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元器件型号：1652 件
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不同?Ic，Vce?时的

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： PEMD30,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：2.2 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：300mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG5-3527
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PEMD30,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PEMD30,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PEMH1,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：22 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：22 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG5-3528
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PEMH1,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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状态： 在售
型号： PEMH7,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：300mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG5-3529
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PEMH7,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PEMH7,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PEMH7,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： PEMD13,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG5-3530
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PEMD13,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PEMD13,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PEMD13,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PEMD13,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PEMH19,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：22 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：300mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG5-3531
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PEMH19,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PEMH19,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PEMH19,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： PEMD18,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：10 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG5-3532
包装：
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合作现货:0
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型号： PEMB18,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：10 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG5-3533
包装：
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描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：300mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG5-3534
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PEMH14,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PEMH14,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PEMH14,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW
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3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：100 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：100 千欧
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外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG5-3535
包装：
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型号： PEMH4,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
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参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW
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5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
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外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG5-3537
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型号： PEMD19,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：22 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：300mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG5-3538
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品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：22 千欧
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外壳：SOT-563，SOT-666
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料号：JTG5-3539
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品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：300mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG5-3540
包装：
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合作现货:0
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型号： PEMB24,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：20mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：100 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：100 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG5-3541
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PEMB24,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： PEMB19,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：22 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：300mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG5-3542
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： PEMB17,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：22 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG5-3543
包装：
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型号： PEMB16,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 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1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
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外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG5-3544
包装：
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型号： PEMB14,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
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4基底R1电阻(欧姆)4：47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：300mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG5-3545
包装：
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状态： 在售
型号： PEMB1,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):20mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：22 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：22 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG5-3546
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PEMB1,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PEMB1,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PEMB1,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PEMB1,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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