首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多路晶体管-双极(BJT)
元器件型号：1650 件
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制造商统称

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类目

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* 晶体管类型

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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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电压 - 集射极击穿（最大值）

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不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值）

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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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* 功率 - 最大值

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*频率 - 跃迁

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： CMLT5551 TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2NPN 160V 0.6A SOT-563
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：160V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG4-3738
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMLT5551 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLT5551 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLT5551 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLT5551 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZXTP56060FDBQ-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： SS LOW SAT TRANSISTORU-DFN2020-6
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:170 @ 100mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：2A
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：510mW
5频率-跃迁：-
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：U-DFN2020-6
料号：JTG4-3740
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXTP56060FDBQ-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTP56060FDBQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTP56060FDBQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXTP56060FDBQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NSM3005NZTAG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS PNP 30V 500MA 6UDFN
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:170 @ 100mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:-
1晶体管类型1 ：-
2集电极最大电流(ic)：-
3集射极-击穿电压(最大值)：-
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG4-3741
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSM3005NZTAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSM3005NZTAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSM3005NZTAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSM3005NZTAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VT6X11T2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:170 @ 100mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：20V
4最大功率值：150mW
5频率-跃迁：400MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：VMT6
料号：JTG4-3742
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VT6X11T2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VT6X11T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VT6X11T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VT6X11T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VT6T12T2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:170 @ 100mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：150mW
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：VMT6
料号：JTG4-3743
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VT6T12T2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VT6T12T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VT6T12T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VT6T12T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CMLT3904EG TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS NPN 60V 0.2A SOT563
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:170 @ 100mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：150mW
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG4-3744
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMLT3904EG TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLT3904EG TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLT3904EG TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLT3904EG TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： US6X8TR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:170 @ 100mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：1A
3集射极-击穿电压(最大值)：30V
4最大功率值：400mW
5频率-跃迁：320MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：TUMT6
料号：JTG4-3747
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'US6X8TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： PNP+PNP DRIVER TRANSISTOR
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:170 @ 100mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：1.5A
3集射极-击穿电压(最大值)：12V
4最大功率值：400mW
5频率-跃迁：400MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：TUMT6
料号：JTG4-3748
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品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
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参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:170 @ 100mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：1.5A
3集射极-击穿电压(最大值)：12V
4最大功率值：400mW
5频率-跃迁：400MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：TUMT6
料号：JTG4-3749
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'US6X7TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'US6X7TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'US6X7TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： CMLT5088EM TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT-563
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:170 @ 100mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG4-3752
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMLT5088EM TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： MPQ7093 PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4PNP 250V 0.5A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:170 @ 100mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：4 PNP（四路）
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：250V
4最大功率值：750mW
5频率-跃迁：50MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3754
包装：
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品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4NPN 250V 0.5A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:170 @ 100mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：4 NPN（四路）
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：250V
4最大功率值：1.25W
5频率-跃迁：50MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3755
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型号： MPQ2222 PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4NPN 40V 0.5A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:170 @ 100mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
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2集电极最大电流(ic)：500mA
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6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3756
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品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4PNP 60V 0.6A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:170 @ 100mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
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料号：JTG4-3757
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品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4NPN 15V 0.5A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:170 @ 100mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，2V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：4 NPN（四路）
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：15V
4最大功率值：500mW
5频率-跃迁：450MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3758
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： DMMT3906WQ-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2PCH 40V 200MA SOT363
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:170 @ 100mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，2V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）配对
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：200mW
5频率-跃迁：250MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG4-3759
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMMT3906WQ-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMMT3906WQ-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMXT3904 TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT26
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:170 @ 100mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，2V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6
封装：SOT-26
料号：JTG4-3761
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMXT3904 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： CMKT2907AG TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT363
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:170 @ 100mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，2V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG4-3762
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMKT2907AG TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKT2907AG TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKT2907AG TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKT2907AG TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： CMKT2222A TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2NPN 75V 0.6A SOT363
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:170 @ 100mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 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集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，2V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG4-3763
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKT2222A TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VT6X12T2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):160V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2A *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:170 @ 100mA，2V *4最大功率值:510mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，2V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :100mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 100mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1A *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 100mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 200mA，2V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:400MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 30mA，10V *4最大功率值:1.25W *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 100mA，2V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:450MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双）配对 *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:200mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:350MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：150mW
5频率-跃迁：350MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：VMT6
料号：JTG4-3765
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VT6X12T2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VT6X12T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VT6X12T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VT6X12T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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