首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多路晶体管-双极(BJT)
元器件型号：1650 件
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* 晶体管类型

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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值）

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不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SG2821J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：8 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：95V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TA）
外壳：18-CDIP(7.62mm)
封装：18-CERDIP
料号：JTG4-3850
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SG2821J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2821J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SG2824J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：8 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：95V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TA）
外壳：18-CDIP(7.62mm)
封装：18-CERDIP
料号：JTG4-3851
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SG2824J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2824J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2824J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2824J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SG2824J-DESC
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：8 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：95V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TA）
外壳：18-CDIP(7.62mm)
封装：18-CERDIP
料号：JTG4-3852
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SG2824J-DESC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2824J-DESC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SG2824J-DESC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ULN2004AINS
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：7 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
外壳：16-SOIC(5.30mm宽)
封装：16-SO
料号：JTG4-3853
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ULN2004AINS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2004AINS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2004AINS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2004AINS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ULN2004AINSE4
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：7 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
外壳：16-SOIC(5.30mm宽)
封装：16-SO
料号：JTG4-3854
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ULN2004AINSE4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2004AINSE4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2004AINSE4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2004AINSE4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： ULN2004AINSG4
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：7 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
外壳：16-SOIC(5.30mm宽)
封装：16-SO
料号：JTG4-3855
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ULN2004AINSG4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2004AINSG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2004AINSG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2004AINSG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ULN2004ANG4
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：7 NPN 达林顿
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-20°C ~ 70°C（TA）
外壳：16-DIP(7.62mm)
封装：16-DIP
料号：JTG4-3856
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ULN2004ANG4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ULN2004ANG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FMW2T148
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS GP NPN 50V 5 PIN
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:-
1晶体管类型1 ：-
2集电极最大电流(ic)：-
3集射极-击穿电压(最大值)：-
4最大功率值：-
5频率-跃迁：-
6工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG4-3857
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMW2T148' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMW2T148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMW2T148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMW2T148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： UML2N-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：-
2集电极最大电流(ic)：150mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：150mW
5频率-跃迁：180MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
封装：SOT-353
料号：JTG4-3858
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UML2N-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UML2N-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UML2N-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UML2N-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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状态： 在售
型号： UML6N-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:120mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：-
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：12V
4最大功率值：120mW
5频率-跃迁：320MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
封装：SOT-353
料号：JTG4-3859
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UML6N-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UML6N-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UML6N-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UML6N-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： UMY1N-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:120mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:140MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：NPN，PNP（耦合发射器）
2集电极最大电流(ic)：150mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4最大功率值：150mW
5频率-跃迁：140MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
封装：SOT-353
料号：JTG4-3860
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMY1N-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMY1N-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMY1N-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMY1N-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： JANS2N3810L/TR
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： BJTS
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:120mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:140MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:150 @ 1mA，5V *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：2 PNP（双）
3集射极-击穿电压(最大值)：2 PNP（双）
4最大功率值：150 @ 1mA，5V
5频率-跃迁：-
6工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：TO-78-6 金属罐
封装：TO-78
料号：JTG4-3862
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANS2N3810L/TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANS2N3810L/TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANS2N3810L/TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANS2N3810L/TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NSS60200DMTTBG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:120mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:140MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:150 @ 1mA，5V *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 100mA，2V *4最大功率值:150 @ 100mA，2V *5频率-跃迁:155MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：2 PNP（双）
3集射极-击穿电压(最大值)：2 PNP（双）
4最大功率值：150 @ 100mA，2V
5频率-跃迁：155MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-WDFN 裸露焊盘
封装：6-WDFN（2x2）
料号：JTG4-3863
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSS60200DMTTBG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： NSV60200DMTWTBG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:120mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:140MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:150 @ 1mA，5V *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 100mA，2V *4最大功率值:150 @ 100mA，2V *5频率-跃迁:155MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 100mA，2V *4最大功率值:150 @ 100mA，2V *5频率-跃迁:155MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 PNP（双）
2集电极最大电流(ic)：2 PNP（双）
3集射极-击穿电压(最大值)：2 PNP（双）
4最大功率值：150 @ 100mA，2V
5频率-跃迁：155MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-WDFN 裸露焊盘
封装：6-WDFN（2x2）
料号：JTG4-3864
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSV60200DMTWTBG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MBT3904DW1T1G-M01
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN SS 40V 0.2A SC88
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:120mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:140MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:150 @ 1mA，5V *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 100mA，2V *4最大功率值:150 @ 100mA，2V *5频率-跃迁:155MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 100mA，2V *4最大功率值:150 @ 100mA，2V *5频率-跃迁:155MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：40V
4最大功率值：150mW
5频率-跃迁：300MHz
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG4-3865
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBT3904DW1T1G-M01' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： BC817DPN/DG/B3X
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANSISTOR GEN PURP
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:120mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:140MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:150 @ 1mA，5V *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 100mA，2V *4最大功率值:150 @ 100mA，2V *5频率-跃迁:155MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 100mA，2V *4最大功率值:150 @ 100mA，2V *5频率-跃迁:155MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 100mA，1V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz，80MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：45V
4最大功率值：600mW
5频率-跃迁：100MHz，80MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-74，SOT-457
封装：6-TSOP
料号：JTG4-3866
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC817DPN/DG/B3X' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC817DPN/DG/B3X' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC817DPN/DG/B3X' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC817DPN/DG/B3X' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BC846BPN/DG/B4X
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANSISTOR GEN PURP
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:120mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:140MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:150 @ 1mA，5V *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 100mA，2V *4最大功率值:150 @ 100mA，2V *5频率-跃迁:155MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 100mA，2V *4最大功率值:150 @ 100mA，2V *5频率-跃迁:155MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 100mA，1V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz，80MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：65V
4最大功率值：300mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG4-3867
包装：
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合作现货:0
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型号： BC846S/DG/B4F
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANSISTOR GEN PURP
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:120mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:140MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:150 @ 1mA，5V *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 100mA，2V *4最大功率值:150 @ 100mA，2V *5频率-跃迁:155MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 100mA，2V *4最大功率值:150 @ 100mA，2V *5频率-跃迁:155MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 100mA，1V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz，80MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：65V
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6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG4-3868
包装：
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型号： BC846S/DG/B4X
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANSISTOR GEN PURP
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:120mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:140MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:150 @ 1mA，5V *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 100mA，2V *4最大功率值:150 @ 100mA，2V *5频率-跃迁:155MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 100mA，2V *4最大功率值:150 @ 100mA，2V *5频率-跃迁:155MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 100mA，1V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz，80MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：2 NPN（双）
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：65V
4最大功率值：300mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG4-3869
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： BC847BPN/DG/B4X
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANSISTOR GEN PURP
参数： 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:1000 @ 350mA，2V *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :8 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):95V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :7 NPN 达林顿 *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :1.6V @ 500µA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:-20°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:- *4最大功率值:- *5频率-跃迁:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:180MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :- *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):12V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 10mA，2V *4最大功率值:120mW *5频率-跃迁:320MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP（耦合发射器） *2集电极最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 1mA，6V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:140MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :250mV @ 100µA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 1mA，5V *4最大功率值:150 @ 1mA，5V *5频率-跃迁:- *6工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 100mA，2V *4最大功率值:150 @ 100mA，2V *5频率-跃迁:155MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 PNP（双） *2集电极最大电流(ic):2 PNP（双） *3集射极-击穿电压(最大值):2 PNP（双） 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :450mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 100mA，2V *4最大功率值:150 @ 100mA，2V *5频率-跃迁:155MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):40V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 10mA，1V *4最大功率值:150mW *5频率-跃迁:300MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 100mA，1V *4最大功率值:600mW *5频率-跃迁:100MHz，80MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :2 NPN（双） *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):65V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:110 @ 2mA，5V *4最大功率值:300mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型1 :NPN，PNP *2集电极最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):45V 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） :300mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 2mA，5V *4最大功率值:400mW *5频率-跃迁:100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
1晶体管类型1 ：NPN，PNP
2集电极最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：45V
4最大功率值：400mW
5频率-跃迁：100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG4-3870
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BC847BPN/DG/B4X' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847BPN/DG/B4X' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847BPN/DG/B4X' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BC847BPN/DG/B4X' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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