首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多路晶体管-双极(BJT)
元器件型号：1650 件
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* 晶体管类型

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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值）

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不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SG2803L-DESC
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：8 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TA）
外壳：20-CLCC
封装：20-CLCC (8.89x8.89)
料号：JTG4-3830
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SG2803L-DESC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2803L-DESC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SG2023J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：7 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：95V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TA）
外壳：16-CDIP(7.62mm)
封装：16-CERDIP
料号：JTG4-3831
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SG2023J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2023J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2023J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2023J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SG2821L-DESC
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：8 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：95V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TA）
外壳：20-CLCC
封装：20-CLCC (8.89x8.89)
料号：JTG4-3832
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SG2821L-DESC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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状态： 在售
型号： SG2823L-883B
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：8 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：95V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TA）
外壳：20-CLCC
封装：20-CLCC (8.89x8.89)
料号：JTG4-3833
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SG2823L-883B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2823L-883B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2823L-883B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： SG2023DW
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：7 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：95V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
外壳：18-SOIC(7.50mm宽)
封装：18-SOIC
料号：JTG4-3834
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SG2023DW' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2023DW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2023DW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2023DW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SG2813J-883B
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：8 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TA）
外壳：18-CDIP(7.62mm)
封装：18-CERDIP
料号：JTG4-3835
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SG2813J-883B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2813J-883B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2813J-883B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2813J-883B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SG2004J-JAN
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：7 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TA）
外壳：16-CDIP(7.62mm)
封装：16-CERDIP
料号：JTG4-3836
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SG2004J-JAN' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2004J-JAN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2004J-JAN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2004J-JAN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SG2813L
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：8 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TA）
外壳：20-CLCC
封装：20-CLCC (8.89x8.89)
料号：JTG4-3837
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SG2813L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2813L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2813L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
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参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：7 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TA）
外壳：20-CLCC
封装：20-CLCC (8.89x8.89)
料号：JTG4-3838
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SG2003L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2003L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2003L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型
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封装：20-CLCC (8.89x8.89)
料号：JTG4-3839
包装：
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描述： DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型
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型号： SG2803L
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：8 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TA）
外壳：20-CLCC
封装：20-CLCC (8.89x8.89)
料号：JTG4-3842
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SG2803L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2803L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2803L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2803L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SG2024J-883B
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：7 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：95V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TA）
外壳：16-CDIP(7.62mm)
封装：16-CERDIP
料号：JTG4-3843
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SG2024J-883B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2024J-883B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2024J-883B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2024J-883B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SG2803J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：8 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TA）
外壳：18-CDIP(7.62mm)
封装：18-CERDIP
料号：JTG4-3844
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SG2803J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： SG2804J-883B
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
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1晶体管类型1 ：8 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TA）
外壳：18-CDIP(7.62mm)
封装：18-CERDIP
料号：JTG4-3845
包装：
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：8 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：95V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TA）
外壳：18-CDIP(7.62mm)
封装：18-CERDIP
料号：JTG4-3846
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型号： SG2024J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
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1晶体管类型1 ：7 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
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5频率-跃迁：-
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TA）
外壳：16-CDIP(7.62mm)
封装：16-CERDIP
料号：JTG4-3847
包装：
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型号： SG2823L-DESC
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.9V @ 600µA，500mA 电流 - 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1晶体管类型1 ：8 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：95V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TA）
外壳：20-CLCC
封装：20-CLCC (8.89x8.89)
料号：JTG4-3848
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： SG2815J-883B
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 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集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：8 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TA）
外壳：18-CDIP(7.62mm)
封装：18-CERDIP
料号：JTG4-3849
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2815J-883B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2815J-883B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2815J-883B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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