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元器件型号：1652 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： NSBA115TDP6T5G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：100 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：408mW
外壳：SOT-963
封装：SOT-963
料号：JTG5-3707
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSBA115TDP6T5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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状态： 在售
型号： NSBA114TDP6T5G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：408mW
外壳：SOT-963
封装：SOT-963
料号：JTG5-3708
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSBA114TDP6T5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： NSBC115TDP6T5G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：100 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：339mW
外壳：SOT-963
封装：SOT-963
料号：JTG5-3709
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型号： NSBC143ZPDP6T5G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：339mW
外壳：SOT-963
封装：SOT-963
料号：JTG5-3710
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSBC143ZPDP6T5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： NSBA143ZDP6T5G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：408mW
外壳：SOT-963
封装：SOT-963
料号：JTG5-3711
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSBA143ZDP6T5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW
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2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：339mW
外壳：SOT-963
封装：SOT-963
料号：JTG5-3712
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
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外壳：SOT-963
封装：SOT-963
料号：JTG5-3718
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
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封装：SOT-963
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
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4基底R1电阻(欧姆)4：2.2 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：408mW
外壳：SOT-963
封装：SOT-963
料号：JTG5-3721
包装：
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型号： NSBA124EDP6T5G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
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1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
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4基底R1电阻(欧姆)4：22 千欧
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外壳：SOT-963
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW
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外壳：SOT-963
封装：SOT-963
料号：JTG5-3723
包装：
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状态： 在售
型号： NSBA113EDXV6T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
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1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：1 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：1 千欧
6最大功率值：250mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG5-3724
包装：
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状态： 在售
型号： NSBA124XDXV6T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 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外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG5-3725
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： NSBA144WDXV6T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:408mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:339mW 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 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1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
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外壳：SOT-563，SOT-666
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料号：JTG5-3726
包装：
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海外现货:0
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