首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多路晶体管-双极(BJT)
元器件型号：1650 件
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制造商统称

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* 晶体管类型

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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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电压 - 集射极击穿（最大值）

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不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值）

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电流 - 集电极截止（最大值）

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不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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* 功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： JANTX2N2920
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： NPN TRANSISTOR
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：30mA
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：-
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：TO-78-6 金属罐
封装：TO-78-6
料号：JTG4-3786
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N2920' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2N2920U
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PNP TRANSISTOR
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：30mA
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：-
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：6-SMD，无引线
封装：6-SMD
料号：JTG4-3787
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N2920U' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N2920U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： JANTX2N2920U
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： NPN TRANSISTOR
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：30mA
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：-
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：6-SMD，无引线
封装：6-SMD
料号：JTG4-3788
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTX2N2920U' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N2920U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N2920U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N2920U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： JANSR2N3810U
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RH SMALL-SIGNAL BJT
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，100µA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：50mA
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：-
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：6-SMD，无引线
封装：6-SMD
料号：JTG4-3789
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANSR2N3810U' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： JANSR2N2920U
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： RH SMALL-SIGNAL BJT
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，100µA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：30mA
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：-
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：6-SMD，无引线
封装：6-SMD
料号：JTG4-3790
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANSR2N2920U' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANSR2N2920U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANSR2N2920U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANSR2N2920U' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PMBT3904RAZ
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： PMBT3904RA/SOT1268/DFN1412-6
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，100µA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:480mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：480mW
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-XFDFN 裸露焊盘
封装：DFN1412-6
料号：JTG4-3791
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMBT3904RAZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBT3904RAZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PMP5501QASZ
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2PNP SOT1216/DFN1010B-6
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，100µA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:480mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：45V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：-
6工作温度：-
外壳：6-XFDFN 裸露焊盘
封装：DFN1010B-6
料号：JTG4-3793
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMP5501QASZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMP5501QASZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMP5501QASZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMP5501QASZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CMLT2222AG BK PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT563
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，100µA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:480mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG4-3794
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMLT2222AG BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLT2222AG BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLT2222AG BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLT2222AG BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： CMLT2907A BK PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT563
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，100µA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:480mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：60V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG4-3795
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMLT2907A BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLT2907A BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLT2907A BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLT2907A BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： CMLT5087EM TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT-563
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，100µA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:480mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：350mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG4-3798
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMLT5087EM TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLT5087EM TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MPQ3904 PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4NPN 40V 0.2A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，100µA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:480mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：4 NPN（四路）
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：500mW
5频率-跃迁：250MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3800
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPQ3904 PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ3904 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MPQ2907 PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4PNP 40V 0.6A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，100µA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:480mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：4 PNP（四路）
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：650mW
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3801
包装：
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型号： MPQ2222A PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4NPN 40V 0.5A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，100µA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:480mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
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6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3802
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型号： MPQ3906 PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4PNP 40V 0.2A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，100µA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:480mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：4 PNP（四路）
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：500mW
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6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3803
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型号： MPQ6002 PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2NPN/2PNP 30V 0.5A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，100µA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:480mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：2 NPN，2 PNP
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：30V
4最大功率值：650mW
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3804
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品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2NPN/2PNP 30V 0.5A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，100µA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:480mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：2 NPN，2 PNP
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：30V
4最大功率值：650mW
5频率-跃迁：200MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3805
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型号： MPQ7053 TIN/LEAD
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2NPN/2PNP 250V 0.5A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，100µA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:480mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：2 NPN，2 PNP
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：250V
4最大功率值：750mW
5频率-跃迁：50MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3806
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MPQ6100A TIN/LEAD
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 2NPN/2PNP 45V
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，100µA 电流 - 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集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 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集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：2 NPN，2 PNP
2集电极最大电流(ic)：-
3集射极-击穿电压(最大值)：45V
4最大功率值：3W
5频率-跃迁：50MHz
6工作温度：-
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3807
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPQ6100A TIN/LEAD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ6100A TIN/LEAD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MPQ3798 PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4PNP 40V 0.05A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，100µA 电流 - 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集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:125 @ 10mA，5V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:60MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：4 PNP（四路）
2集电极最大电流(ic)：50mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：500mW
5频率-跃迁：60MHz
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3808
包装：
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合作现货:0
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型号： MPQ3467 PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： TRANS 4PNP 40V
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，100µA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 1mA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:480mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):60V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 100µA，5V *4最大功率值:350mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :200mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:250MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 NPN（四路） *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 150mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:75 @ 10mA，1V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):30V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.4V @ 30mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:30 @ 300mA，10V *4最大功率值:650mW *5频率-跃迁:200MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):250V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 30mA，10V *4最大功率值:750mW *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN，2 PNP *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):50mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:125 @ 10mA，5V *4最大功率值:500mW *5频率-跃迁:60MHz *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :4 PNP（四路） *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:200nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:3W *5频率-跃迁:125MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：4 PNP（四路）
2集电极最大电流(ic)：-
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：3W
5频率-跃迁：125MHz
6工作温度：-
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：TO-116
料号：JTG4-3809
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPQ3467 PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ3467 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ3467 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ3467 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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