
外壳:TO-78-6 金属罐
封装:TO-78-6
料号:JTG4-3562
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N2903' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2903' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2903' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2903' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: 2N2903A
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: TRANS 2NPN 50MA 30V TO78-6
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):40mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 1µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):50mA
3集射极-击穿电压(最大值):30V
4最大功率值:1.2W
5频率-跃迁:60MHz
6工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
外壳:TO-78-6 金属罐
封装:TO-78-6
料号:JTG4-3563
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N2903A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2903A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2903A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2903A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 2N2913
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):40mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 1µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):30mA
3集射极-击穿电压(最大值):45V
4最大功率值:600mW
5频率-跃迁:60MHz
6工作温度:-
外壳:TO-78-6 金属罐
封装:TO-78-6
料号:JTG4-3564
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N2913' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2913' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2913' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2913' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 2N2914
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):40mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 1µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):30mA
3集射极-击穿电压(最大值):45V
4最大功率值:600mW
5频率-跃迁:60MHz
6工作温度:-
外壳:TO-78-6 金属罐
封装:TO-78-6
料号:JTG4-3565
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N2914' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2914' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2914' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2914' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: 2N2915
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):40mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 1µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
2集电极最大电流(ic):30mA
3集射极-击穿电压(最大值):45V
4最大功率值:600mW
5频率-跃迁:60MHz
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外壳:TO-78-6 金属罐
封装:TO-78-6
料号:JTG4-3566
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型号: 2N2915A
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):40mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 1µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz
1晶体管类型1 :2 NPN(双)
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4最大功率值:600mW
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封装:TO-78-6
料号:JTG4-3567
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型号: 2N2916
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6
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封装:TO-78-6
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参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):40mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 1µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz
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型号: 2N2918
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):40mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 1µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz
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4最大功率值:600mW
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品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
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参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):40mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 1µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz
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品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
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参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):40mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 1µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 100µA,1mA 电流 - 集电极截止(最大值):2nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.5W *5频率-跃迁:60MHz
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6工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
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品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: TRANS 2PNP 300MA 45V TO78-6
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):40mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 1µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 100µA,1mA 电流 - 集电极截止(最大值):2nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.5W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):135 @ 1mA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:200MHz
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):300mA
3集射极-击穿电压(最大值):45V
4最大功率值:600mW
5频率-跃迁:200MHz
6工作温度:-
外壳:TO-78-6 金属罐
封装:TO-78-6
料号:JTG4-3574
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N3726' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: 2N3727
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: TRANS 2PNP 300MA 45V TO78-6
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):40mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 1µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 100µA,1mA 电流 - 集电极截止(最大值):2nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.5W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):135 @ 1mA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):135 @ 1mA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:200MHz
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):300mA
3集射极-击穿电压(最大值):45V
4最大功率值:600mW
5频率-跃迁:200MHz
6工作温度:-
外壳:TO-78-6 金属罐
封装:TO-78-6
料号:JTG4-3575
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N3727' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: 2N3806
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):40mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 1µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 100µA,1mA 电流 - 集电极截止(最大值):2nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.5W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):135 @ 1mA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):135 @ 1mA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 1mA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):50mA
3集射极-击穿电压(最大值):60V
4最大功率值:600mW
5频率-跃迁:100MHz
6工作温度:-
外壳:TO-78-6 金属罐
封装:TO-78-6
料号:JTG4-3576
包装:
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合作现货:0
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型号: 2N3807
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6
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1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):50mA
3集射极-击穿电压(最大值):60V
4最大功率值:600mW
5频率-跃迁:100MHz
6工作温度:-
外壳:TO-78-6 金属罐
封装:TO-78-6
料号:JTG4-3577
包装:
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型号: 2N3808
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):40mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 1µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 100µA,1mA 电流 - 集电极截止(最大值):2nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.5W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):135 @ 1mA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):135 @ 1mA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 1mA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 1mA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 1mA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):50mA
3集射极-击穿电压(最大值):60V
4最大功率值:600mW
5频率-跃迁:100MHz
6工作温度:-
外壳:TO-78-6 金属罐
封装:TO-78-6
料号:JTG4-3578
包装:
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型号: 2N3809
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6
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外壳:TO-78-6 金属罐
封装:TO-78-6
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型号: 2N3810A
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):40mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):50 @ 1µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :1V @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):125 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.2W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10µA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN(双) *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :350mV @ 100µA,1mA 电流 - 集电极截止(最大值):2nA 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 1mA,5V *4最大功率值:1.5W *5频率-跃迁:60MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):135 @ 1mA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):300mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):135 @ 1mA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:200MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 1mA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 1mA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 1mA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300 @ 1mA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP(双) *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib,ic 时的vce 饱和值(最大值) :250mV @ 1mA,100µA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同ic,vce时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 1mA,5V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz
1晶体管类型1 :2 PNP(双)
2集电极最大电流(ic):50mA
3集射极-击穿电压(最大值):60V
4最大功率值:600mW
5频率-跃迁:100MHz
6工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
外壳:TO-78-6 金属罐
封装:TO-78-6
料号:JTG4-3580
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N3810A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N3810A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N3810A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N3810A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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