首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多路晶体管-双极(BJT)
元器件型号：1650 件
当前类别共1650 件相关商品

*系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

* 晶体管类型

清除

*电流 - 集电极（ic）（最大值）

清除

电压 - 集射极击穿（最大值）

清除

不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值）

清除

电流 - 集电极截止（最大值）

清除

不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

清除

* 功率 - 最大值

清除

*频率 - 跃迁

清除

工作温度

清除

安装类型

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 1650
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： ULN2068B
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：4 NPN 达林顿（双）
2集电极最大电流(ic)：1.75A
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：1W
5频率-跃迁：-
6工作温度：-20°C ~ 85°C（TA）
外壳：16-POWERDIP(7.62mm)
封装：16-POWERDIP（20X7.10）
料号：JTG4-2449
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ULN2068B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2068B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2068B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2068B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STA402A
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 4PNP DARL 50V 4A 10-SIP
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：4 PNP 达林顿（双）
2集电极最大电流(ic)：4A
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：4W
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：10-SIP
封装：10-SIP
料号：JTG4-2450
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STA402A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA402A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA402A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA402A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STA401A
品牌： Sanken Sanken
描述： TRANS 4NPN DARL 60V 4A 10SIP
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：4 NPN 达林顿（双）
2集电极最大电流(ic)：4A
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：4W
5频率-跃迁：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：10-SIP
封装：10-SIP
料号：JTG4-2451
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STA401A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA401A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA401A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STA401A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SSM2212CPZ-R7
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： TRANS 2NPN 40V 0.02A 16WLCSP
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，15V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：20mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：16-WFQFN 裸露焊盘，CSP
封装：16-LFCSP-WQ（3X3）
料号：JTG4-2452
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SSM2212CPZ-R7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM2212CPZ-R7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM2212CPZ-R7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM2212CPZ-R7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MPQ2222
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4NPN 40V 0.5A
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，15V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：4 NPN（四路）
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：650mW
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-2453
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPQ2222' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ2222' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ2222' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ2222' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MPQ2907A
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4PNP 60V 0.6A
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，15V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：4 PNP（四路）
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：650mW
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-2454
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPQ2907A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ2907A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ2907A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ2907A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MPQ2222A
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4NPN 40V 0.5A
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，15V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：4 NPN（四路）
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：650mW
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-2455
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPQ2222A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ2222A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ2222A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ2222A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MPQ3904
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4NPN 40V 0.2A
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，15V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：4 NPN（四路）
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：500mW
5频率-跃迁：250MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-2456
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPQ3904' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ3904' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ3904' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ3904' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MAT03FHZ
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，15V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:190MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：20mA
3集射极-击穿电压(最大值)：36V
4最大功率值：500mW
5频率-跃迁：190MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-78-6 金属罐
封装：TO-78-6
料号：JTG4-2457
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAT03FHZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAT03FHZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAT03FHZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAT03FHZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MAT01AHZ
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，15V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:190MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）配对
2集电极最大电流(ic)：25mA
3集射极-击穿电压(最大值)：45V
4最大功率值：500mW
5频率-跃迁：450MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-78-6 金属罐
封装：TO-78-6
料号：JTG4-2458
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAT01AHZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAT01AHZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAT01AHZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAT01AHZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MBT3946DW1T2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT363
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，15V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:190MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：150mW
5频率-跃迁：300MHz，250MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-2459
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBT3946DW1T2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBT3946DW1T2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBT3946DW1T2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBT3946DW1T2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： UMZ1NT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SOT363
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，15V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:190MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA / 300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:2µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，6V *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:114MHz，142MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：250mW
5频率-跃迁：114MHz，142MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-2460
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMZ1NT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ1NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ1NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ1NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BC848CDW1T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN 30V 0.1A SOT363
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，15V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:190MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA / 300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:2µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，6V *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:114MHz，142MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：30V
4最大功率值：380mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-2461
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC848CDW1T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC848CDW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC848CDW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC848CDW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BC848CPDW1T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN/PNP 30V 0.1A SOT363
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，15V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:190MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA / 300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:2µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，6V *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:114MHz，142MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：30V
4最大功率值：250mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-2462
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC848CPDW1T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC848CPDW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC848CPDW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC848CPDW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MBT6429DW1T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN 45V 0.2A SOT363
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，15V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:190MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA / 300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:2µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，6V *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:114MHz，142MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:500 @ 100µA，5V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:700MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：45V
4最大功率值：150mW
5频率-跃迁：700MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-2463
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBT6429DW1T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBT6429DW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBT6429DW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBT6429DW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： HN1A01FU-Y,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，15V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:190MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA / 300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:2µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，6V *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:114MHz，142MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:500 @ 100µA，5V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:700MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 2mA，6V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:80MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：150mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：200mW
5频率-跃迁：80MHz
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：US6
料号：JTG4-2464
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HN1A01FU-Y,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN1A01FU-Y,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN1A01FU-Y,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN1A01FU-Y,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BC847QASZ
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2NPN 45V 0.1A DFN1010B-6
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，15V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:190MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA / 300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:2µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，6V *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:114MHz，142MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:500 @ 100µA，5V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:700MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 2mA，6V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:80MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：45V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-XFDFN 裸露焊盘
封装：DFN1010B-6
料号：JTG4-2465
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC847QASZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847QASZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847QASZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847QASZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： HN1B04FE-Y,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，15V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:190MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA / 300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:2µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，6V *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:114MHz，142MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:500 @ 100µA，5V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:700MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 2mA，6V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:80MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 2mA，6V *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:80MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：150mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：100mW
5频率-跃迁：80MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：ES6
料号：JTG4-2466
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HN1B04FE-Y,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN1B04FE-Y,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN1B04FE-Y,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN1B04FE-Y,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BC847QAPNZ
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS NPN/PNP 45V 0.1A 6DFN
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，15V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:190MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA / 300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:2µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，6V *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:114MHz，142MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:500 @ 100µA，5V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:700MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 2mA，6V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:80MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 2mA，6V *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:80MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：45V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-XFDFN 裸露焊盘
封装：DFN1010B-6
料号：JTG4-2467
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC847QAPNZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847QAPNZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847QAPNZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847QAPNZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BC846S,125
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2NPN 65V 0.1A 6TSSOP
参数： 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):1.75A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 2mA，1.25A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:1W *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN 达林顿（双） *2集电极最大电流(ic):4A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :2V @ 10mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 3A，4V *4最大功率值:4W *5频率-跃迁:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，15V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):36V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:190MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Analog Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双）配对 *2集电极最大电流(ic):25mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :800mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:300nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz，250MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA / 300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:2µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，6V *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:114MHz，142MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *4最大功率值:380mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:420 @ 2mA，5V *4最大功率值:250mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:500 @ 100µA，5V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:700MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 2mA，6V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:80MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 2mA，6V *4最大功率值:100mW *5频率-跃迁:80MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：65V
4最大功率值：300mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG4-2468
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC846S,125' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC846S,125' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC846S,125' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC846S,125' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有1650个记录    每页显示20条，本页121-140条    7/83页    首 页    上一页   3  4  5  6  7  8  9  10  11   下一页    尾 页      
复制成功

IC型号索引 ：

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科物联介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科物联有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922